无闩锁高压器件制造技术

技术编号:36652322 阅读:40 留言:0更新日期:2023-02-18 13:15
本发明专利技术公开了一种无闩锁负载开关装置,包括由形成在衬底上方的隔离环围绕的第一漏极/源极区和第二漏极/源极区,隔离环被配置为浮动的,并且第一二极管连接于衬底与隔离环之间,其中第一二极管为肖特基二极管。通过上述方式,能够避免闩锁。能够避免闩锁。能够避免闩锁。

【技术实现步骤摘要】
无闩锁高压器件
[0001]优先权主张和交叉引用
[0002]本申请主张2021年8月4日提交的标题为“无闩锁高压器件”的美国临时申请号17/393,875的权益,该申请由此以引用的方式并入到本文。


[0003]本专利技术涉及负载开关
,特别是涉及包括一对背靠背连接的晶体管的无闩锁负载开关。

技术介绍

[0004]随着半导体技术的进一步发展,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件已广泛应用于集成电路中。MOSFET是电压控制器件。当控制电压加在MOSFET的栅极上,并且控制电压大于MOSFET的阈值时,MOSFET的漏极和源极之间就建立了导电沟道。建立导电通道后,电流在MOSFET的漏极和源极之间流动。另一方面,当施加到栅极的控制电压小于MOSFET的阈值时,MOSFET相应地关闭。
[0005]负载开关用于建立第一电子装置(例如,负载)与第二电子装置(例如,电源)之间的连接,或用于断开第一电子装置与第二电子装置之间的连接。负载开关可由外部控制信号控制。在操作中,当负载开关关闭时,负载开关能够阻止电流双向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无闩锁负载开关装置,其特征在于,包括:第一漏极/源极区和第二漏极/源极区,所述第一漏极/源极区和所述第二漏极/源极区被形成在衬底上方的隔离环围绕,所述隔离环被配置为浮动的;和第一二极管,所述第一二极管连接在所述衬底与所述隔离环之间,其中,所述第一二极管为肖特基二极管。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:第三漏极/源极区,所述第三漏极/源极区被所述隔离环围绕;第一栅极,所述第一栅极形成于所述第一漏极/源极区和所述第二漏极/源极区之间;第二栅极,所述第二栅极形成于所述第二漏极/源极区与所述第三漏极/源极区之间;其中,所述第一漏极/源极区、所述第二漏极/源极区、所述第三漏极/源极区、所述第一栅极和所述第二栅极形成两个背靠背连接的晶体管,所述第一漏极/源极区为背靠背连接的两个晶体管的第一漏极,所述第二漏极/源极区为背靠背连接的两个晶体管的公共源极,所述第三漏极/源极区是背靠背连接的两个晶体管的第二漏极。3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:第二二极管以及与所述第二二极管并联的电阻器,所述第二二极管连接在衬底与地之间;其中,所述第二二极管为肖特基二极管。4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述第二二极管的阳极连接于所述衬底,所述第二二极管的阴极接地。5.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述电阻器是寄生元件,所述电阻器的寄生电阻值由所述衬底的布局决定。6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一二极管的阳极与所述衬底连接,所述第一二极管的阴极与所述隔离环连接。7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:位于具有第一导电类型的衬底上方,且具有所述第一导电类型的外延层;具有第二导电类型的埋层、具有所述第二导电类型的多个第一区域和具有所述第二导电类型的多个第二区域,其中所述埋层、所述多个第一区域和所述多个第二区域形成隔离环;在所述埋层上方和所述隔离环内形成的具有所述第一导电类型的深阱;在所述深阱中具有所述第二导电类型的第一漂移层,其中,所述第一漏极/源极区在所述第一漂移层中形成;在所述深阱中具有所述第二导电类型的第二漂移层,其中,第三漏极/源极区在所述第二漂移层中形成;在所述深阱中,且在所述第一漂移层和所述第二漂移层之间形成的具有所述第一导电类型的体区,其中,所述第二漏极/源极区在所述体区中形成。8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第一导电类型为P型,所述第二导电类型为N型。9.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括:第三二极管,所述第三二极管形成于所述衬底与所述埋层之间,所述第三二极管的阳
极连接所述衬底,第三二极管的阴极连接所述埋层;第四二极管,所述第四二极管形成于所述埋层与所述深阱之间,所述第四二极管的阳极连接所述深阱,所述第四二极管的阴极连接所述埋层;第五二极管,所述第五二极管形成于所述体区与所述第一漂移层之间,所述第五二极管的阳极连接所述体区,所述第五二极管的阴极连接所述第一漂移层;第六二极管,所述第六二极管形成于所述体区与所述第二漂移层之间,所述第六二极管的阳极连接所述体区,所述第六二极管的阴极连接所述第二漂移层。10.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵利杰郭仲贤赖苏明方召
申请(专利权)人:希荻微电子国际有限公司
类型:发明
国别省市:

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