AlN接合体制造技术

本发明专利技术提供一种良好地接合且没有裂纹的AlN接合体。AlN接合体(10)是将第一AlN部件(11)和第二AlN部件(12)进行接合得到的。第一AlN部件(11)的三氧化二钇含有率为检测极限以下。第二AlN部件(12)含有三氧化二钇。下。第二AlN部件(12)含有三氧化二钇。下。第二AlN部件(12)含有三氧化二钇。

【技术实现步骤摘要】
AlN接合体


[0001]本专利技术涉及AlN接合体。

技术介绍

[0002]以往，已知有一种陶瓷加热器，该陶瓷加热器具备：AlN制的板，其具有供晶片载放的晶片载放面且内置有电阻发热体；以及AlN制的筒状轴，其接合于板的与晶片载放面相反一侧的背面(参考专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特许第6878677号公报

技术实现思路

[0006]上述陶瓷加热器是将例如包含5质量％的三氧化二钇的AlN制的板和包含5质量％的三氧化二钇的AlN制的筒状轴涂抹助熔剂进行接合而制造的。近年来，为了利用热电偶测定板的外周温度，有时在板上设置热电偶用的沟。另外，作为在晶片成膜时的对策，有时在板上设置气体吹扫用的沟。因此，对在像这样的形成有沟的板上接合筒状轴进行了研究。结果可知：现有的接合方法中，产生以沟为起点的裂纹。产生裂纹是因为接合时的压制压力较高。
[0007]本专利技术是为了解决上述课题而实施的，其主要目的在于，提供良好地接合且没有裂纹的AlN接合体。
[0008]对于本专利技术的AlN接合体的一个方案，其是将第一AlN部件和第二AlN部件进行接合得到的AlN接合体，
[0009]所述第一AlN部件的三氧化二钇含有率为检测极限以下，
[0010]所述第二AlN部件含有三氧化二钇。
[0011]对于本专利技术的AlN接合体的另一方案，其是将第一AlN部件和第二AlN部件进行接合得到的AlN接合体，<br/>[0012]所述第一AlN部件具有由接合形成的第一扩散层，
[0013]所述第二AlN部件具有由接合形成的第二扩散层，
[0014]所述第一AlN部件的除所述第一扩散层以外的部分的三氧化二钇含有率为检测极限以下，
[0015]所述第二AlN部件的除所述第二扩散层以外的部分含有三氧化二钇。
附图说明
[0016]图1是AlN接合体10的主视图。
[0017]图2是AlN接合体20的主视图。
[0018]图3是AlN接合体30的主视图。
[0019]图4是AlN接合体40的主视图。
[0020]图5是陶瓷加热器50的纵截面图。
[0021]图6是陶瓷加热器50的制造工序图。
[0022]图7是陶瓷加热器60的纵截面图。
[0023]符号说明
[0024]10、20、30、40
…
AlN接合体，11、31
…
第一AlN部件，12、32
…
第二AlN部件，13、33
…
第三AlN部件，31a
…
第一扩散层，32a
…
第二扩散层，33a
…
第三扩散层，50
…
陶瓷加热器，51
…
中间环，52
…
圆形板，52a
…
晶片载放面，52b
…
电阻发热体，52c
…
热电偶沟，53
…
筒状轴，53a
…
凸缘，60
…
陶瓷加热器，61
…
第一圆形板，61c
…
直线沟，62
…
第二圆形板，62a
…
晶片载放面，62b
…
电阻发热体，63
…
第三圆形板，63c
…
贯通孔，64
…
筒状轴，64a
…
凸缘部，65
…
层叠板，66
…
热电偶沟。
具体实施方式
[0025]以下，参照附图，对本专利技术的优选实施方式进行说明。图1～图4是AlN接合体10～40的主视图，图5是陶瓷加热器的纵截面图(以包括中心轴在内的面切断时的截面图)。以下的说明中，上下、左右、前后如图1所示。应予说明，上下、左右、前后只不过是相对的位置关系。本说明书中表示数值范围的“～”以包含其前后记载的数值作为下限值及上限值的含义进行使用。
[0026]图1所示的AlN接合体10是采用助熔剂(接合用的糊料)将第一AlN部件11和第二AlN部件12进行接合得到的。作为助熔剂，例如可以采用包含氧化钙(CaO)、氧化铝(Al2O3)以及三氧化二钇(Y2O3)的材料。第一AlN部件11和第二AlN部件12为相同大小的圆板部件。第一AlN部件11的三氧化二钇含有率为检测极限以下，第二AlN部件12含有三氧化二钇。第二AlN部件12的三氧化二钇含有率优选为0.07质量％以上。第一AlN部件11优选包含选自由除三氧化二钇以外的稀土金属氧化物、氧化镁(MgO)及二氧化钛(TiO2)构成的组中的至少1种氧化物。氧化物的总添加量可以为例如0.1～3质量％。作为稀土氧化物，例如可以举出：二氧化铈(CeO2)、氧化钐(Sm2O3)等。第一AlN部件11优选包含除三氧化二钇以外的稀土金属氧化物或氧化镁和二氧化钛，更优选包含氧化镁和二氧化钛。
[0027]图2所示的AlN接合体20是采用助熔剂在AlN接合体10的第一AlN部件11的与第二AlN部件12的接合面相反一侧的面接合第三AlN部件13得到的。作为助熔剂，例如可以采用包含氧化钙、氧化铝以及三氧化二钇的材料。第三AlN部件13为与第一及第二AlN部件11、12相同大小的圆板部件。第三AlN部件13含有三氧化二钇。第三AlN部件13的三氧化二钇含有率优选为0.07质量％以上。
[0028]图3所示的AlN接合体30是采用助熔剂将第一AlN部件31和第二AlN部件32进行接合得到的。作为助熔剂，例如可以采用包含氧化钙(CaO)、氧化铝(Al2O3)以及三氧化二钇(Y2O3)的材料。第一AlN部件31和第二AlN部件32为相同大小的圆板部件。第一AlN部件31具有由接合形成的第一扩散层31a。第二AlN部件32具有由接合形成的第二扩散层32a。第一及第二扩散层31a、32a为助熔剂成分进行扩散得到的层。第一AlN部件31的除第一扩散层31a以外的部分的三氧化二钇含有率为检测极限以下，第二AlN部件32的除第二扩散层32a以外的部分含有三氧化二钇。第二AlN部件32的除第二扩散层32a以外的部分的三氧化二钇含有
率优选为0.07质量％以上。第一AlN部件31优选包含选自由除三氧化二钇以外的稀土金属氧化物、氧化镁(MgO)及二氧化钛(TiO2)构成的组中的至少1种氧化物。氧化物的总添加量可以为例如0.1～3质量％。作为稀土氧化物，例如可以举出：二氧化铈(CeO2)、氧化钐(Sm2O3)等。第一AlN部件31优选包含除三氧化二钇以外的稀土金属氧化物或氧化镁和二氧化钛，更优选包含氧化镁和二氧化钛。
[0029]图4所示的AlN接合体40是采用助熔剂在AlN接合体30的第一AlN部件31的与第二AlN部件32的接合面相反一侧的面接合第三AlN部件33得到的。作为助熔剂，例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种AlN接合体，其是将第一AlN部件和第二AlN部件进行接合得到的，所述AlN接合体的特征在于，所述第一AlN部件的三氧化二钇含有率为检测极限以下，所述第二AlN部件含有三氧化二钇。2.根据权利要求1所述的AlN接合体，其特征在于，所述第二AlN部件的三氧化二钇含有率为0.07质量％以上。3.根据权利要求1或2所述的AlN接合体，其特征在于，所述第一AlN部件包含选自由除三氧化二钇以外的稀土金属氧化物、氧化镁及二氧化钛构成的组中的至少1种氧化物。4.根据权利要求3所述的AlN接合体，其特征在于，所述第一AlN部件包含氧化镁及二氧化钛。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的AlN接合体，其特征在于，所述AlN接合体具备第三AlN部件，该第三AlN部件接合于所述第一AlN部件的与所述第二AlN部件的接合面相反一侧的面，所述第三AlN部件含有三氧化二钇。6.根据权利要求5所述的AlN接合体，其特征在于，所述第三AlN部件的三氧化二钇含有率为0.07质量％以上。7.一种AlN接合体，其是将第一AlN部件和第二AlN部件进行接合得到的，所述AlN接合体的特征在于，所述第一AlN部件具有由接合形成的第一扩散层，所述第二AlN部件具有由接合形成的第二扩散层，所述第一AlN部件的除所述第一扩散层以外的部分的三氧化二钇含有率为检测极限以下，所述第二AlN部件的除所述第二扩散层以外的部分含有三氧化二钇。8.根据权利要求7所述的AlN接合体，其特征在于，所述第二AlN部件的除所述第二扩散层以外的部分的三氧化二钇含有率为0.07质量％以上。9.根据权利要求7或8所述的AlN接合体，其特征在于，所述第一AlN部件包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：山名启太，曻和宏，横田元一，阿部哲久，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：