CMOS图像传感器及其形成方法技术

一种CMOS图像传感器及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成光电二极管的第一光电掺杂区，所述第一光电掺杂区内具有第一离子；在所述衬底表面形成介质层；向所述衬底表面注入第二离子，形成光电二极管的钉扎层，所述第二离子的导电类型与第一离子的导电类型相反，所述钉扎层与所述第一光电掺杂区相接触，且位于所述第一光电掺杂区上方；在所述介质层和所述钉扎层表面中的一者或两者内掺入钝化离子，形成钝化层，所述钝化层位于所述介质层内、或者位于所述介质层与所述钉扎层的界面处、或者位于所述介质层内至所述介质层与所述钉扎层的界面处。所述钝化层可降低等离子体诱发损伤产生暗电流的情况，提高图像传感器的性能。器的性能。器的性能。

【技术实现步骤摘要】
CMOS图像传感器及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种CMOS图像传感器及其形成方法。

技术介绍

[0002]图像传感器是将光信号转换为电信号的装置，在数字电视、可视通信市场中有着广泛的应用。目前应用广泛的主要是CCD(Charge
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Coupled Device，电荷耦合器件)与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物场效应管)这两种。其中，CMOS是目前最引人注目，且被认为是最有发展潜力的。
[0003]对于半导体器件来说，暗电流(Dark Current)是图像传感器工艺面临的难题之一。对于半导体器件来说，只要其温度不是绝对零度，器件内部的电子
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空穴对就将处于产生、迁移和湮灭的动态平衡中，温度越高，电子
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空穴对产生和迁移的速率就越快，暗电流就越大。通常认为，暗电流是在没有入射光时光电二极管所产生的电子，暗电流越大，对图像传感器的性能影响就越大。在半导体的制造过程中，会用到很多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底内形成光电二极管的第一光电掺杂区，所述第一光电掺杂区内具有第一离子；在所述衬底表面形成介质层；向所述衬底表面注入第二离子，形成光电二极管的钉扎层，所述第二离子的导电类型与第一离子的导电类型相反，所述钉扎层与所述第一光电掺杂区相接触，且位于所述第一光电掺杂区上方；在所述介质层和所述钉扎层表面中的一者或两者内掺入钝化离子，形成钝化层，所述钝化层位于所述介质层内、或者位于所述介质层与所述钉扎层的界面处、或者位于所述介质层内至所述介质层与所述钉扎层的界面处。2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器形成方法，其特征在于，形成所述介质层后，形成所述光电二极管的钉扎层之前还包括：在所述介质层上形成分立的传输栅极层和复位栅极层；在所述传输栅极层侧壁和所述复位栅极层侧壁形成侧墙。3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器形成方法，其特征在于，所述钉扎层的形成方法还包括：在所述衬底上形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出所述第一光电掺杂区上方的介质层；以所述第一掩膜层为掩膜，向所述衬底表面注入第二离子，形成所述钉扎层。4.如权利要求3所述的CMOS图像传感器形成方法，其特征在于，所述掺入钝化离子的方法包括：以所述第一掩膜层为掩膜，在所述介质层和所述钉扎层表面中的一者或两者内掺入氮离子。5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器形成方法，其特征在于，所述掺入钝化离子的方法还包括：通过离子注入，向所述介质层和所述钉扎层表面中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，付文，郑展，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：