研磨粒的制造方法、化学机械研磨用组合物及化学机械研磨方法技术

本发明专利技术提供一种用于不仅相对于硅氧化物膜而且相对于非晶硅膜或多晶硅膜也选择性地研磨氮化硅膜的研磨粒或化学机械研磨用组合物。本发明专利技术的研磨粒的制造方法包括：第一步骤，对混合物进行加热，所述混合物含有氢硫基(

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨粒的制造方法、化学机械研磨用组合物及化学机械研磨方法


[0001]本专利技术涉及一种研磨粒的制造方法、化学机械研磨用组合物及化学机械研磨方法。

技术介绍

[0002]形成于半导体装置内的包含配线及插塞(plug)等的配线层的微细化正在发展。伴随于此，使用通过化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，以下也称为“CMP”)使配线层平坦化的方法。一般而言，在对硅氧化物膜(SiO2)进行研磨的CMP中，利用氮化硅膜(SiN)为难以研磨的膜这一情况，将氮化硅膜作为阻挡膜，由此检测终点。通过CMP去除硅氧化物膜后，也需要去除作为阻挡膜的氮化硅膜。
[0003]为了通过CMP选择性地去除氮化硅膜，需要增大氮化硅膜相对于硅氧化物膜或多晶硅膜的研磨速度比(以下也称为“选择比”)。为了实现此种特性，提出有使用含有磷酸、硝酸、氢氟酸且将pH调整为1～5的研磨液对氮化硅膜进行研磨的方法、或含有抑制了蚀刻作用的酸性添加剂且可选择性地研磨氮化硅膜的研磨液等(参照专利文献1～专利文献2)。
[0004]现有技术文献...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种研磨粒的制造方法，其制造研磨粒，所述研磨粒的制造方法包括：第一步骤，对混合物进行加热，所述混合物含有氢硫基(
‑
SH)经由共价键固定于表面的粒子以及具有碳
‑
碳不饱和双键的化合物；以及第二步骤，在所述第一步骤后，进而添加过氧化物并进行加热。2.根据权利要求1所述的研磨粒的制造方法，其中，所述第一步骤中的所述混合物还含有自由基产生剂。3.根据权利要求1或2所述的研磨粒的制造方法，其中，所述具有碳
‑
碳不饱和双键的化合物具有100～10,000的平均分子量。4.根据权利要求1至3中任一项所述的研磨粒的制造方法，其中，所述研磨粒在其表面具有下述通式(1)所表示的官能基，
‑
SO3‑
M
+
·····
(1)(M
+
表示一价阳离子)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的研磨粒的制造方法，其中，在含有所述研磨粒的化学机械研磨用组合物中，所述研磨粒的仄他电位未满
‑
10mV。6.一种化学机械研磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳孝典，王鹏宇，中西康二，山田裕也，马场淳，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：