本发明专利技术涉及一种多通道底馈式T/R组件,包括多个通道,所述通道两端分别连接公共端和天线;每个所述通道包括依次连接的:一多功能幅相控制芯片(103)、一GaN功放芯片(104)、一环隔器(107)、一限幅器芯片(105)、一低噪声放大器芯片(106),其中,所述低噪声放大器芯片(106)与所述多功能幅相控制芯片(103)连接;该所述通道中还包括,电源模块,所述电源模块与所述多功能幅相控制芯片(103)连接、所述低噪声放大器芯片(106)和所述GaN功放芯片(104)连接;所述组件还包括一公共端,分别与各通道中的所述多功能幅相控制芯片(103)连接。述多功能幅相控制芯片(103)连接。述多功能幅相控制芯片(103)连接。
【技术实现步骤摘要】
一种多通道底馈式T/R组件
[0001]本专利技术属于射频微波电路
,涉及一种多通道底馈式T/R组件。
技术介绍
[0002]多通道工作模式是目前研究最多的高分辨率宽测绘带工作模式。该模式通过空间上的增采样来降低对时间采样率的需求,有效缓解空间分辨率与测绘带宽度之间的矛盾。为了实现相控阵天线多通道工作模式的高分辨率成像,对T/R组件收发通道的带内幅相起伏和组件间的幅相一致性要求更加严苛,防止色散误差引起对地目标回波的幅相调制,引起主瓣展宽和旁瓣恶化、目标信噪比下降、分辨率展宽等,从而影响成像质量。
[0003]此外,为了满足卫星高技术、大容量需求,微波组件必须实行小型化研制。目前广泛应用的二维有源相控阵天线多采用砖块式结构T/R组件,仅采用XY轴平面传输,本组件从平面组装转化到立体堆叠,高密度布局,有效利用Z轴空间,并通过垂直互联实现无缆化的微波信号传输,节约体积和重量,减化系统结构繁冗度。
技术实现思路
[0004]为达到上述目的,本申请提出了多通道底馈式T/R组件,所述组件包括多个通道,所述通道两端分别连接公共端和天线;
[0005]每个所述通道包括依次连接的:一多功能幅相控制芯片(103)、一GaN功放芯片(104)、一环隔器(107)、一限幅器芯片(105)、一低噪声放大器芯片(106),其中,所述低噪声放大器芯片(106)与所述多功能幅相控制芯片(103)连接;
[0006]该所述通道中还包括,电源模块,所述电源模块与所述多功能幅相控制芯片(103)连接、所述低噪声放大器芯片(106)和所述GaN功放芯片(104)连接;
[0007]所述组件还包括一公共端,分别与各通道中的所述多功能幅相控制芯片(103)连接。
[0008]在一个可能的实现方式中,所述公共端包括:
[0009]功分器芯片(102),分别与每个通道中的所述多功能幅相控制芯片(103)连接;
[0010]输入SMP
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毛纽扣(112),与所述功分器芯片(102)连接;
[0011]以及一只J30JMI气密型低频连接器(114);
[0012]其中,各通道收发控制独立,互不影响。
[0013]在一个可能的实现方式中,所述电源模块包括:
[0014]发射电源调制芯片(108),分别与所述多功能幅相控制芯片(103)以及所述GaN功放芯片(104)连接;
[0015]PMOS芯片(109),分别与所述GaN功放芯片(104)和所述发射电源调制芯片(108)连接;
[0016]接收电源调制芯片(110),分别与所述多功能幅相控制芯片(103)以及所述低噪声放大器芯片(106)连接。
[0017]在一个可能的实现方式中,所述组件由LTCC多层电路基板(101)、盒体(115)、内盖板(118)、外盖板(119)、内置隔板(117)组成,包括微波电路、电源和控制电路。
[0018]在一个可能的实现方式中,所述LTCC多层电路基板结构包括15层,由上而下第一层PC1为功分器芯片、电源调制芯片、PMOS芯片、阻容等元器件放置层,表层尽量不进行任何微波信号和控制、电源信号走线,仅存在层间过渡PAD和焊接、金丝键合PAD,以保证传输信号的良好屏蔽性,防止信号串扰和空间耦合影响;第二层PC2为空白瓷片,以提供介质厚度;第三层PC3为带状线上层地;第四层PC4和第五层PC5为空白瓷片,为带状线介质层;第六层PC6为带状线层,用以微波信号的传输,以提高通道间收发链路的信号隔离度,此外多功能幅相控制芯片采用挖腔埋置于第六层,通过基板错层高度实现通道间高隔离度;第七层PC7和第八层PC8为空白瓷片,为带状线介质层;第九层PC9为带状线下层地;第十层PC10、第十一层PC11和第十二层PC12为控制电路布线层,第十三层PC13和第十四层PC14为电源布线层,第十五层PC15为模拟地层。
[0019]在一个可能的实现方式中,所述LTCC多层电路基板内部,微波信号采用带状线形式传输,微波信号在所述LTCC多层电路基板内部各层之间通过带状线
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同轴转换结构实现垂层间垂直传输。
[0020]在一个可能的实现方式中,所述LTCC多层电路基板内部层间信号通过过孔连接,接地通孔仅包括顶层
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底层(Via1
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15)通孔、带状线层
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底层(Via6
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15)通孔及带状线下层地
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底层(Via9
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15)通孔三种,以避免多种层数通孔引起LTCC多层电路基板叠层后表面的不平坦性,影响芯片和其他器件贴装的良好接地性。
[0021]在一个可能的实现方式中,射频输入连接器SMP
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毛纽扣从盒体底部穿墙,并与LTCC多层电路基板底层同轴PAD良好接触,通过弹性压接方式将盒体和LTCC多层电路基板连接,使微波输入信号从盒体底部馈入,实现免焊接去电缆的板级弹性垂直互联;射频输出连接器SMP从盒体底部穿墙,并通过与输出TMM6微带片穿孔焊接,使微波输入信号从盒体底部馈出。
[0022]在一个可能的实现方式中,收发支路间和通道间采用分腔设计,均设置隔墙,两级放大器之间放置金属隔板防止级间增益过大引起自激,金属隔板两端嵌于盒体内,并采用环氧粘接于LTCC多层电路基板上,与盒体内部隔墙、内盖板形成封闭腔体。由于上述技术方案的运用,本专利技术与现有技术相比具有下列有益效果:
[0023]1)本专利技术所述的一种基于LTCC技术的多通道底馈式T/R组件,该组件采用多功能幅相控制芯片和GaN高效率功率放大芯片,单通道发射效率可达40%以上;
[0024]2)本专利技术所述的一种基于LTCC技术的多通道底馈式T/R组件,该组件采用多功能幅相控制芯片,集成收发切换、移相、衰减控制和驱动放大功能;采用多功能电源控制芯片,集成GaN功放高压脉冲调制、精准栅压偏置、驱放低压脉冲调制功能;并利用LTCC多层电路基板特点进行埋阻和高密度布线设计,大幅减小了T/R组件重量尺寸,相较同频段同性能指标侧馈式T/R组件,尺寸缩小1//3,重量减少1/4,实现组件的高集成度和小型化设计;
[0025]3)本专利技术所述的一种基于LTCC技术的多通道底馈式T/R组件,多层LTCC介质基板具有良好的层压特性,保证了带状传输线的稳定性,层内通过带状线
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同轴转换结构实现微波信号的垂直传输;
[0026]4)本专利技术所述的一种基于LTCC技术的多通道底馈式T/R组件,组件射频接口通过
毛纽扣形式实现微波信号的底部馈入结构,实现组件微波信号的垂直传输,底馈式结构可实现与系统的无缆化垂直互联,大大简化了系统实现复杂度;
[0027]5)本专利技术所述的一种基于LTCC技术的多通道底馈式T/R组件,具有具有小型化、集成化、高效率、低功耗、带内起伏小、批量产品一致性和可靠性高等优点,具有一定的通用性,适用于各种环境相控阵雷本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多通道底馈式T/R组件,其特征在于:所述组件包括多个通道,所述通道两端分别连接公共端和天线;每个所述通道包括依次连接的:一多功能幅相控制芯片(103)、一GaN功放芯片(104)、一环隔器(107)、一限幅器芯片(105)、一低噪声放大器芯片(106),其中,所述低噪声放大器芯片(106)与所述多功能幅相控制芯片(103)连接;该所述通道中还包括,电源模块,所述电源模块与所述多功能幅相控制芯片(103)连接、所述低噪声放大器芯片(106)和所述GaN功放芯片(104)连接;所述组件还包括一公共端,分别与各通道中的所述多功能幅相控制芯片(103)连接。2.根据权利要求1所述的组件,其特征在于,所述公共端包括:功分器芯片(102),分别与每个通道中的所述多功能幅相控制芯片(103)连接;输入SMP
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毛纽扣(112),与所述功分器芯片(102)连接;以及一只J30JMI气密型低频连接器(114);其中,各通道收发控制独立,互不影响。3.根据权利要求1所述的组件,其特征在于,所述电源模块包括:发射电源调制芯片(108),分别与所述多功能幅相控制芯片(103)以及所述GaN功放芯片(104)连接;PMOS芯片(109),分别与所述GaN功放芯片(104)和所述发射电源调制芯片(108)连接;接收电源调制芯片(110),分别与所述多功能幅相控制芯片(103)以及所述低噪声放大器芯片(106)连接。4.根据权利要求1所述的组件,其特征在于,所述组件由LTCC多层电路基板(101)、盒体(115)、内盖板(118)、外盖板(119)、内置隔板(117)组成,包括微波电路、电源和控制电路。5.根据权利要求4所述的组件,其特征在于,所述LTCC多层电路基板结构包括15层,由上而下第一层PC1为功分器芯片、电源调制芯片、PMOS芯片、阻容等元器件放置层,表层尽量不进行任何微波信号和控制、电源信号走线,仅存在层间过渡PAD和焊接、金丝键合PAD,以保证传输信号的良好屏蔽性,防止信号串扰和空间耦合影响;第二层PC2为空白瓷片,以提供介质厚度;第三层PC3为带状线上...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷鸥,陈凯,孙斌,程隽隽,赵涌,王娜,
申请(专利权)人:上海航天电子通讯设备研究所,
类型:发明
国别省市:
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