LED芯片快速检测系统技术方案

本发明专利技术提出一种LED芯片快速检测系统，核心组件为柱型导电模块，柱型导电模块横置于待测LED芯片阵列表面，柱型导电模块的圆柱轴与待测LED芯片阵列平行，使柱型导电模块的曲面与待测LED芯片阵列表面的某一呈直线状排列的多个LED直接接触，在检测过程中柱型导电模块沿垂直于柱型导电模块的圆柱轴方向相对于LED芯片阵列产生滚动并保持与待测LED芯片阵列持续接触，无需频繁地进行垂直方向的移动，可以有效提高检测速度。有效提高检测速度。有效提高检测速度。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片快速检测系统


[0001]本专利技术属于LED芯片测试
，特别是一种LED芯片快速检测系统，特别涉及一种Micro
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LED芯片快速检测方法与系统。

技术介绍

[0002]随着LED技术的不断发展，延伸出了非常多的前沿显示技术。为了保证器件成品的良率，必须保证LED芯片的质量达标，为此，必须在LED芯片转移到器件上之前对其进行检测。目前，检测手段多为针测，即有接触检测。但针测由于其需要与LED的电极进行接触，可能会对电极造成一定程度的损坏。随着LED芯片的尺寸越来越小，一个显示器上所需要的LED芯片数量也日渐增多，针测的效率无法满足大批量LED芯片检测效率的要求。以Micro
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LED为例，一台8K电视大约需要9000万颗以上的Micro
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LED芯片，即使缺陷率为0.5%，检测近50万颗芯片也需要大量的时间。为了提高针测效率，往往只能采取抽样检测，但对于如此大数量的LED芯片，抽样检测的可信度往往不尽如人意。因此，对现有的LED检测技术进行改进是必不可少的。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的缺陷和不足，尤其是针对目前LED芯片，尤其是高集成度的Micro
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LED芯片检测效率低下的问题，本专利技术提出一种LED芯片快速检测系统，其核心组件为柱型导电模块，柱型导电模块横置于待测LED芯片阵列表面，柱型导电模块的圆柱轴与待测LED芯片阵列平行，使柱型导电模块的曲面与待测LED芯片阵列表面的某一呈直线状排列的多个LED直接接触，在检测过程中柱型导电模块沿垂直于柱型导电模块的圆柱轴方向相对于LED芯片阵列产生滚动并保持与待测LED芯片阵列持续接触，无需频繁地进行垂直方向的移动，可以有效提高检测速度。
[0004]本专利技术具体采用以下技术方案：一种LED芯片快速检测系统，其特征在于：通过柱型导电模块对待测LED芯片阵列施加电场；所述柱型导电模块横置于待测LED芯片阵列表面，所述柱型导电模块的圆柱轴与待测LED芯片阵列平行，使柱型导电模块的曲面与待测LED芯片阵列表面的某一呈直线状排列的多个LED直接接触；检测过程中所述的柱型导电模块沿垂直于所述柱型导电模块的圆柱轴方向相对于LED芯片阵列产生滚动并保持与待测LED芯片阵列持续接触；无需频繁地进行垂直方向的移动，可以有效提高检测速度。
[0005]系统包括：第一基板、设置于第一基板的第一导电层、柱型导电模块、位移模块、光信号测量模块、电信号测量模块和供电模块；所述第一基底用于放置待测LED芯片阵列；所述供电模块在第一导电层和柱型导电模块之间施加电信号使与柱型导电模块
接触的呈直线状排列的多个LED产生电致发光现象；所述柱型导电模块在位移模块的驱动下，接触待测LED芯片阵列，直接接触任意一条线型LED芯片阵列；所述光信号测量模块用于采集待测LED芯片的包括亮度、光通量的光信息；所述电信号测量模块用于采集待测LED芯片的包括电流、电压的电信息；其LED芯片阵列快速检测步骤如下：步骤S1：将待检测的LED芯片阵列放置于第一基板表面；步骤S2：柱型导电模块在位移模块的驱动下，接触待测LED芯片阵列，直接接触任意一条线型LED芯片阵列；步骤S3：供电模块在第一导电层和柱型导电模块之间施加电信号使与柱型导电模块接触的呈直线状排列的多个LED产生电致发光现象，光信号测量模块记录所检测LED芯片的发光信息，电信号测量模块记录所检测LED芯片的电信号；步骤S4：通过位移模块使柱型导电模块沿垂直于柱型导电模块的圆柱轴方向相对于LED芯片阵列产生滚动，使柱型导电模块的圆柱轴对准步骤S3中已完成测试的线型LED芯片阵列邻近的另一条线型LED芯片阵列，光信号测量模块记录所检测LED芯片的发光信息，电信号测量模块记录所检测LED芯片的电信号；步骤S5：重复步骤S3和步骤S4直至沿垂直于柱型导电模块圆柱轴方向滚动的平面上的所有LED芯片检测完毕；步骤S6：位移模块驱动柱型导电模块和LED芯片阵列，使柱型导电模块移动至LED芯片阵列表面另一未检测区域；步骤S7：重复步骤S5和步骤S6直至LED芯片阵列表面的全部LED芯片检测完毕。
[0006]进一步地，所述柱型导电模块的曲面覆盖有功能层，用于传输载流子或使与柱型导电模块接触的LED芯片中产生感应电荷。
[0007]进一步地，所述柱型导电模块的两个等效圆形底面的间距范围为1μm—50cm；所述柱型导电模块的横截面圆形的直径为1μm—50cm。
[0008]进一步地，所述位移模块使柱型导电模块在三维空间进行有选择地定向滚动或移动。
[0009]进一步地，所述供电模块在第一导电层和柱型导电模块之间施加的电信号为交变电压。
[0010]进一步地，所述第一导电层设置于第一基板的上表面或下表面。
[0011]进一步地，所述待测LED芯片阵列为形成发光阵列的LED外延片或设置于衬底基底上的LED芯片阵列或设置于驱动背板上的LED芯片阵列。
[0012]进一步地，所述待测LED芯片阵列置于第一基板的上表面，柱型导电模块置于LED芯片阵列之上。
[0013]进一步地，所述待测LED芯片阵列置于第一基板的下表面，柱型导电模块置于LED芯片阵列之下。
[0014]进一步地，所述供电模块在柱型导电模块检测完某一呈直线状排列的多个LED之后，可以继续保持供电，直至LED芯片阵列表面的全部待测LED芯片检测完毕；所述供电模块在柱型导电模块检测完某一呈直线状排列的多个LED之后，也可以先中断供电，直至柱型导
电模块滚动至另一未检测区域后再恢复供电。
[0015]本专利技术及其优选方案通过柱型导电模块在位移模块的驱动下，与待测LED芯片阵列表面的某一呈直线状排列的多个LED直接接触，从而达到高效检测LED芯片的目的。
附图说明
[0016]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进一步详细的说明：图1为本专利技术实施例整体结构示意图；表示，LED芯片快速检测系统包括：第一基板、设置于第一基板上表面的第一导电层、柱型导电模块、位移模块、光信号测量模块、电信号测量模块、供电模块。第一导电层也可以设置于第一基板的下表面以使供电模块与待测LED芯片阵列产生电气连接。
[0017]图2为本专利技术实施例工作状态示意图1；表示，待检测LED芯片阵列位于第一导电层的上表面，柱型导电模块横置于待测LED芯片阵列上，柱型导电模块的圆柱轴与待测LED芯片阵列平行，使柱型导电模块的曲面与待测LED芯片阵列上的某一呈直线状排列的多个LED直接接触。
[0018]图3为本专利技术实施例工作状态示意图2；表示，在检测过程中柱型导电模块沿垂直于柱型导电模块的圆柱轴方向相对于LED芯片阵列产生滚动，无需频繁地进行垂直方向的移动，可以有效提高检测速度。
[0019]图4表示柱型导电模块的两个等效圆形底面的间距L范围为1μm
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50cm。
[0020]图5表示，柱型导电模块的横截面圆形的直径D范围为1μ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片快速检测系统，其特征在于：通过柱型导电模块对待测LED芯片阵列施加电场；所述柱型导电模块横置于待测LED芯片阵列表面，所述柱型导电模块的圆柱轴与待测LED芯片阵列平行，使柱型导电模块的曲面与待测LED芯片阵列表面的某一呈直线状排列的多个LED直接接触；检测过程中所述的柱型导电模块沿垂直于所述柱型导电模块的圆柱轴方向相对于LED芯片阵列产生滚动并保持与待测LED芯片阵列持续接触；系统包括：第一基板、设置于第一基板的第一导电层、柱型导电模块、位移模块、光信号测量模块、电信号测量模块和供电模块；所述第一基底用于放置待测LED芯片阵列；所述供电模块在第一导电层和柱型导电模块之间施加电信号使与柱型导电模块接触的呈直线状排列的多个LED产生电致发光现象；所述柱型导电模块在位移模块的驱动下，接触待测LED芯片阵列，直接接触任意一条线型LED芯片阵列；所述光信号测量模块用于采集待测LED芯片的包括亮度、光通量的光信息；所述电信号测量模块用于采集待测LED芯片的包括电流、电压的电信息；其LED芯片阵列快速检测步骤如下：步骤S1：将待检测的LED芯片阵列放置于第一基板表面；步骤S2：柱型导电模块在位移模块的驱动下，接触待测LED芯片阵列，直接接触任意一条线型LED芯片阵列；步骤S3：供电模块在第一导电层和柱型导电模块之间施加电信号使与柱型导电模块接触的呈直线状排列的多个LED产生电致发光现象，光信号测量模块记录所检测LED芯片的发光信息，电信号测量模块记录所检测LED芯片的电信号；步骤S4：通过位移模块使柱型导电模块沿垂直于柱型导电模块的圆柱轴方向相对于LED芯片阵列产生滚动，使柱型导电模块的圆柱轴对准步骤S3中已完成测试的线型LED芯片阵列邻近的另一条线型LED芯片阵列，光信号测量模块记录所检测LED芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴朝兴，苏昊，郭太良，陈荣，张永爱，周雄图，
申请(专利权)人：福州市福大微纳显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：