显示设备、包括其的电子装置以及制造显示设备的方法制造方法及图纸

技术编号:36616203 阅读:12 留言:0更新日期:2023-02-15 00:22
公开了显示设备、包括其的电子装置以及制造显示设备的方法。该显示设备包括第一显示区域、包含透射区域的第二显示区域以及在第一显示区域和第二显示区域外部的外围区域。显示设备包括:基底;第一像素电路,在基底上且在第一显示区域中;以及有机绝缘层,在第一像素电路上且覆盖第一显示区域和第二显示区域。第二显示区域中的有机绝缘层的厚度小于第一显示区域中的有机绝缘层的厚度。域中的有机绝缘层的厚度。域中的有机绝缘层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
显示设备、包括其的电子装置以及制造显示设备的方法
[0001]本申请要求于2021年8月2日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10

2021

0101529号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。


[0002]一个或更多个实施例涉及显示设备、包括该显示设备的电子装置以及制造该显示设备的方法。

技术介绍

[0003]显示设备可视地显示数据。近来,显示设备已经被用于各种目的。随着显示设备的厚度和重量已经减小,显示设备的应用范围已经增大。
[0004]为了增大被显示区域占据的面积且将各种功能添加到显示区域,已经对具有用于在显示区域内部添加除了图像显示之外的各种功能的区域的显示设备进行了研究。
[0005]在各种显示设备之中的有机发光显示设备具有宽视角、优异的对比度和快速响应的优点,因此有机发光设备的应用范围已经增大。

技术实现思路

[0006]在现有技术中,在制造显示设备的工艺期间,诸如在显示设备中包括的有机层中产生的气体的杂质会渗透到发光器件(例如,有机发光二极管)中,从而使发光器件劣化。
[0007]本公开的一个或更多个实施例的方面涉及显示设备、包括该显示设备的电子装置以及制造该显示设备的方法,显示设备可以通过使发光器件的劣化最小化或减少发光器件的劣化来使显示质量劣化最小化或减少显示质量劣化。然而,实施例是示例,并且不限制公开的范围。
[0008]附加的方面将在下面的描述中部分地阐明,并且部分地将通过描述而明显,或者可以通过给出的实施例的实践来获知。
[0009]根据一个或更多个实施例,包括第一显示区域、包含透射区域的第二显示区域以及在第一显示区域和第二显示区域外部的外围区域的显示设备包括:基底;第一像素电路,在基底上且在第一显示区域中;以及有机绝缘层,在第一像素电路上且覆盖第一显示区域和第二显示区域。第二显示区域中的有机绝缘层的厚度小于第一显示区域中的有机绝缘层的厚度。
[0010]有机绝缘层可以包括第一有机层和在第一有机层上的第二有机层。第二显示区域中的第二有机层的厚度小于第一显示区域中的第二有机层的厚度。
[0011]有机绝缘层还可以包括在第二有机层上的第三有机层。第二显示区域中的第三有机层的厚度小于第一显示区域中的第三有机层的厚度。
[0012]显示设备还可以包括:第一像素电极,在第一显示区域中、在有机绝缘层上且电连接到第一像素电路;以及第二像素电极,在第二显示区域中且在有机绝缘层上。第一显示区域中的第一有机层上的接触金属与第一像素电极之间的距离大于第二显示区域中的第一
有机层上的连接布线与第二像素电极之间的距离。
[0013]显示设备还可以包括:第一像素电极,在第一显示区域中、在有机绝缘层上且电连接到第一像素电路;以及第二像素电极,在第二显示区域中且在有机绝缘层上。在平面中,第二像素电极的面积大于第一像素电极的面积。
[0014]显示设备还可以包括在第一像素电极和第二像素电极上的像素限定膜,像素限定膜包括第一开口和第二开口,第一像素电极的一部分和第二像素电极的一部分分别通过第一开口和第二开口被暴露。在平面中,第二开口的面积大于第一开口的面积。
[0015]像素限定膜可以包括阻光材料。
[0016]基底与第二像素电极之间的距离可以小于基底与第一像素电极之间的距离。
[0017]显示设备还可以包括在基底上、在外围区域中且电连接到第二像素电极的第二像素电路。
[0018]显示设备还可以包括在第一显示区域与第二显示区域之间的中间区域,并且还可以包括在基底上、在中间区域中且电连接到第二像素电极的第二像素电路。
[0019]第一像素电路可以包括:第一薄膜晶体管,包括第一半导体层和与第一半导体层至少部分地叠置的第一栅电极;以及第二薄膜晶体管,包括包含与第一半导体层的材料不同的材料的第二半导体层和与第二半导体层至少部分地叠置的第二栅电极。
[0020]第一薄膜晶体管的第一半导体层可以包括硅半导体材料。第二薄膜晶体管的第二半导体层可以包括氧化物半导体材料。
[0021]根据一个或更多个实施例,电子装置包括:显示设备,包括第一显示区域、包含透射区域的第二显示区域以及在第一显示区域和第二显示区域外部的外围区域;以及电子组件,与第二显示区域对应。显示设备包括:基底;第一像素电路,在基底上且在第一显示区域中;以及有机绝缘层,在第一像素电路上且覆盖第一显示区域和第二显示区域。第二显示区域中的有机绝缘层的厚度小于第一显示区域中的有机绝缘层的厚度。
[0022]显示设备的有机绝缘层可以包括第一有机层和在第一有机层上的第二有机层。第二显示区域中的第二有机层的厚度小于第一显示区域中的第二有机层的厚度。
[0023]显示设备的有机绝缘层还可以包括在第二有机层上的第三有机层。第二显示区域中的第三有机层的厚度小于第一显示区域中的第三有机层的厚度。
[0024]显示设备还可以包括:第一像素电极,在第一显示区域中、在有机绝缘层上且电连接到第一像素电路;以及第二像素电极,在第二显示区域中且在有机绝缘层上。在平面中,第二像素电极的面积大于第一像素电极的面积。
[0025]显示设备还可以包括在第一像素电极和第二像素电极上的像素限定膜,像素限定膜包括第一开口和第二开口,第一像素电极的一部分和第二像素电极的一部分分别通过第一开口和第二开口被暴露。在平面中,第二开口的面积大于第一开口的面积。
[0026]基底与第二像素电极之间的距离可以小于基底与第一像素电极之间的距离。
[0027]根据一个或更多个实施例,制造显示设备的方法包括以下步骤:准备包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域的基底;在基底的第一区域中形成第一像素电路;在第一像素电路上形成覆盖基底的第一区域和第二区域的有机绝缘层;以及在有机绝缘层上且在第一区域中形成第一像素电极,并且在有机绝缘层上且在第二区域中形成第二像素电极。形成有机绝缘层的步骤包括使用半色调掩模形成有机绝缘层,使得第二区域中的有机绝缘
层的厚度小于第一区域中的有机绝缘层的厚度。
[0028]形成有机绝缘层的步骤可以包括:形成第一有机层;以及使用半色调掩模在第一有机层上形成第二有机层,使得第二区域中的第二有机层的厚度小于第一区域中的第二有机层的厚度。
[0029]形成有机绝缘层的步骤还可以包括使用半色调掩模在第二有机层上形成第三有机层,使得第二区域中的第三有机层的厚度小于第一区域中的第三有机层的厚度。
[0030]在平面中,第二像素电极的面积可以大于第一像素电极的面积。
[0031]该方法还可以包括在第一像素电极和第二像素电极上形成像素限定膜,像素限定膜包括第一开口和第二开口,第一像素电极的一部分和第二像素电极的一部分分别通过第一开口和第二开口被暴露。在平面中,第二开口的面积大于第一开口的面积。
[0032]通过详细描述、权利要求和附图,公本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备,所述显示设备包括第一显示区域、包含透射区域的第二显示区域以及位于所述第一显示区域和所述第二显示区域外部的外围区域,所述显示设备包括:基底;第一像素电路,位于所述基底上且位于所述第一显示区域中;以及有机绝缘层,位于所述第一像素电路上且覆盖所述第一显示区域和所述第二显示区域,其中,所述第二显示区域中的所述有机绝缘层的厚度小于所述第一显示区域中的所述有机绝缘层的厚度。2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述有机绝缘层包括第一有机层和位于所述第一有机层上的第二有机层,并且其中,所述第二显示区域中的所述第二有机层的厚度小于所述第一显示区域中的所述第二有机层的厚度。3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述有机绝缘层还包括位于所述第二有机层上的第三有机层,并且其中,所述第二显示区域中的所述第三有机层的厚度小于所述第一显示区域中的所述第三有机层的厚度。4.根据权利要求2所述的显示设备,所述显示设备还包括:第一像素电极,位于所述第一显示区域中、位于所述有机绝缘层上且电连接到所述第一像素电路;以及第二像素电极,位于所述第二显示区域中且位于所述有机绝缘层上,其中,所述第一显示区域中的所述第一有机层上的接触金属与所述第一像素电极之间的距离大于所述第二显示区域中的所述第一有机层上的连接布线与所述第二像素电极之间的距离。5.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:第一像素电极,位于所述第一显示区域中、位于所述有机绝缘层上且电连接到所述第一像素电路;以及第二像素电极,位于所述第二显示区域中且位于所述有机绝缘层上,其中,在平面中,所述第二像素电极的面积大于所述第一像素电极的面积。6.根据权利要求5所述的显示设备,所述显示设备还包括位于所述第一像素电极和所述第二像素电极上的像素限定膜,所述像素限定膜包括第一开口和第二开口,所述第一像素电极的一部分和所述第二像素电极的一部分分别通过所述第一开口和所述第二开口被暴露,其中,在平面中,所述第二开口的面积大于所述第一开口的面积。7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述像素限定膜包括阻光材料。8.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述基底与所述第二像素电极之间的距离小于所述基底与所述第一像素电极之间的距离。9.根据权利要求5所述的显示设备,所述显示设备还包括位于所述基底上、位于所述外围区域中且电连接到所述第二像素电极的第二像素电路。10.根据权利要求5所述的显示设备,所述显示设备还包括位于所述第一显示区域与所
述第二显示区域之间的中间区域,所述显示设备还包括位于所述基底上、位于所述中间区域中且电连接到所述第二像素电极的第二像素电路。11.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一像素电路包括:第一薄膜晶体管,包括第一半导体层和与所述第一半导体层至少部分地叠置的第一栅电极;以及第二薄膜晶体管,包括包含与所述第一半导体层的材料不同的材料的第二半导体层和与所述第二半导体层至少部分地叠置的第二栅电极。12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述第一薄膜晶体管的所述第一半导体层包括硅半导体材料,并且其中,所述第二薄膜晶体管的所述第二半导体层包括氧化物半导体材料。13.一种电子装置,所述电子装置包括:显示设备,包括第一显示区域、包含透射区域的第二显示区域以及位于所述第一显示区域和所述第二显...

【专利技术属性】
技术研发人员:李元世张东玄全裕珍
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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