【技术实现步骤摘要】
铜铬碲合金及其制备方法、应用
[0001]本专利技术涉及一种铜铬碲合金及其制备方法、应用。
技术介绍
[0002]触头材料(contact material)是用于开关、继电器、电气连接及电气接插元件的电接触材料,又称电触头材料,一般分强电用触头材料和弱电用触头材料两种。铜铬合金因具有较好的耐电压强度和良好的开断电流能力,通常可作为触头材料被广泛应用。其制备方法包括真空自耗电弧熔炼法。
[0003]现有真空自耗电弧熔炼工艺制备铜铬自耗电极棒触头材料的工艺流程一般包括:铜粉+铬粉称重—粉末混合—冷等静压—真空烧结—电弧熔炼,其中铜粉和铬粉分别采用电解法和铝热法制备得出,在粉末混合前按照一定的配比对铬粉和铜粉称重并在混料机中混合,随后再冷等静压和真空烧结制备出自耗电极棒。随后将制备完成的电极棒在真空自耗电弧熔炼炉中利用高温电弧作用熔化并滴入结晶器中进行快速冷却,在熔液冷却过程中电磁搅拌力作用使得铬在铜基体上均匀分布,虽均匀分布的显微组织有利于提高触头材料的耐电压和开断能力等性能,但材料抗熔焊性不佳。
[0004]例如:中国专利技术专利申请(公布号CN106350683A)涉及一种利用真空自耗电弧熔炼制备CuCr触头材料的方法,选取合格的Cu粉和Cr粉按照比例进行混合,利用冷等静压压制成棒料,经烧结后进行自耗熔炼成合金铸锭。在高温电弧的作用之下,自耗电极快速均匀的发生层状消熔并滴到水冷结晶器底部,配合结晶器外围快速的冷却速率实现CuCr(25%
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40%)合金铸锭的凝固,故得到均匀细小的C ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种铜铬碲合金的制备方法,其特征在于,其包括如下步骤:原料包括铜源、铬源和碲源,所述铜源中的Cu元素的质量百分比为50
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99%,所述铬源中的Cr元素的质量百分比为1
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50%,所述碲源中的Te元素的质量百分比为0.005
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0.6%但不含0.6%,其中,所述质量百分比是指各元素的质量占所述铜源中的Cu元素和所述铬源中的Cr元素的质量总和的质量百分比;将所述原料经冷等静压压制成型,真空烧结,真空自耗电弧熔炼,即得;其中,所述冷等静压压制成型的步骤中,压力为260
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300Mpa,保压时间为5
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15min;所述真空烧结的步骤在保护气体条件下进行,所述真空烧结的温度为750℃
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1050℃,所述真空烧结的时间为26
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32h;所述真空自耗电弧熔炼的步骤中,熔炼电流为1.5
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5KA,电弧电压为22
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30V。2.如权利要求1所述的铜铬碲合金的制备方法,其特征在于,所述铜源为铜单质;和/或,所述铜源的形态为粉末态;和/或,所述铬源为铬单质;和/或,所述铬源的形态为粉末态;和/或,所述碲源为碲单质或铜碲合金;和/或,所述碲源的形态为粉末态;和/或,所述铜源中的Cu元素的质量百分比为50
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70%,所述质量百分比是指所述铜源中的Cu元素的质量占所述铜源中的Cu元素和所述铬源中的Cr元素的质量总和的质量百分比;和/或,所述铬源中的Cr元素的质量百分比为25
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50%,所述质量百分比是指所述铬源中的Cr元素的质量占所述铜源中的Cu元素和所述铬源中的Cr元素的质量总和的质量百分比;和/或,所述碲源中的Te元素的质量百分比为0.005
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0.1%,所述质量百分比是指所述碲源中的Te元素的质量占所述铜源中的Cu元素和所述铬源中的Cr元素的质量总和的质量百分比;和/或,所述冷等静压压制成型的压力为270
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280MPa;和/或,所述冷等静压压制成型的保压时间为5
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15min;和/或,所述冷等静压压制成型后制得的物料的形状为棒状;和/或,所述冷等静压压制成型的设备包括可收缩钢护套;和/或,所述真空烧结的步骤中,所述保护气体为惰性气体;和/或,所述真空烧结的温度为800℃
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1020℃;和/或,所述真空烧结的时间为28
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30h;和/或,所述真空烧结的步骤中,在升温至所述真空烧结的温度之前,在300℃下将物料保温2h;和/或,所述真空烧结的步骤中,所述保护气体的充入时机为在温度为750
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800℃时充入;和/或,所述真空烧结的步骤中,所述保护气体的压力为8800
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9000Pa;和/或,所述电弧熔炼的熔炼电流为3
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3.7KA;和/或,所述电弧熔炼的电弧电压为24.5
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24.6V。
3.如权利要求2所述的铜铬碲合金的制备方法,其特征在于,所述铜碲合金为铜碲10合金;和/或,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李鹏,王文斌,张石松,王小军,屈晓鹏,刘凯,师晓云,
申请(专利权)人:陕西斯瑞新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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