一种场效应管晶圆的阻抗测试电路制造技术

本发明专利技术提供一种场效应管晶圆的阻抗测试电路，涉及测试领域，阻抗测试电路包括测试设备和场效应管晶圆，所述场效应管晶圆包括相邻设置的第一场效应管和第二场效应管，所述第一场效应管的漏极与所述第二场效应管的漏极连接，所述第一场效应管具有相对设置的正面和背面，所述测试设备从所述正面侧连接所述第一场效应管的源极和栅极以及所述第二场效应管的源极，以对所述第一场效应管进行阻抗测试，以解决将从场效应管晶圆背面侧将场效应管的漏极引出时导线较长引起的测试数据不准确，以及校准比较难操作的问题。校准比较难操作的问题。校准比较难操作的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种场效应管晶圆的阻抗测试电路


[0001]本专利技术涉及测试领域，特别是涉及一种场效应管晶圆的阻抗测试电路。

技术介绍

[0002]在制作晶圆的制程上，如果能在晶圆级别时将大部分的参数测试出来，那么在后续封装等工序上将会节约大量的成本。因此，在ATE（自动测试设备）中，场效应管晶圆的测试有很大的测试需求。其中，场效应管晶圆的测试项目包括阻抗Rg测试、输入电容Ciss测试、输出电容Coss测试和反向传输电容Crss测试等。
[0003]但是，在场效应管晶圆上测试以上参数对测试设备要求非常高。传统的测试方式可以直接使用长线连到探针台底盘测试方案，即由于场效应管晶圆中场效应管的漏极位于晶圆的背面侧，场效应管的源极和栅极位于晶圆的正面侧，因此，在场效应管晶圆中的场效应管时，需要使用长导线从晶圆背面侧将场效应管的漏极引出，这就使得连接场效应管的漏极的导线较长，而在测试时，导线较长会衰减测试设备的信号，还会有寄生电感、寄生电容和寄生电阻，还会影响测试信号的相位，也就是说，导线较长会引起很多寄生参数而导致测试结果不准确，影响测试精度。传统的测试方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应管晶圆的阻抗测试电路，其特征在于，包括测试设备和场效应管晶圆，所述场效应管晶圆包括相邻设置的第一场效应管和第二场效应管，所述第一场效应管的漏极与所述第二场效应管的漏极连接，所述第一场效应管具有相对设置的正面和背面，所述测试设备从所述正面侧连接所述第一场效应管的源极和栅极以及所述第二场效应管的源极，以对所述第一场效应管进行阻抗测试。2.如权利要求1所述的场效应管晶圆的阻抗测试电路，其特征在于，所述第一场效应管的源极和栅极以及所述第二场效应管的源极和栅极靠近所述正面侧设置，所述第一场效应管的漏极和所述第二场效应管的漏极靠近所述背面一侧设置。3.如权利要求1所述的场效应管晶圆的阻抗测试电路，其特征在于，所述场效应管晶圆还包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的正极连接所述第一场效应管的源极，所述第一二极管的负极连接所述第一场效应管的漏极；所述第二二极管的正极连接所述第二场效应管的源极，所述第二二极管的负极连接所述第二场效应管的漏极。4.如权利要求1所述的场效应管晶圆的阻抗测试电路，其特征在于，所述测试设备包括第一电流输出端、第一电压采样端、第二电流输出端、第二电压采样端、电流返回端和第三电压采样端；所述第一场效应管的栅极、源极均具有电流输入端和电压输入端，所述第二场效应管的栅极、源极均具有电流输入端和电压输入端；所述第一电流输出端连接所述第二场效应管的源极的电流输入端，所述第二电流输出端连接所述第一场效应管的栅极的电流输入端，所述第二电压采样端连接所述第一场效应管的栅极的电压输入端，所述电流返回端连接所述第一场效应管的源极的电流输入端，所述第三电压采样端连接所述第一场效应管的源极的电压输入端。5.如权利要求4所述的场效应管晶圆的阻抗测试电路，其特征在于，所述阻抗测试电路还包括电压源，所述电压源的正极连接所述第二场效应管的栅极的电压输入端，所述电压源的负极和所述第一电压采样端均连接所述第二场效应管的源极的电压输入端。6.如权利要求4所述的场效应管晶圆的阻抗测试电路，其特征在于，所述测试设备还包括第一电感、第一电容、第一电阻和直流源，所述第一电阻的...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟伟金，陈希辰，钟有权，
申请(专利权)人：佛山市联动科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：