显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种显示面板，包括有源层、第一扫描线及可变信号线。第一扫描线沿第一方向延伸，且第一扫描线与有源层中相对设置的第一沟道部和第二沟道部重叠。可变信号线包括相互连接的走线部和重叠部，重叠部位于走线部靠近第一电连接部的一侧，且重叠部与有源层中的连接于第一沟道部和第二沟道部之间的第一电连接部至少部分重叠，以形成耦合电容，从而在显示面板采用低频驱动时，利用可变信号线传输的可变信号及耦合电容实现改善低频闪烁问题的方案。方案。方案。

【技术实现步骤摘要】
显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种显示面板。

技术介绍

[0002]在现有的显示面板中，常采用LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)背板和LTPS(Low Temperature Poly
‑
silicon低温多晶硅)背板，但LTPS背板中晶体管的漏电流较大，会引起流经发光器件的驱动电流的变化，导致显示面板在低频驱动时出现闪烁问题；而LTPO背板的结构和制备工艺又较复杂，制备成本也较高。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种显示面板，可以实现改善显示面板低频驱动闪烁问题的方案。
[0004]本专利技术实施例提供一种显示面板，包括有源层、第一扫描线以及可变信号线。有源层包括相对设置的第一沟道部和第二沟道部，以及连接于第一沟道部和第二沟道部之间的第一电连接部；第一扫描线沿第一方向延伸，且与第一沟道部和第二沟道部重叠；可变信号线包括相互连接的走线部和重叠部，重叠部位于走线部靠近第一电连接部的一侧，且重叠部与第一电连接部至少部分重叠。
[0005]本专利技术提供一种显示面板，包括有源层、第一扫描线及可变信号线。第一扫描线沿第一方向延伸，且第一扫描线与有源层中相对设置的第一沟道部和第二沟道部重叠。可变信号线包括相互连接的走线部和重叠部，重叠部位于走线部靠近第一电连接部的一侧，且重叠部与有源层中的连接于第一沟道部和第二沟道部之间的第一电连接部至少部分重叠，以形成耦合电容，从而在显示面板采用低频驱动时，利用可变信号线传输的可变信号及耦合电容实现改善低频闪烁问题的方案。
附图说明
[0006]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0007]图1A是可变信号线与有源层重叠的结构示意图；
[0008]图1B是图1A中沿p
‑
p
’
剖切的剖视图；
[0009]图1C是图1A中沿z
‑
z
’
剖切的剖视图；
[0010]图2A～图2B是本专利技术实施例提供的第一选通驱动电路与子像素的连接示意图；
[0011]图3是本专利技术实施例提供的子像素的结构示意图；
[0012]图4是本专利技术实施例提供的时序图；
[0013]图5是本专利技术实施例提供的显示亮度变化示意图；
[0014]图6是本专利技术实施例提供的子像素的膜层结构示意图；
[0015]图7是本专利技术实施例提供的有源层的结构示意图；
[0016]图8是本专利技术实施例提供的第一导电层的结构示意图；
[0017]图9是本专利技术实施例提供的第二导电层的结构示意图；
[0018]图10是本专利技术实施例提供的第三导电层的结构示意图；
[0019]图11是本专利技术实施例提供的第四导电层的结构示意图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0021]具体地，图1A是可变信号线与有源层重叠的结构示意图，图1B是图1A中沿p
‑
p
’
剖切的剖视图，图1C是图1A中沿z
‑
z
’
剖切的剖视图。本申请提供一种显示面板，包括衬底100、有源层101、第一扫描线SL1及可变信号线EML1。
[0022]衬底100包括刚性衬底和柔性衬底。可选地，衬底100包括玻璃、聚酰亚胺、石英等。可选地，衬底100上还设有缓冲层100a。
[0023]有源层101位于衬底100上。可选地，有源层101包括硅半导体材料或氧化物半导体材料。可选地，硅半导体材料包括单晶硅、多晶硅等；氧化物半导体材料可以包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或者铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等。可选地，有源层101采用低温多晶硅工艺制得。
[0024]有源层101包括相对设置的第一沟道部CP1和第二沟道部CP2，以及连接于第一沟道部CP1和第二沟道部CP2之间的第一电连接部Cn1。
[0025]第一扫描线SL1沿第一方向x延伸，且与第一沟道部CP1和第二沟道部CP2重叠。
[0026]可变信号线EML1包括相互连接的走线部EML11和重叠部EML12，重叠部EML12位于走线部EML11靠近第一电连接部Cn1的一侧，且重叠部EML12与第一电连接部Cn1至少部分重叠，以使重叠部EML12与第一电连接部Cn1形成耦合电容Co的两电极，以利用耦容电容Co及可变信号线EML1传输的可变信号EM1改善低频闪烁问题。
[0027]可选地，在显示面板采用高分辨率设计时，受设计空间的限制，可变信号线EML1与第一电连接部Cn1的重叠面积可以大于0微米*微米且小于或等于100微米*微米。
[0028]可选地，请继续参阅图1A，走线部EML11包括第一子部EML11a、第二子部EML11b和第三子部EML11c，第一子部EML11a和第一电连接部Cn1间隔设置，第二子部EML11b和所述第三子部EML11c分别与第一子部EML11a的两端相接，第二子部EML11b和第三子部EML11c之间的延长线与第一电连接部Cn1重叠。其中，第二子部EML11b距第一电连接部Cn1的第二端的距离，小于第三子部EML11c距第一电连接部Cn1的第二端的距离，重叠部EML12与第一子部EML11a的靠近第二子部EML11b的部分相接，以在所需的耦合电容Co的电容值较小时，仅重
叠部EML12和第一电连接部Cn1重叠。
[0029]可选地，重叠部EML12相对于第二子部EML11b朝向第一扫描线SL1突出，第一扫描线SL1对应重叠部EML12具有凹陷，以使第一扫描线SL1与重叠部EML12之间无交叠。
[0030]可选地，请继续参阅图1B～图1C，可变信号线EML1位于有源层101上或位于有源层101下。可选地，显示面板还包括位于有源层101上的第一导电层102，第一导电层102包括可变信号线EML1。可选地，第一导电层102包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：有源层，包括相对设置的第一沟道部和第二沟道部，以及连接于所述第一沟道部和所述第二沟道部之间的第一电连接部；第一扫描线，沿第一方向延伸，且与所述第一沟道部和所述第二沟道部重叠；以及可变信号线，包括相互连接的走线部和重叠部，所述重叠部位于所述走线部靠近所述第一电连接部的一侧，且所述重叠部与所述第一电连接部至少部分重叠。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括多个子像素，每一所述子像素包括发光器件及像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：驱动晶体管，与所述发光器件串联于第一电源线和第二电源线之间；以及补偿晶体管，包括串联的第一子晶体管和第二子晶体管，所述第一子晶体管的源极和漏极中的一个与所述驱动晶体管的栅极电性连接，所述第一子晶体管的源极和漏极中的另一个电性连接于所述第二子晶体管的源极和漏极中的一个，所述第二子晶体管的源极和漏极中的另一个电性连接于所述驱动晶体管的源极和漏极中的一个，所述第一子晶体管的栅极和所述第二子晶体管的栅极均电性连接于所述第一扫描线；其中，所述有源层还包括所述第一子晶体管的第一子有源图案及所述第二子晶体管的第二子有源图案，所述第一子有源图案包括所述第一沟道部，所述第二子有源图案包括所述第二沟道部。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多条所述可变信号线，位于同一行的多个所述子像素与同一所述可变信号线电性连接。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：一第一选通驱动电路，与多条所述可变信号线电性连接，被配置为将可变信号输出至多条所述可变信号线；其中，在所述驱动晶体管驱动所述发光器件发光的发光阶段内，所述可变信号至少具有一次电平跳变。5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：多个级联的第一选通驱动电路，每一所述第一选通驱动电路与两所述可变信号线电性连接，并被配置为将可变信号输...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘大超，曾勉，孙亮，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：