可靠性及作业性改善型框架结构制造技术

技术编号:36556822 阅读:34 留言:0更新日期:2023-02-04 17:11
本实用新型专利技术公开了一种可靠性及作业性改善型框架结构,包括采用框架原料制成的功能管脚和承载芯片的基岛,在基岛两侧边缘自散热基岛面内凹蚀刻,且基岛两侧最外边缘的蚀刻深度小于其余蚀刻部位的蚀刻深度,基岛两侧边缘形成有高度差的蚀刻区域。优点,本可靠性及作业性改善型框架结构,可以增加塑封料和框架金属的结合面积提升产品可靠性也能改善基岛或管脚边缘进行焊线时焊线不良风险,提升产品的封装作业性,此种改良设计对于框架制作一体形成不增加框架成本,但能有效大增加金属和塑封料结合表面积改善框架和塑封料分层,且增加来边缘金属大厚度,提升了此处进行焊线大作业性。提升了此处进行焊线大作业性。提升了此处进行焊线大作业性。

【技术实现步骤摘要】
可靠性及作业性改善型框架结构


[0001]本技术涉及一种可靠性及作业性改善型框架结构。

技术介绍

[0002]对于框架基岛或管脚很大的产品,基岛或管脚边缘采用半蚀刻设计(蚀刻掉框架厚度一半),用来增加塑封料与框架基岛或管脚的结合面积来防止框架分层;但此种设计有如下弊端:
[0003]1、半蚀刻的宽度不能太大,不然会出现半蚀刻位置塑封料未填充的风险;但也不能太小,对于框架基岛或管脚很大的产品,半蚀刻宽度过小,基岛或管脚与塑封料结合不良。
[0004]2、半蚀刻位置如果需要焊线:因蚀刻深度过大,边缘比较薄弱,在半蚀刻位置焊线,会有焊线不良风险。

技术实现思路

[0005]本技术提出一种可靠性及作业性改善型框架结构,采取的技术方案如下:
[0006]一种可靠性及作业性改善型框架结构,包括采用框架原料制成的功能管脚和承载芯片的基岛,基岛布置在两个功能管脚之间,在基岛两侧边缘自散热基岛面内凹蚀刻,且基岛两侧最外边缘的蚀刻深度小于其余蚀刻部位的蚀刻深度,基岛两侧边缘形成有高度差的蚀刻区域,基岛的正面基岛上通过装片胶连接芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可靠性及作业性改善型框架结构,包括采用框架原料制成的功能管脚(1)和承载芯片的基岛(2),基岛(2)布置在两个功能管脚(1)之间,其特征在于:在基岛(2)两侧边缘自散热基岛面内凹蚀刻,且基岛(2)两侧最外边缘的蚀刻深度小于其余蚀刻部位的蚀刻深度,基岛...

【专利技术属性】
技术研发人员:殷炯田立方王文渊李世平
申请(专利权)人:江苏华创微系统有限公司
类型:新型
国别省市:

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