一种真空腔体碳膜清洁方法技术

本发明专利技术公开了一种真空腔体碳膜清洁方法，适应于等离子镀膜装置中管道内壁碳膜的去除，所述等离子镀膜装置包括靶材、管道、磁场控制系统、引弧机构和直流弧电源，所述管道呈中空结构，所述磁场控制系统设置在所述管道外侧，包括步骤：(1)将所述直流弧电源的正极与所述管道电连接，所述直流弧电源的负极与所述靶材电连接；(2)利用所述直流弧电源和所述引弧机构在所述靶材表面起弧，在所述管道内产生等离子体；(3)采用所述磁场控制系统控制等离子体轰击管道内壁，以去除管道内壁的碳膜。该方法效率高、环保、便捷、成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种真空腔体碳膜清洁方法


[0001]本专利技术涉及电弧镀膜设备清洁
，更具体地涉及一种真空腔体碳膜清洁方法。

技术介绍

[0002]类金刚石涂层中四面体非晶碳(ta
‑
C)膜具有极高的sp3键含量，具有极高的硬度和优异的减摩抗磨性能,极高的热导率和优良的抗热冲击性能，极高的电阻率和良好的掺杂性能。一般采用弯管磁过滤电弧技术沉积ta
‑
C涂层，但长期使用会在磁过滤弯管或者腔体内壁上形成很厚的碳膜层，从而积攒大量灰尘，吸附气体。该厚膜堆积在弯管或者腔体内壁，影响设备电阻和沉积电场；同时，真空过程中吸附气体释放缓慢，设备抽气速度时间变长；另外，灰尘颗粒不能清除干净，沉积过程中会产生漂浮，沉积到产品表面，影响品质。因此，需定期对内壁上的碳膜进行清洁处理，以保证弯管内电场运行正常和保障涂层质量。
[0003]当前，腔体内壁碳膜层常用的清洁方式有：(1)物理打磨，如取出弯管喷砂，管内刷磨，锉刀敲打等；但常规物理打磨手段无法很好地去除膜层；通过物理喷砂工艺则需要拆卸管壁或内衬，时间长，效率低；(2)化学退镀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空腔体碳膜清洁方法，适应于等离子镀膜装置中管道内壁碳膜的去除，所述等离子镀膜装置包括靶材、管道、磁场控制系统、引弧机构和直流弧电源，所述管道呈中空结构，所述磁场控制系统设置在所述管道外侧，其特征在于，包括步骤：(1)将所述直流弧电源的正极与所述管道电连接，所述直流弧电源的负极与所述靶材电连接；(2)利用所述直流弧电源和所述引弧机构在所述靶材表面起弧，在所述管道内产生等离子体；(3)采用所述磁场控制系统控制等离子体轰击管道内壁，以去除管道内壁的碳膜。2.如权利要求1所述的真空腔体碳膜清洁方法，其特征在于，所述磁场控制系统包括设置在所述管道外侧的磁力线圈，通过调节所述磁力线圈通入的电流大小，改变磁力线分布情况，使得等离子体轰击所述管道内壁的不同位置，轰击一定时间。3.如权利要求2所述的真空腔体碳膜清洁方法，其特征在于，轰击时间为30s
‑
300s。4.如权利要求2所述的真空腔体碳膜清洁方法，其特征在于，所述管道呈弯管结构，包括依次相连通的一级管、二级管和三级管，所述一级管和所述三级管呈直管，所述二级管呈弧形结构，所述直流弧电源的正极与所述一级管电连接，所述一级管与所述二级管之间及所述二级管与所述三级管之间设有绝缘结构。5.如权利要求4所述的真空腔体碳膜清洁方法，其特征在于，所述磁力线圈包括稳弧线圈、聚焦线圈、引导线圈和发散线圈，所述稳弧线圈、所述聚焦线圈设置在所述一级管的外侧，所述引导线圈设置在所述二级管的外侧，所述发散线圈设置在所述三级管的外侧。6.如权利要求5所述的真空腔体碳膜清洁方法，其特征在于，所述稳弧线圈的电流为2
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8A，所述聚焦线圈的电流为1
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12A，所述引导线圈的电流为4
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7A和所述发散线圈的电流为10
‑
20A。7.如权利要求6所述的真空腔体碳膜清洁方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹时义，王俊锋，
申请(专利权)人：广东鼎泰高科技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：