【技术实现步骤摘要】
量子点修饰制备环境稳定的全无机钙钛矿太阳能电池方法
[0001]本专利技术属于钙钛矿太阳能电池
,尤其涉及一种量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法。
技术介绍
[0002]目前,有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池(OIHPSC)拥有极高的光电转化效率,受到新能源领域的广泛的关注,然而构筑OIHPSC的核心组分—有机阳离子配体是极易挥发的,导致这类电池的环境稳定性较差,极大地阻碍了它们的实际应用。全无机钙钛矿太阳能电池(CsPbI2Br
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PSC)不含挥发性有机物,拥有优异的光学特性和结构稳定性,是制备太阳能电池吸光层的理想材料。但是这类材料容易被水汽侵蚀以及均较高的缺陷态密度,导致其光电转换效率和在环境中的运行稳定性依然难以满足商业化光伏行业的需求,因此提高全无机钙钛矿电池的效率和耐水性能是非常重要的。
[0003]通过上述分析,现有技术存在的问题及缺陷为:现有的装置在实际的使用过程中全无机钙钛矿太阳能电池CsPbI2Br
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PSC效率低,不耐水侵蚀。
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于,所述量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法以金属颗粒膜作为阴极,W掺杂的Nb2O5颗粒膜作为电子传输层,量子点修饰的CsPbI2Br膜作为太阳能电池的吸光层,Cu掺杂的NiO颗粒膜作为空穴传输层,集成了导电涂层的高透光率支撑体材料作为正极和基底,制备叠层太阳能电池。2.如权利要求1所述的量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于,所述全无机钙钛矿太阳能电池方法具体为:步骤一:CsPbB3量子点分散体系的配制;步骤二:全无机钙钛矿光吸收层—CsPbI2前驱体的配置;步骤三:衬底的裁剪和清洗;步骤四:在衬底上沉积Cu掺杂的NiO空穴传输层;步骤五:在制备的经沉积了空穴传输层的衬底表面先后旋涂一层CsPbI2Br前驱体和一层CsPbB3量子点分散液;步骤六:在制备了吸收层的衬底表面沉积W掺杂的Nb2O5电子传输层,所述电子传输层和空穴传输层的厚度在20
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100nm;步骤七:在制备好电子传输层的衬底表面沉积一层金属膜作为阴极;步骤八:在步骤七已经制备好了阴极的裁切为尺寸和形状合适的器件,并最终一次性退火,增加各功能层之间的连接,保证电子在它们之间的自由传输,退火后的样品即为全无机钙钛矿太阳能电池。3.如权利要求2所述的量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于,所述步骤一和步骤二中量子点分散体系和全无机钙钛矿吸光层前驱体溶液的制备在无氧环境中进行。4.如权利要求2所述的量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于,所述步骤四中在旋涂过程中,衬底始终保持40
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160℃;旋涂结束后,将衬底转移至加热台退火后制备量子点修饰的全无机钙钛矿吸收层。5.如权利要求2所述的量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能...
【专利技术属性】
技术研发人员:李严波,刘栋梁,
申请(专利权)人:电子科技大学长三角研究院湖州,
类型:发明
国别省市:
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