发光器件和发光器件的制造方法以及显示设备技术

提供了一种发光器件、发光器件的制造方法和包括该发光器件的显示设备。所述发光器件包括：发光器件芯，包括第一半导体层、布置在第一半导体层上的第二半导体层和布置在第一半导体层与第二半导体层之间的活性层；电极层，布置在发光器件芯的第二半导体层上；以及绝缘膜，围绕发光器件芯的侧面，其中，电极层的侧面比第二半导体层的侧面向外突出。比第二半导体层的侧面向外突出。比第二半导体层的侧面向外突出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件和发光器件的制造方法以及显示设备


[0001]公开涉及发光器件、发光器件的制造方法和显示设备。

技术介绍

[0002]随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经稳步增加。响应于此，已经使用了诸如有机发光显示器(organic light emitting display，OLED)、液晶显示器(LCD)等的各种类型的显示装置。
[0003]显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件(例如，发光二极管(LED))，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。

技术实现思路

[0004]技术问题
[0005]公开的方面提供了一种发光器件，其中，通过设置绝缘膜以围绕多个半导体层和活性层使得多个半导体层和活性层不暴露来改善该发光器件的可靠性。
[0006]公开的方面也提供了一种发光器件，其中，通过形成第一半导体层使得第一半导体层的最大直径小于或者等于活性层的最小直径来减小该发光器件的重量。
[0007]公开的方面也提供了一种用于发光器件的制造方法。
[0008]公开的方面也提供了一种包括发光器件的显示设备。
[0009]应注意的是，公开的方面不限于此，并且根据以下的描述，这里未提及的其它方面对于本领域普通技术人员将是清楚的。
[0010]技术方案
[0011]根据公开的实施例，一种发光器件包括：发光器件芯，包括第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层和设置在第一半导体层与第二半导体层之间的活性层；电极层，设置在发光器件芯的第二半导体层上；以及绝缘膜，围绕发光器件芯的侧表面，其中，电极层的侧表面从第二半导体层的侧表面向外突出。
[0012]电极层的朝向第二半导体层的一个表面可以包括与第二半导体层叠置的第一区域和不与第二半导体层叠置的第二区域，并且绝缘膜可以设置在第二区域上。
[0013]绝缘膜可以使电极层的侧表面的至少一部分暴露。
[0014]绝缘膜可以不设置在电极层的侧表面上。
[0015]在电极层的一个表面上的绝缘膜的外表面的直径可以与电极层的一个表面的直径相同。
[0016]第二区域可以设置为围绕第一区域。
[0017]第一区域的面积可以比第二区域的面积大。
[0018]绝缘膜的外表面可以在与第二区域相邻的区域中与电极层的侧表面对齐。
[0019]第二半导体层的最小直径可以比第一半导体层的最大直径大。
[0020]第二半导体层的直径可以从电极层朝向活性层减小。
[0021]活性层的直径可以从第二半导体层朝向第一半导体层减小。
[0022]第一半导体层的最大直径可以小于或者等于活性层的最小直径。
[0023]设置在第二区域上的绝缘膜的第一厚度可以不同于设置在电极层的侧表面上的绝缘膜的第二厚度。
[0024]第一厚度可以比第二厚度大。
[0025]绝缘膜可以具有在20nm至100nm的范围内的厚度，并且电极层的侧表面在绝缘膜的厚度方向上从第二半导体层突出的突出长度可以在约20nm至约120nm的范围内。
[0026]根据公开的实施例，一种用于发光器件的制造方法，所述方法包括：在基底上形成发光器件芯和电极层，电极层设置在发光器件芯上；以及形成围绕发光器件芯的侧表面的绝缘膜，其中，发光器件芯和电极层的形成包括使电极层的侧表面从发光器件芯的侧表面向外突出。
[0027]发光器件芯可以包括：第一半导体层，设置在基底上；第二半导体层，设置在第一半导体层与电极层之间；以及活性层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间，电极层的朝向第二半导体层的一个表面可以包括与第二半导体层叠置的第一区域和不与第二半导体层叠置的第二区域，并且绝缘膜可以设置在第二区域上。
[0028]绝缘膜可以使电极层的侧表面的至少一部分暴露。
[0029]绝缘膜的形成可以包括：形成覆盖发光器件芯和电极层的外表面的绝缘涂层；以及通过去除绝缘涂层的一部分来使电极层的与电极层的一个表面相对的另一表面和电极层的侧表面的至少一部分暴露。
[0030]第二半导体层的最小直径可以比第一半导体层的最大直径大。
[0031]第二半导体层的直径可以从电极层朝向活性层减小，并且活性层的直径可以从第二半导体层朝向第一半导体层减小。
[0032]根据公开的实施例，一种显示设备包括：基底；第一电极，设置在基底上；第二电极，设置在基底上，并且与第一电极间隔开；以及发光器件，设置在第一电极与第二电极之间，并且电连接到第一电极和第二电极，其中，发光器件包括：发光器件芯，包括第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层和设置在第一半导体层与第二半导体层之间的活性层；电极层，设置在发光器件芯的第二半导体层上；以及绝缘膜，围绕发光器件芯的侧表面，并且电极层的侧表面从第二半导体层的侧表面向外突出。
[0033]电极层的朝向第二半导体层的一个表面可以包括与第二半导体层叠置的第一区域和不与第二半导体层叠置的第二区域，并且绝缘膜可以设置在第二区域上。
[0034]绝缘膜可以使电极层的侧表面的至少一部分暴露。
[0035]显示设备还可以包括：第一接触电极，设置在发光器件的一端和第一电极上；以及第二接触电极，设置在发光器件的另一端和第二电极上，其中，第一接触电极和第二接触电极彼此电绝缘。
[0036]第一接触电极可以设置在电极层的与电极层的一个表面相对的另一表面和电极层的侧表面的一部分上。
[0037]第二区域可以包括不与绝缘膜叠置的第三区域，并且第一接触电极还设置在第三
区域上。
[0038]其它实施例的细节包括在详细描述和附图中。
[0039]有益效果
[0040]利用根据实施例的发光器件，电极层的侧表面形成为从第二半导体层的侧表面向外突出，因此，发光器件可以具有其中电极层包括从第二半导体层突出的末梢部分(tip portion)的底切形状(under
‑
cut shape)。因此，由于底切形状，在形成绝缘膜的工艺中，设置在电极层的末梢部分下方的绝缘涂层(insulating coating)可以被电极层保护，并且可以因此不被去除。因此，围绕发光器件芯的绝缘膜可以形成为完全围绕发光器件芯的侧表面，而不暴露发光器件芯的侧表面。可以通过防止由于发光器件芯的侧表面的部分区域的暴露而可能发生的对发光器件的损坏来改善显示设备的可靠性。
[0041]此外，在根据实施例的发光器件中，活性层可以具有其中其下表面的直径比其上表面的直径小的截锥形状(truncated cone shape)。因此，根据实施例的发光器件的第一半导体层的直径可以比包括具有相同体积并具有圆柱形状的活性层的发光器件的第一半导体层的直径本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光器件，所述发光器件包括：发光器件芯，包括第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的第二半导体层和设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层；电极层，设置在所述发光器件芯的所述第二半导体层上；以及绝缘膜，围绕所述发光器件芯的侧表面，其中，所述电极层的侧表面从所述第二半导体层的侧表面向外突出。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电极层的朝向所述第二半导体层的一个表面包括与所述第二半导体层叠置的第一区域和不与所述第二半导体层叠置的第二区域，并且所述绝缘膜设置在所述第二区域上。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述绝缘膜使所述电极层的所述侧表面的至少一部分暴露。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述绝缘膜不设置在所述电极层的所述侧表面上。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，在所述电极层的所述一个表面上的所述绝缘膜的外表面的直径与所述电极层的所述一个表面的直径相同。6.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第二区域设置为围绕所述第一区域。7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第一区域的面积比所述第二区域的面积大。8.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述绝缘膜的外表面在与所述第二区域相邻的区域中与所述电极层的所述侧表面对齐。9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二半导体层的最小直径比所述第一半导体层的最大直径大。10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述第二半导体层的直径从所述电极层朝向所述活性层减小。11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述活性层的直径从所述第二半导体层朝向所述第一半导体层减小。12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述第一半导体层的最大直径小于或者等于所述活性层的最小直径。13.根据权利要求3所述的发光器件，其中，设置在所述第二区域上的所述绝缘膜的第一厚度不同于设置在所述电极层的所述侧表面上的所述绝缘膜的第二厚度。14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述第一厚度比所述第二厚度大。15.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述绝缘膜具有在20nm至100nm的范围内的厚度，并且所述电极层的所述侧表面在所述绝缘膜的厚度方向上从所述第二半导体层突出的突出长度在20nm至120nm的范围内。16.一种用于发光器件的制造方法，所述方法包括：在基底上形成发光器件芯和电极层，所述电极层设置在所述发光器件芯上；以及形成围绕所述发光器件芯的侧表面的绝缘膜，
其中，所述发光器件芯和所述电极层的形成包括：使所述电极层的侧表面从所述发光器件芯的所述侧表面向外突出。17.根据权利要求16所述的用于发光器件的制造方法，其中，所述发光器件芯包括：第一半导体层，设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：车炯来，金东旭，金世咏，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：