一种应用于激光雷达的单片集成二维DFB阵列芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用于激光雷达的单片集成二维DFB阵列芯片，涉及边发射激光器技术领域，包括衬底以及若干排列设置于衬底上方的DFB单元，各DFB单元包括缓冲层以及至少两个纵向堆叠于缓冲层上方的发光层，相邻两发光层之间设有分离过渡层，位于最上层的发光层上方设有金属接触层；各DFB单元的两侧壁均设有侧面光栅，并设有掩埋层；衬底下方设有背面电极，各DFB单元的金属接触层上方均设有正面电极。本实用新型专利技术所提供的单片集成二维DFB阵列芯片可实现单个边发射激光器芯片的二维点阵光输出，应用于激光雷达系统时可免去光源扫描部件，有助于降低雷达系统的复杂度、操作难度和生产成本。和生产成本。和生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于激光雷达的单片集成二维DFB阵列芯片


[0001]本技术涉及边发射激光器
，特别涉及一种应用于激光雷达的单片集成二维DFB阵列芯片。

技术介绍

[0002]应用于无人驾驶汽车领域的激光雷达，以其探测精度高、范围广和速度快的三维感知能力得到了广泛的关注。激光雷达同时还可以应用于无人机、机器人等领域，随着人工智能技术的日趋成熟，相关领域对激光雷达传感应用的需求越来越大。激光雷达的光源选择需综合考虑功率密度和光源扫描方式等因素，现有激光雷达的光源主要包括三种方案：1、基于GaAs衬底的边发射激光器方案；2、基于GaAs衬底的VCSEL方案；3、光纤激光器方案。
[0003]上述3种方案中，方案1所采用的边发射激光器的功率密度可满足要求，但是由于边发射激光器属于点光源，因此需配合光源的扫描部件，这增加了雷达系统的复杂度、操作难度和生产成本。方案2所采用的VCSEL是面光源，可免去扫描部件，但是由于VCSEL的功率密度较低，因此无法满足激光雷达的远距离探测需求；方案3所采用的光纤激光器的功率密度可满足远距离探测的需求，但是光纤激光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于激光雷达的单片集成二维DFB阵列芯片，其特征在于：包括衬底以及若干排列设置于衬底上方的DFB单元，各所述DFB单元包括缓冲层以及至少两个纵向堆叠于缓冲层上方的发光层，相邻两所述发光层之间设有分离过渡层，位于最上层的发光层上方设有金属接触层；各所述DFB单元的两侧壁均设有侧面光栅，并设有掩埋层；所述衬底下方设有背面电极，各所述DFB单元的金属接触层上方均设有正面电极。2.如权利要求1所述的一种应用于激光雷达的单片集成二维DFB阵列芯片，其特征在于：所述发光层自下而上包括下限制层、有源层MQW和上限制层；所述分离过渡层自下而上包括隧穿缓冲层、隧穿层和分离层。3.如权利要求1所述的一种应用于激光雷达的单片集成二维DFB阵列芯片，其特征在于：各所述发光层的激射波长均为1550nm。4.如权利要求2所述的一种应用于激光雷达的单片集成二维DFB阵列芯片，其特征在于：所述隧穿缓冲层的厚度为1
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5μm，所述隧穿层的厚度为20
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200nm，所述分离层的厚度为15
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60μm。5.如权利要求1所述的一种应用于激光雷达的单片集成二维DFB阵列芯片，其特征在于：各所述DFB单元之间的距离大于10μm；同一DFB单元中各发光层之间的距离也大于10μm。6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：鄢静舟，季晓明，缪笛，吕英豪，柯程，薛婷，杨奕，吴建忠，
申请(专利权)人：福建慧芯激光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：