一种双振膜扬声器和电子设备制造技术

本申请实施例提供一种双振膜扬声器和电子设备。扬声器包括：环形外壳；磁路系统，沿轴向将环形外壳分为第一和第二腔室；第一振膜，设于环形外壳第一端，与第一腔室形成第一前腔，与第一部件形成第一后腔；第一音圈，设于第一前腔内，一端与第一振膜连接另一端伸入第一磁间隙；第二振膜，设于环形外壳第二端，与第二腔室形成第二后腔，与第二部件形成第二前腔，第二后腔与第一前腔不连通；第二音圈，设于第二后腔内，一端与第二振膜连接另一端伸入第二磁间隙；第一前腔通过第一通道与第二前腔连通，第一通道位于磁路系统和环形外壳的至少一者内。本申请实施例的双振膜扬声器体积较小，且能够提升中低频灵敏度。且能够提升中低频灵敏度。且能够提升中低频灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
一种双振膜扬声器和电子设备


[0001]本申请涉及电声领域，尤其涉及一种双振膜扬声器和电子设备。

技术介绍

[0002]入耳式耳机具有密闭隔音好、音质好、不会漏音等优点，但佩戴起来可能会有胀痛感，最重要的是会有听诊器效应(即耳塞线或者单元处受外界碰撞或者空气摩擦，产生的机械波通过耳塞线直接传递到耳道内，产生让人很不愉快的噪声，入耳的线一般硬度较大，有利于传导振动)。而半入耳式耳机因为半开放式架构，无听诊器效应且佩戴舒适，受到大部分消费者喜爱。但是，由于其泄露架构，导致中低频声波(包括目标信号中的中低频信号，和/或降噪信号中的中低频信号)泄露较大，使得半入耳式耳机的中低频性能欠佳。例如，播放音乐时的中低频效果不好，或者，主动降噪(active noise canceling，ANC)功能对于中低频噪声的降噪效果差。
[0003]目前，解决此问题的办法是提高扬声器的中低频灵敏度(扬声器灵敏度是指在扬声器输入端加上额定功率为1W的电信号、距离扬声器轴方向1m处所产生的声压级。它体现了电能转换为声能的效率，灵敏度越高，扬声器越容易被功放驱动)。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双振膜扬声器，其特征在于，包括：环形外壳(1)；磁路系统(2)，设置在所述环形外壳(1)内并沿所述环形外壳(1)的中心轴线方向将所述环形外壳(1)内的空间划分为第一腔室(Q1)和第二腔室(Q2)，所述磁路系统(2)包括围绕所述中心轴线间隔设置的第一磁间隙(C1)和第二磁间隙(C2)；第一振膜(3)，设置在所述环形外壳(1)的第一端，以与所述第一腔室(Q1)形成第一前腔(F1)，并用于在所述第一振膜(3)的远离所述磁路系统(2)的侧面与第一部件形成第一后腔(B1)；第一音圈(4)，设置在所述第一前腔(F1)内，所述第一音圈(4)的一端与所述第一振膜(3)连接且另一端伸入所述第一磁间隙(C1)；第二振膜(5)，设置在所述环形外壳(1)的第二端，以与所述第二腔室(Q2)形成第二后腔(B2)，并用于在所述第二振膜(5)的远离所述磁路系统(2)的侧面与第二部件形成第二前腔(F2)，且所述第二后腔(B2)与所述第一前腔(F1)不连通；第二音圈(6)，设置在所述第二后腔(B2)内，所述第二音圈(6)的一端与所述第二振膜(5)连接且另一端伸入所述第二磁间隙(C2)；所述第一前腔(F1)通过至少一个第一通道(P1)与所述第二前腔(F2)连通，所述第一通道(P1)位于所述磁路系统(2)和所述环形外壳(1)的至少一者内；所述第二后腔(B2)封闭；或，所述第二后腔(B2)通过至少一个第二通道(P2)与所述第一后腔(B1)或大气连通。2.根据权利要求1所述的双振膜扬声器，其特征在于，所述磁路系统(2)的外周壁与所述环形外壳(1)的内壁密封连接，所述第二振膜(5)的外周边缘与所述磁路系统(2)密封连接，所述第一通道(P1)包括设置在环形外壳(1)的内壁和/或所述磁路系统(2)的外周壁上的第一开槽(N1)，其中：所述第一振膜(3)与所述环形外壳(1)的第一端的整个端面密封连接，所述第一开槽(N1)从所述第一前腔(F1)延伸至所述环形外壳(1)的第二端的端面处；或，所述第一振膜(3)与所述磁路系统(2)密封连接，所述磁路系统(2)上设置有连通前腔(F1)的第一缺口(E1)，所述第一通道(P1)还包括第一缺口(E1)，所述第一开槽(N1)从所述第一缺口(E1)延伸至所述环形外壳(1)的第二端的端面处。3.根据权利要求2所述的双振膜扬声器，其特征在于，所述第二后腔(B2)通过第二通道(P2)与所述第一后腔(B1)或大气连通，所述磁路系统(2)上设置有连通所述第二后腔(B2)的第二缺口(E2)，其中：所述第二通道(P2)包括第二端口(K2)、所述第二缺口(E2)和设置在环形外壳(1)的内壁和/或所述磁路系统(2)的外周壁上的至第二开槽(N2)，所述第二端口(K2)设置在所述环形外壳(1)的外周壁上，所述第二开槽(N2)从所述第二缺口(E2)延伸至所述第二端口(K2)；或，所述第一振膜(3)与所述磁路系统(2)密封连接，所述第二通道(P2)包括所述第二缺口(E2)和设置在环形外壳(1)的内壁和/或所述磁路系统(2)的外周壁上的第二开槽(N2)，所述第二开槽(N2)从所述第二缺口(E2)延伸至所述环形外壳(1)第一端的端面处。4.根据权利要求1所述的双振膜扬声器，其特征在于，所述环形外壳(1)的第一端的内
壁上设置有第一环形凸台(L1)，所述第一振膜(3)与所述第一环形凸台(L1)密封连接，所述磁路系统(2)连接于所述第一环形凸台(L1)的远离所述第一振膜(3)的侧面，所述磁路系统(2)的外周壁与所述环形外壳(1)的内壁密封连接，所述第二振膜(5)的外周边缘与所述磁路系统(2)密封连接；所述第一环形凸台(L1)和所述磁路系统(2)中的至少一者上设置有连通所述第一前腔(F1)的第一缺口(E1)，所述第一通道(P1)包括所述第一缺口(E1)和设置在环形外壳(1)的内壁和/或所述磁路系统(2)的外周壁上的第一开槽(N1)，所述第一开槽(N1)从所述第一缺口(E1)延伸至所述环形外壳(1)的第二端的端面。5.根据权利要求4所述的双振膜扬声器，其特征在于，所述第二后腔(B2)通过第二通道(P2)与所述第一后腔(B1)或大气连通，所述磁路系统(2)上设置有连通所述第二后腔(B2)的第二缺口(E2)，其中：所述第二通道(P2)包括第二端口(K2)、所述第二缺口(E2)和设置在环形外壳(1)的内壁和/或所述磁路系统(2)的外周壁上的第二开槽(N2)，所述第二端口(K2)设置在所述环形外壳(1)的外周壁上，所述第二开槽(N2)从所述第二缺口(E2)延伸至所述第二端口(K2)；或，所述第二通道(P2)包括所述第二缺口(E2)和设置在环形外壳(1)的内壁和/或所述磁路系统(2)的外周壁上的第二开槽(N2)，所述第二开槽(N2)从所述第二缺口(E2)延伸至所述环形外壳(1)第一端的端面处并贯穿所述第一环形凸台(L1)。6.根据权利要求1所述的双振膜扬声器，其特征在于，所述环形外壳(1)的第二端的内壁上设置有第二环形凸台(L2)，所述第二振膜(5)与所述第二环形凸台(L2)密封连接，所述磁路系统(2)连接于所述第二环形凸台(L2)的远离所述第二振膜(5)的侧面，所述第一通道(P1)包括设置在环形外壳(1)的内壁和/或所述磁路系统(2)的外周壁上的第一开槽(N1)，其中：所述第一振膜(3)与所述环形外壳(1)的第一端的整个端面密封连接，所述第一开槽(N1)从所述第一前腔(F1)延伸至所述环形外壳(1)的第二端的端面并贯穿所述第二环形凸台(L2)；或，所述第一振膜(3)与所述磁路系统(2)密封连接，所述磁路系统(2)上设置有连通前腔(F1)的第一缺口(E1)，所述第一通道(P1)还包括第一缺口(E1)，所述第一开槽(N1)从所述第一缺口(E1)延伸至所述环形外壳(1)的第二端的端面处。7.根据权利要求6所述的双振膜扬声器，其特征在于，所述第二后腔(B2)通过第二通道(P2)与所述第一后腔(B1)或大气连通，所述第二环形凸台(L2)和所述磁路系统(2)中的至少一者上设置有与所述第二后腔(B2)连通的第二缺口(E2)，其中：所述第二通道(P2)包括第二端口(K2)、所述第二缺口(E2)和设置在环形外壳(1)的内壁和/或所述磁路系统(2)的外周壁上的第二开槽(N2)，所述第二端口(K2)设置在所述环形外壳(1)的外周壁上，所述第二开槽(N2)从所述第二缺口(E2)延伸至所述第二端口(K2)；或，所述第一振膜(3)与所述磁路系统(2)密封连接，所述第二通道(P2)包括所述第二缺口(E2)和设置在环形外壳(1)的内壁和/或所述磁路系统(2)的外周壁上的第二开槽(N2)，所述第二开槽(N2)从所述第二缺口(E2)延伸至所述环形外壳(1)第一端的端面处。8.根据权利要求1所述的双振膜扬声器，其特征在于，所述环形外壳(1)的第一端的内
壁上设置有第一环形凸台(L1)，所述环形外壳(1)的第二端的内壁上设置有第二环形凸台(L2)，所述磁路系统(2)连接于所述第一环形凸台(L1)和所述第二环形凸台(L2)之间，所述磁路系统(2)的外周壁与所述环形外壳(1)的内壁密封连接，所述第一振膜(3)的外周边缘与所述第一环形凸台(L1)密封连接；所述第二振膜(5)的外周边缘与所述第二环形凸台(L2)密封连接；所述第一环形凸台(L1)和所述磁路系统(2)中的至少一者上设置有连通所述第一前腔(F1)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张毫毫，陶玲，郭明光，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：