MicroLED微显示芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro LED微显示芯片及其制作方法。所述Micro LED微显示芯片包括背光单元以及量子点光转换单元；所述量子点光转换单元包含量子点光转换材料以及光吸收材料，且所述光吸收材料的吸光波长与所述背光的波长相匹配；且所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比与所述量子点光转换材料和光吸收材料分别在所述背光的波长下的光吸收值的差值以及比值均相关。本发明专利技术所提供的Micro LED微显示芯片中量子点光转换单元提升了光转换层厚度，有利于激发光和发射光进行更多的散射和折射，使得激发光利用率增加；无需额外再形成滤光层，简化了工艺步骤，降低了成本，有利于Micro LED发光器件和显示单元的广泛应用。LED发光器件和显示单元的广泛应用。LED发光器件和显示单元的广泛应用。

【技术实现步骤摘要】
Micro LED微显示芯片及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体发光
，尤其涉及一种Micro LED微显示芯片及其制作方法。

技术介绍

[0002]Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高、亮度高和自发光等特点，在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
[0003]Micro LED的全彩化一直是显示行业所致力发展的方向，现有技术中，针对其全彩化可实现的方向之一为使用量子点进行色彩转换，通常是利用LED产生蓝色背光，然后在经过量子点光转换单元的转换，形成不同颜色的色光，但面对高亮度的蓝色led，量子点的吸收值显得有些不足，容易产生较大的蓝光溢出，进而现有技术中通常考虑使用彩色滤光片(colour filter，简称CF)进行滤光处理，虽然此方法可以有效的阻挡蓝光的溢出，但其牺牲了大部分的背光及发光亮度，不利于Micro LE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro LED微显示芯片，包括背光单元以及量子点光转换单元，所述背光单元用于产生背光，所述量子点光转换单元用于基于所述背光转化产生色光；其特征在于，所述量子点光转换单元包含量子点光转换材料以及光吸收材料，且所述光吸收材料的吸光波长与所述背光的波长相匹配；且所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比与所述量子点光转换材料和光吸收材料分别在所述背光的波长下的光吸收值的差值以及比值均相关。2.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比满足如下的相关关系：当OD2‑
OD1≤1时，M2＝M1×
(OD2‑
OD1)
×
OD2/OD1当OD2‑
OD1＞1时，M2＝M1×
(OD2‑
OD1)
×
OD1/OD2/(OD2‑
1)2其中，M1代表所述量子点光转换材料的质量，M2代表所述光吸收材料的质量，OD1代表所述量子点光转换材料的OD@背光的波长，OD2代表所述光吸收材料的OD@背光的波长。3.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述背光的波长为450nm，所述光吸收材料在450nm波长处的透光率＜20％；当所述量子点光转换材料转化产生的色光颜色为红色时，所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比为200∶1
‑
10∶1；当所述量子点光转换材料转化产生的色光颜色为绿色时，所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比为100∶1
‑
1∶20。4.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述光吸收材料包括无机纳米吸光材料和/或有机吸光材料；所述无机纳米吸光材料包括ZnSe、ZnSeS、PbS、InP、CuInS、CuInSe、GTO、ZnO、CsH3OW、CeO2、Co3O4以及Co2O3中的任意一种或两种以上的组合；所述有机吸光材料包括酞菁类、胡萝卜素类、蒽醌类、萘醌类、类黄酮类、姜黄素类、靛蓝类、以及叶绿素类的染料中的任意一种或两种以上的组合。5.根据权利要求4所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述光吸收材料选自无机纳米吸光材料。6.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述量子点光转换单元的厚度为1
‑
20μm。7.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述背光的波长为445
‑
470nm，所述光吸收材料的吸光波长为380
‑
470nm。8.根据权利要求1所述的M...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，仉旭，庄永漳，
申请(专利权)人：镭昱光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：