一种带过流短路保护的MOSFET驱动电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种带过流短路保护的MOSFET驱动电路，包括处理器、MOSFET、第一比较器、第二比较器、二极管及若干电阻，第一比较器的第一输入端连接第一电压参考点，第二输入端通过第一电阻与处理器的第一连接端连接，第一比较器的输出端与MOSFET的栅极连接；MOSFET的栅极与第一比较器的输出端之间并联第二电阻；MOSFET的漏极与第三电阻连接；第二比较器的第一输入端连接第二电压参考点，第二比较器的第二输入端通过第四电阻与MOSFET的漏极连接，第二比较器的输出端与处理器的第二连接端连接；处理器的第二连接端连接有第五电阻；二极管的正极与处理器的第一连接端连接，负极与处理器的第二连接端连接。通过比较器实现MOSFET的开关控制且带过流和短路保护。关控制且带过流和短路保护。关控制且带过流和短路保护。

【技术实现步骤摘要】
一种带过流短路保护的MOSFET驱动电路


[0001]本技术涉及一种驱动电路，具体地说，是涉及一种带过流短路保护的MOSFET驱动电路。

技术介绍

[0002]目前，电机驱动器或锂电池管理系统中普遍采用霍尔传感器或分流器采集电流。通过霍尔效应或者分流器电阻分压通过微处理器计算出电流。电机驱动器货锂电池管理系统中普遍带MOSFET，额外增加霍尔传感器及分流器成本高。一般MOSFET驱动需要专门驱动芯片来控制，专门驱动芯片成本较高且无法实现短路过流保护。

技术实现思路

[0003]为了解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种带过流短路保护的MOSFET驱动电路，通过比较器实现MOSFET的开关控制并且带过流和短路保护。
[0004]基于上述目的，本技术提供一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路，该电路包括处理器、MOSFET、第一比较器、第二比较器、二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻及第五电阻，其中：
[0005]所述第一比较器的第一输入端连接第一电压参考点，第一比较器的第二输入端通过第一电阻与处理器的第一连接端连接，所述第一比较器的输出端与MOSFET的栅极连接；
[0006]所述MOSFET的栅极与第一比较器的输出端之间还并联有作为上拉电阻的第二电阻，该第二电阻与第一电源连接；所述MOSFET的漏极与作为采样电阻的第三电阻连接；
[0007]所述第二比较器的第一输入端连接第二电压参考点，第二比较器的第二输入端通过第四电阻与MOSFET的漏极连接，所述第二比较器的输出端与处理器的第二连接端连接；
[0008]所述处理器的第二连接端与第五电阻的一端并联，该第五电阻的另一端与第二电源连接；
[0009]所述二极管的正极与处理器的第一连接端连接，二极管的负极与处理器的第二连接端连接。
[0010]作为优选，所述第一电源的电压值为+12V。
[0011]作为优选，所述第一电压参考点及第二电压参考点的电压值均为+1V。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果为：
[0013]本技术通过添加比较器实现MOSFET的开关控制并且带过流和短路保护，可有效降低MOSFET的控制成本。
附图说明
[0014]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的限定。
[0015]图1是本技术实施例带过流保护的MOSFET驱动电路的电路图。
[0016]其中，1、处理器；2、第一比较器；3、第二比较器。
具体实施方式
[0017]下面结合附图与实施例对本技术作进一步说明。
[0018]应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本实施例使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0019]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0020]本实施例提供一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路，如图1所示，该电路包括处理器1、MOSFET Q1、第一比较器2、第二比较器3、二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4及第五电阻R5，其中：
[0021]所述第一比较器2的第一输入端连接第一电压参考点Vref1，第一比较器2的第二输入端通过第一电阻与处理器1的第一连接端连接，所述第一比较器2的输出端与MOSFET Q1的栅极连接；
[0022]所述MOSFET Q1的栅极与第一比较器2的输出端之间还并联有作为上拉电阻的第二电阻R2，该第二电阻R2与第一电源连接+VCC；所述MOSFET Q1的漏极与作为采样电阻的第三电阻R3连接；
[0023]所述第二比较器3的第一输入端连接第二电压参考点Vref2，第二比较器3的第二输入端通过第四电阻R4与MOSFET Q1的漏极连接，所述第二比较器3的输出端与处理器1的第二连接端连接；
[0024]所述处理器1的第二连接端与第五电阻R5的一端并联，该第五电阻R5的另一端与第二电源+VDD连接；
[0025]所述二极管D1的正极与处理器1的第一连接端连接，二极管D1的负极与处理器1的第二连接端连接；
[0026]所述处理器1用于产生PWM控制信号，该PWM信号通过第一电阻R1传输至第一比较器2第二输入端，当PWM控制信号电压高于第一比较器2第一输入端的电压，第一比较器2通过第二电阻R2输出第一电源+VCC的电压以打开MOSFET Q1，当PWM控制信号电压低第一比较器2的第一输入端的电压时，第一比较器2输出低电平以关闭MOSFET Q1；在MOSFET Q1打开时，第三电阻R3会产生一个电压信号，第三电阻R3端电压信号进过该电压信号经由第四电阻R4进入第二比较器3，与第二比较器3的第一输入端的电压比较，当所述电压信号的值小于第二比较器3的第一输入端的电压时，第二比较器3通过第五电阻R5输出高电平信号至处理器1的第二连接端；当所述电压信号的电压值大于第二比较器3的第一输入端的电压值时，第二比较器3输出低电平至处理器1，此时二极管D1导通，处理器1的PWM信号值被二极管D1拉低，从而关闭MOSFET，实现对MOSFET的过流短路保护；
[0027]同时，当处理器1检测到第五电阻R5的低电平信号，可关闭PWM信号，以实现MOSFET Q1的完全关闭状态。
[0028]作为一种较优的实施方式，所述第一电源+VCC的电压值为+12V。
[0029]作为一种较优的实施方式，所述第一电压参考点Vref1及第二电压参考点Vref2的电压值均为+1V。
[0030]本技术通过添加比较器实现MOSFET的开关控制并且带过流和短路保护，可有效降低MOSFET的控制成本。
[0031]尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本技术的原理和宗旨的情况下在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带过流短路保护的MOSFET驱动电路，其特征在于，包括处理器、MOSFET、第一比较器、第二比较器、二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻及第五电阻，其中：所述第一比较器的第一输入端连接第一电压参考点，第一比较器的第二输入端通过第一电阻与处理器的第一连接端连接，所述第一比较器的输出端与MOSFET的栅极连接；所述MOSFET的栅极与第一比较器的输出端之间还并联有作为上拉电阻的第二电阻，该第二电阻与第一电源连接；所述MOSFET的漏极与作为采样电阻的第三电阻连接；所述第二比较器的第一输入端连接第二电压参考...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明辉，张喜平，黄伟洋，
申请(专利权)人：浙江中力机械股份有限公司，
类型：新型
国别省市：