本公开提供一种显示装置，包括：基底；多个晶体管，设置在所述基底上；第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极，第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极中的每一个连接到晶体管中的对应的一个晶体管；第一发射层，设置为与所述第一像素电极重叠，第二发射层，设置为与所述第二像素电极重叠，以及第三发射层，设置为与所述第三像素电极重叠；以及公共电极，设置在所述第一发射层、所述第二发射层以及所述第三发射层上，其中，所述第一像素电极包括第一层和设置在所述第一层上的第二层，并且第二层包括Ga掺杂ITO。且第二层包括Ga掺杂ITO。且第二层包括Ga掺杂ITO。
【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年7月26日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
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0097737号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
[0003]本公开总体上涉及一种显示装置和显示装置的制造方法，并且更具体地，涉及一种用于改变发光装置的阳极的厚度的显示装置和显示装置的制造方法。
技术介绍
[0004]一般而言，发光装置(LED)是一种用于电激发荧光有机化合物并发射光的自发光显示器，并且它作为用于解决作为液晶装置的问题被指出的缺陷的下一代显示器正受到关注并且允许低电压驱动性能，变得更薄，并且提供宽视角和快速响应。
[0005]发光装置具有其中在阳极和阴极之间插入功能性薄膜状的发射层的结构，并且是在阳极处注入空穴且在阴极处注入电子的元件，电子和空穴在发射层结合形成激子，并且激子重新结合以发射光。
[0006]当制造发光装置时，在电连接到TFT电路的源极或漏极的阳极的底部处形成反射膜，以增加光的提取。然而，因为反射膜、阳极和阴极之间的微腔效应，不显示具有准确光谱的颜色，波长可能被分割，或者亮度和色坐标可能根据颜色而改变。
[0007]为了弥补微腔导致的缺陷，在阳极和阴极之间的有机层上形成缓冲层，以调节阳极和阴极之间的距离或改变电极的厚度，从而形成合适的腔结构，并且在这种情况下，为了形成用于R、G和B的不同厚度的缓冲层，必须添加沉积掩模，并且增加了有机材料的损失。r/>[0008]本背景部分中公开的上述信息仅用于增强对本公开的背景的理解，并且因此可能包含不构成本领域普通技术人员所已知的现有技术的信息。
技术实现思路
[0009]本公开已经致力于提供一种通过不同地形成发光装置的阳极的厚度来改善显示质量的显示装置和显示装置的制造方法。
[0010]本公开的实施例提供一种显示装置，包括：基底；多个晶体管，设置在所述基底上；第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极中的每一个连接到所述晶体管中的对应的一个晶体管；第一发射层，设置为与所述第一像素电极重叠，第二发射层，设置为与所述第二像素电极重叠，以及第三发射层，设置为与所述第三像素电极重叠；以及公共电极，设置在所述第一发射层、所述第二发射层以及所述第三发射层上，其中，所述第一像素电极包括第一层和设置在所述第一层上的第二层，并且所述第二层包括Ga掺杂ITO。
[0011]所述第二层的Ga的含量可以为1at％至10at％。
[0012]所述第二层的厚度可以为至
[0013]所述第二层可以是非晶的。
[0014]所述第一像素电极的所述第一层、所述第二像素电极和所述第三像素电极可以包括相同的材料。
[0015]包括所述第一层和所述第二层的所述第一像素电极的厚度可以大于所述第二像素电极和所述第三像素电极的厚度，并且所述第一像素电极的所述第一层、所述第二像素电极和所述第三像素电极可以具有相同的厚度。
[0016]所述第一层可以是ITO/Ag/ITO的层的顺序堆叠。
[0017]所述第一层的所述ITO的上侧可以是结晶的。
[0018]所述第二像素电极可以包括第一层和设置在所述第一层上的第二层，并且第二层包括Ga掺杂ITO。
[0019]所述第二像素电极的所述第二层中的Ga的含量可以为1at％至10at％。
[0020]所述第二像素电极的所述第二层的厚度可以为至
[0021]所述第三像素电极可以包括第一层和设置在所述第一层上的第二层，并且所述第二层包括Ga掺杂ITO。
[0022]所述第三像素电极的所述第二层中的Ga的含量可以为1at％至10at％。
[0023]所述第三像素电极的所述第二层的厚度可以为至
[0024]所述第一发射层可以发射绿光，所述第二发射层可以发射蓝光，并且所述第三发射层可以发射红光。
[0025]根据本公开的另一个实施例提供了一种用于制造显示装置的方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一导电层并且对所述第一导电层进行图案化以形成第一像素电极的第一层、第二像素电极和第三像素电极；热处理所述图案化的第一导电层以使所述第一导电层结晶；在所述第一导电层上形成第二导电层；以及图案化所述第二导电层以形成设置在所述第一像素电极的所述第一层上的第二层，其中，所述第二导电层包括Ga掺杂ITO。
[0026]所述第一像素电极的所述第二层的Ga的含量可以为1at％至10at％。
[0027]所述第一像素电极的所述第二层的厚度可以为至
[0028]所述第二导电层可以是非晶的。
[0029]所述第一导电层可以是ITO/Ag/ITO的层的顺序堆叠。
[0030]根据实施例，提供了用于改善显示质量的显示装置和显示装置的制造方法。
附图说明
[0031]图1以发光装置为主示出根据本实施例的显示装置。
[0032]图2示出其中当蚀刻ITO时，其表面结晶并且蚀刻残留物残留的图像。
[0033]图3示出当蚀刻Ga掺杂ITO时的表面。
[0034]图4示出根据本实施例的显示装置中的第一像素电极和第二像素电极的构成。
[0035]图5示出根据本实施例在沉积Ga掺杂ITO之后根据热处理的结晶分析。
[0036]图6示出根据Ga掺杂ITO的成膜温度检查结晶度。
[0037]图7示出根据本实施例的详细的显示装置。
[0038]图8、图9、图10、图11、图12和图13示出用于各种实施例的与图1相同的截面。
[0039]图14、图15、图16、图17和图18示出根据本实施例的用于形成像素电极的工艺的工艺截面图。
具体实施方式
[0040]下文将参照附图更全面地描述本公开，其中示出了本公开的示例性实施例。如本领域技术人员将意识到的，在所有这些均不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同方式修改所描述的实施例。
[0041]将省略与描述无关的部分以清楚地描述本公开，并且在整个说明书中相同的元件将由相同的附图标记表示。
[0042]为了更好地理解和易于描述，附图中示出的每个构成的尺寸和厚度被任意示出，但是本公开不限于此。在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。为了便于说明，夸大了一些层和区的厚度。
[0043]将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件上时，所述元件可以直接“在”所述另一元件“上”，或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。词语“上”或“上方”是指位于物体部分上或下方，并不一定意味着基于重力方向位于物体部分的上侧。
[0044]除非有相反的明确说明，否则词语“包含”和诸如“包含有”或“包括”的变体将被理解为暗示包含所述元件，但是不排除任何其他本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：基底；多个晶体管，设置在所述基底上；第一像素电极、第二像素电极以及第三像素电极，所述第一像素电极、所述第二像素电极以及所述第三像素电极中的每一个连接到所述晶体管中的对应的一个晶体管；第一发射层，设置为与所述第一像素电极重叠，第二发射层，设置为与所述第二像素电极重叠，以及第三发射层，设置为与所述第三像素电极重叠；以及公共电极，设置在所述第一发射层、所述第二发射层以及所述第三发射层上，其中，所述第一像素电极包括第一层和设置在所述第一层上的第二层，并且所述第二层包括Ga掺杂ITO。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二层的Ga的含量为1at％至10at％。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二层的厚度为至4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二层是非晶的。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素电极的所述第一层、所述第二像素电极和所述第三像素电极包括相同的材料。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，包括所述第一层和所述第二层的所述第一像素电极的厚度大于所述第二像素电极和所述第三像素电极的厚度，并且所述第一像素电极的所述第一层、所述第二像...
【专利技术属性】
技术研发人员：申铉亿，李周炫，权圣周，成炫阿，李东敏，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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