离子发生器以及无源主动抑雷设备制造技术

提供一种离子发生器以及无源主动抑雷设备，能够提高空气电离效率，由此更有效地实现无源主动抑雷。所述离子发生器包括上电极和下电极，所述上电极和下电极均为圆筒结构，且半径相等，所述上电极和下电极以同轴状间隔一定空间相对配置，所述上电极和下电极的彼此相对的筒口端均在筒口周向上交替形成沿筒壁突出的外突部和沿筒壁凹入的内凹部，且一方电极的外突部与另一方电极的内凹部在数量和位置上一一对应。所述无源主动抑雷设备包括所述离子发生器。发生器。发生器。

【技术实现步骤摘要】
离子发生器以及无源主动抑雷设备


[0001]本技术涉及抑雷
，特别涉及一种离子发生器以及具备该离子发生器的无源主动抑雷设备。

技术介绍

[0002]以往基于电离空气提出过抑雷设备，在雷云发展过程中空间电场发生变化时，探针柱对雷云电荷进行吸引，此时在上电极与下电极之间产生高强度的电场，通过电离上电极与下电极之间的空气产生大量的正离子和负离子，正离子和负离子扩散至等离子发生器的外部，分别向雷云底部电荷强聚集区和地面感应的异性电荷强聚集区快速飘移和传导与之中和，由此将雷电的通道截断，实现了消减空间电势，阻断雷电发展通道发展，但是如何提高空气电离效率仍然是有待研究的课题。

技术实现思路

[0003]本技术目的在于提供一种离子发生器以及无源主动抑雷设备，能够提高空气电离效率从而更有效实现无源主动抑雷。
[0004]本新型所提供的离子发生器包括上电极和下电极，所述上电极和下电极均为圆筒结构，且半径相等，所述上电极和下电极以同轴状间隔一定空间相对配置，所述上电极和下电极的彼此相对的筒口端均在筒口周向上交替形成沿筒壁突出的外突部和沿筒壁凹入的内凹部，且一方电极的外突部与另一方电极的内凹部在数量和位置上一一对应。
[0005]优选地，在所述上电极和下电极的各圆筒结构的展开平面上，所述内凹部构成半圆弧，所述外突部构成夹在相邻内凹部之间且自内凹部连续纵向延伸的倒U形竖突，该倒U形竖突由自内凹部纵向延伸的方形部和自该方形部连续形成的半圆端构成。
[0006]进一步优选地，所述上电极和下电极的彼此相对的筒口端构成相同结构，且该筒口端之间各处的最小距离宽度相等。
[0007]进一步优选地，所述最小距离宽度为26mm。
[0008]进一步优选地，所述倒U形竖突的方形部的纵向长度为12mm。
[0009]在上述方案中还可以扩展包括半球状的等电位体，所述上电极由其圆筒结构的另一筒口端以同心状与所述等电位体的底面导电连接或成形为一体。
[0010]还提供一种扩展方案：还包括圆柱形的底座，所述下电极由其圆筒结构的另一筒口端以同心状与所述底座的顶面导电连接或成形为一体。
[0011]还提供一种扩展方案：还包括半球状的等电位体，所述上电极由其圆筒结构的另一筒口端以同心状与所述等电位体的底面导电连接或成形为一体，还包括圆柱形的底座，所述下电极由其圆筒结构的另一筒口端以同心状与所述底座的顶面导电连接或成形为一体，还包括支撑立柱，所述支撑立柱的上端穿过所述上电极的圆筒结构固定于所述等电位体的底面，所述支撑立柱的下端穿过所述下电极的圆筒结构固定于所述底座的顶面。
[0012]本新型提供的无源主动抑雷设备包括：上述扩展方案所述的离子发生器；与所述
等电位体的半球面导电连接的多根导流杆；以及与所述多根导流杆分别连接的多组感应针。优选所述多根导流杆的至少一根为可伸缩结构。
[0013]根据本技术，能够使电离空气效率更高，工作过程在电晕状态，相比其他形式电离释放等离子实现了最大有效性。
附图说明
[0014]图1是表示本无源主动抑雷设备的结构示意图。
[0015]图2是表示本无源主动抑雷设备的变形示意图。
[0016]图3是表示本无源主动抑雷设备的另一结构示意图。
[0017]图4是表示本无源主动抑雷设备的上下电极的平面展开图。
[0018]图5是表示本无源主动抑雷设备基于测试结果的聚电能力仿真图。
具体实施方式
[0019]本技术所述抑雷设备的无源性体现在受大气或雷云电场激励使空气分子电离以中和环境电荷。本技术所述抑雷设备的主动性体现在通过电离产生的等离子来主动改变雷云电场电势，从而破坏雷电先导的形成条件。基于这样的原理，本技术所提供的无源主动抑雷设备具备聚引结构和离子发生结构。
[0020]所述聚引结构用于感应空间电场并使感应电荷聚引于所述离子发生结构。所谓空间电场在抑雷
应作一般理解，指自然环境下大气电场或雷云感应下在空间形成的电势。
[0021]应理解只要能够实现感应空间电场并使感应电荷聚引作用于离子发生结构的构成及选材或者部件组合及部件间位置与连接关系都应视为所述聚引结构的范围之内，但是本技术在此提供聚引结构的一种优选实施例。
[0022]该优选实施例中，聚引结构包括：用于感应空间电场的多组感应针；分别聚集连接各组感应针并将由各组感应针感应的电荷汇集传导至等电位体的多根导流杆；以及将由多根导流杆汇集传导来的电荷均匀作用于离子发生结构的等电位体。
[0023]根据抑雷规律，自上而下配置所述感应针、所述导流杆和所述等电位体，并且根据抑雷规律，所述感应针、所述导流杆和所述等电位体均为金属材质。
[0024]所述离子发生结构包括上下电极，所述上电极构成为接收由所述等电位体作用的电荷，所述下电极构成为接地。
[0025]其中，所述上电极和所述下电极均构成筒壁结构，且各筒壁用作电离的筒口端均在周向上交替形成沿筒壁突出的外突部和沿筒壁凹入的内凹部，该上下电极用作电离的筒口端彼此间隔一定空间相对配置成一方电极的外突部与另一方电极的内凹部对应。
[0026]由此，在上电极和下电极的筒壁电离端之间形成电离空气的电离空隙。
[0027]所述筒壁结构的外周只要是平缓的弧形面即可，但作为优选例，上下电极的筒壁结构均为圆筒壁。并且，作为进一步优选例，上电极和下电极的圆筒半径相等。由此可以将一方电极的外突部与另一方电极的内凹部在纵向上相对应。
[0028]但是不限于此，上电极和下电极的筒壁半径也存在不相等的实施情况，由此使一方电极的外突部与另一方电极的内凹部相对纵向错开一定角度相对应，这种情况下，上下
电极的筒壁半径之差不宜过大，例如不大于相对应的外突部与内凹部的顶点距离。
[0029]作为一优选例，所述上下电极的外突部与内凹部一一对应，由此在上电极和下电极的筒壁电离端之间形成蜿蜒的电离空隙。但在一种变形例中，上下电极的外突部与内凹部不一一对应，例如两个外突部对应内凹部。
[0030]作为一实施例，所述外突部和所述内凹部均为弧形，且所述外突部的曲率大于所述内凹部的曲率。作为进一步限定的示例，所述外突部和所述内凹部连续交替，由此在上电极和下电极的筒壁电离端之间形成波纹形电离空隙。
[0031]但是作为优选实施例，在各筒壁结构展开平面上，所述内凹部构成半圆弧，所述外突部构成夹在相邻内凹部之间且从内凹部连续纵向延伸的倒U形竖突，该倒U形竖突由从内凹部纵向延伸的方形部和从方形部连续形成的半圆端。
[0032]作为进一步优选的示例，所述上下电极用作电离的筒口端构成相同结构，且一方电极上外突部的半圆端中心与另一方电极上内凹部的半圆弧中心位置重合。更进一步优选在各筒壁结构展开平面上，所述内凹部的圆弧直径是所述外突部的宽度的5.5倍。
[0033]作为另一进一步优选的示例，所述上下电极用作电离的筒口端构成相同结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子发生器，其特征在于，包括上电极和下电极，所述上电极和下电极均为圆筒结构，且半径相等，所述上电极和下电极以同轴状间隔一定空间相对配置，所述上电极和下电极的彼此相对的筒口端均在筒口周向上交替形成沿筒壁突出的外突部和沿筒壁凹入的内凹部，且一方电极的外突部与另一方电极的内凹部在数量和位置上一一对应。2.如权利要求1所述的离子发生器，其中，在所述上电极和下电极的各圆筒结构的展开平面上，所述内凹部构成半圆弧，所述外突部构成夹在相邻内凹部之间且自内凹部连续纵向延伸的倒U形竖突，该倒U形竖突由自内凹部纵向延伸的方形部和自该方形部连续形成的半圆端构成。3.如权利要求2所述的离子发生器，其中，所述上电极和下电极的彼此相对的筒口端构成相同结构，且该筒口端之间各处的最小距离宽度相等。4.如权利要求3所述的离子发生器，其中，所述最小距离宽度为26mm。5.如权利要求4所述的离子发生器，其中，所述倒U形竖突的方形部的纵向长度为12mm。6.如权利要求1～5任一项所述的离子发生器，其中，还包括半球状的等电位体，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德东，李宁，刘儒发，李振文，刘刚，谢仁物，
申请(专利权)人：北京科艺巢科技文化发展有限公司，
类型：新型
国别省市：