大致上，本发明专利技术涉及一种具有滤波层电致吸收调变激光器，滤波层设置于电致吸收调变激光器的主动区和电致吸收调变激光器的基板之间以吸收一部分未调变光能量，且较佳地未调变光能量由横向电场基板模式造成。滤波层较佳地包含一种材料，所述材料的能带间隙小于预定频道波长的能带间隙以吸收未调变激光。波长的能带间隙以吸收未调变激光。波长的能带间隙以吸收未调变激光。
【技术实现步骤摘要】
modulated lasers，EML)的例子。
[0010]图3呈现与本专利技术的态样一致的脊状波导(ridge
‑
waveguide，RWG)电致吸收调变激光器的例子。
[0011]图4A呈现与本专利技术的态样一致的隐埋式异质结构(buried heterostructure，BH)电致吸收调变激光器的例子。
[0012]图4B呈现与本专利技术的态样一致的隐埋式异质结构电致吸收调变激光器的另例子。
[0013]图5呈现与本专利技术的态样一致的多频道光收发器的例子。
[0014]图6针对多个电致吸收调变激光器激光配置呈现消光比(extinction ratio，ER)下降相对于调变电压实例的图。
[0015]图7针对多个电致吸收调变激光器激光配置呈现出示电流/功率数值相对于调变电压实例的图。
[0016]图8呈现与本专利技术一致的无滤波层的电致吸收调变激光器的调变器的模态剖面(mode profile)图。
[0017]图9呈现与本专利技术一致的有滤波层的电致吸收调变激光器的调变器的模态剖面图。
[0018]图10为针对与本专利技术一致的有滤波层的电致吸收调变激光器相对于无滤波层的电致吸收调变激光器呈现近场强度相对于垂直位置的图。
[0019]图11呈现未调变功率相对在调变器部中传播距离图。
[0020]【附图标记说明】
[0021]100：光子集成电路
[0022]102,202,302,402：分布式反馈部
[0023]104,204,304,404：电致吸收调变部
[0024]106,206,306,406：基板
[0025]108,208,308,408：滤波层
[0026]109,209,309,409：隔离部
[0027]110：中间层
[0028]112：主动区
[0029]114,142,214,242,314,414：多重量子井
[0030]116,118：金属接触
[0031]121：激光
[0032]122：高反射层
[0033]124：抗反射层
[0034]200：电致吸收调变激光器
[0035]210,310,317,410：间隔层
[0036]211,238,311,411：光栅层
[0037]212
‑
1,312
‑
1,412
‑
1：第一限位层
[0038]212
‑
2,312
‑
2,412
‑
2：第二限位层
[0039]216,218：接触部
[0040]216
‑
1,218
‑
1,316
‑
1,416
‑
1：顶包覆层
[0041]216
‑
2,218
‑
2,316
‑
2,416
‑
2：接触层
[0042]300：脊状波导激光器
[0043]317
‑
1：第一介电层
[0044]317
‑
2：第二介电层
[0045]330
‑
1：第一隔离层
[0046]330
‑
2：第二隔离层
[0047]400A,400B：隐埋式异质结构电致吸收调变激光器
[0048]430
‑
1：第一阻挡结构
[0049]430
‑
2：第二阻挡结构
[0050]500：光收发器系统
[0051]502：壳体
[0052]504：光发射次组件
[0053]506：光接收次组件
[0054]508
‑
1：第一光学耦合端口
[0055]508
‑
2：第二光学耦合端口
[0056]512：传输连接电路
[0057]517：导电路径
[0058]520
‑
1,520
‑
2,520
‑
3,520
‑
4：激光配置
[0059]524：解多工器
[0060]525：多工装置
[0061]526：频道波长
[0062]528：光二极管阵列
[0063]530：跨阻抗放大器
[0064]532：接收连接电路
[0065]533：外部传输光纤
[0066]534：外部接收光纤
[0067]I：激光偏压电流
[0068]H1～H3：整体高度
[0069]L1～L12：整体长度
[0070]OD1：第一偏移距离
[0071]OD2：整体偏移距离
[0072]RX_D1～RX_D4：电数据讯号
[0073]T1：厚度
[0074]TX_D1～TX_D4：驱动讯号
[0075]V：电压
[0076]W1～W4：整体宽度
具体实施方式
[0077]一种形成电致吸收调变激光的方法包括使用对接再生技术，藉此分布式反馈
(distributed feedback，DFB)部和电致吸收调变(electro
‑
absorption modulator，EAM)部个别形成并通过对接互相耦接。除了分布式反馈部和电致吸收调变部之间的错位之外，此可能在对接接口造成调变器波导(也称为波导核心)的弯曲尾端(bending tail)。针对特别是经由基板模式的电致吸收调变激光器的效能可能接着被下降，其中发光通过基板模式藉由基板层传播。在基板模式中，光可能接着被散射或泄漏。从电致吸收调变激光器发出的散射光未被调变且能导致消光比(extinction ratio，ER)下降及转移曲线倾斜度(steepness)。电致吸收调变激光器的消光比在电致吸收调变激光器能达到最大结果频宽中为重要的因子。举例来说，图6呈现消光比下降相对于施加于电致吸收调变激光器的分布式反馈部的电压调变(Vmod)实例图，其中大多数消光比下降通过基板模式损失而被引进。图7呈现在与图6所示的电压调变(Vmod)数值的相同范围的相对功率(毫瓦)的实例图。
[0078]存在改善电致吸收调变激光器的消光比的需要以允许持续缩放及达成超过例如100Gbps的结果频宽。
[0079]因此，本专利技术大致上涉及一种具有滤波层的电致吸收调变激光器，滤波层设置于电致吸收调变激光器的主动区和电致吸收调变激光器的基板之间以吸收一部分未调变光能量，且较佳地吸收由横向电场(transverse electric，TE)基板模式造成的未调变光能量。滤波层在本文中也可被称作吸收滤波层。虽然其他频道波长在本专利技术的范围内，电致吸收调变激光器配置为发射例如1260nm至1650本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电致吸收调变激光器，发射一预定频道波长，其特征在于，该电致吸收调变激光器包含：一基板；一分布式反馈部，由设置于该基板上的第一多层提供；一电致吸收调变部，由设置于该基板上的第二多层提供；一主动区，由该分布式反馈部及该电致吸收调变部提供；以及一滤波层，设置于该基板及该主动区之间，该滤波层包含一材料，该材料的一能带间隙小于该预定频道波长的一能带间隙。2.如权利要求1所述的电致吸收调变激光器，其特征在于，该预定频道波长为在1260nm至1650nm的一范围中。3.如权利要求2所述的电致吸收调变激光器，其特征在于，该滤波层包含砷化铟镓。4.如权利要求3所述的电致吸收调变激光器，其特征在于，形成该滤波层的该材料系从砷化铟镓、磷砷化镓铟、锑砷化镓铟及砷化镓铟铝所组成的一群组中选择。5.如权利要求1所述的电致吸收调变激光器，其特征在于，该滤波层具有在200埃至2000埃的一范围中的一整体厚度。6.如权利要求1所述的电致吸收调变激光器，其特征在于，该滤波层直接设置于该基板上。7.如权利要求1所述的电致吸收调变激光器，其特征在于，该主动层包括一多重量子井，且其中该滤波层系设置在从该多重量子井提供的一波导核心相距一第一偏移距离处。8.如权利要求7所述的电致吸收调变激光器，其特征在于，该第一偏移距离为在1.5微米至3微米的一范围中。9.如权利要求7所述的电致吸收调变激光器，其特征在于，更包含一间隔层...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐大鹏，黄瑾，张焕林，
申请(专利权)人：美商祥茂光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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