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一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法技术

技术编号:36567270 阅读:47 留言:0更新日期:2023-02-04 17:23
本发明专利技术公开一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法,属于发光材料技术领域。具体以2,5

【技术实现步骤摘要】
一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法


[0001]本专利技术属于发光材料
,具体涉及一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diodes,LED)目前广泛应用于消费电子产品中,由于其比传统液晶显示器具有更高的电流发光效率、更好的对比度和更大的色彩空间,被认为是照明和显示领域的革命性创新。现如今,基于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)作为新一代的平板显示技术,OLED显示器具有主动发光(发光效率和发光亮度高)、响应速度较快、驱动电压低等优点。但是其稳定性不佳、色彩饱和度不够高又限制了照明和显示领域的进一步发展。随着近年来这一领域的快速发展,基于量子点制备的发光二极管(Quantum Light

Emitting Diodes,QLED)引起了世界各国研究人员的广泛关注,QLED具有高颜色饱和度、发射颜色可调、高亮度和简单的溶液加工能力等独特优点,在显示和照明领域得到了广泛的应用,与OLED对比,色彩饱和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法,其特征在于,以2,5

二羟基对苯二甲酸为第一前驱体,以苯二胺为第二前驱体,制备得到蓝色碳量子点荧光粉末B

CQDs,然后以B

CQDs为客体材料,以聚(9

乙烯咔唑)为主体材料,以邻二氯苯为溶剂,配制得到发光层混合溶液,将其作为发光层原料,通过溶剂热法制备得到基于碳量子点的发光二极管。2.根据权利要求1所述的一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:1)将2,5

二羟基苯二甲酸、苯二胺和溶剂混合,超声处理后加热反应,冷却至室温后洗脱、分离提纯、旋蒸、真空抽样,得到蓝色碳量子点荧光粉末B

CQDs;2)以B

CQDs为客体材料,以聚(9

乙烯咔唑)为主体材料,以邻二氯苯为溶剂,配制得到发光层混合溶液;3)清洗ITO基底表面,然后用无水乙醇和去离子水分别超声洗涤,烘干,然后进行臭氧处理,置于氮气环境中备用;4)将PEDOT:PSS溶液旋涂到处理后的ITO基底表面成膜,在120

150℃下退火30min,形成PEDOT:PSS薄膜;5)将步骤2)配制的发光层混合溶液旋涂到PEDOT:PSS薄膜上,在100

150℃下退火30min,在充满氮气的真空环境下,采用热沉积法制备电子传输层、电子注入层和铝电极,制备成基于碳量子点的发光二极管。3.根据权利要求2所述的基于碳量子点的发光二极管的制备方法,其特征在于,步骤1)中,所述2,5

二羟基苯二甲酸、苯二胺和溶剂的用量比为(0.01

0.2)g:(0.01

【专利技术属性】
技术研发人员:简经鑫黄鹏佟庆笑
申请(专利权)人:汕头大学
类型:发明
国别省市:

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