可编程存储器及图像传感器制造技术

本实用新型专利技术提供一种可编程存储器及其制备方法和控制方法、图像传感器，可编程存储器包括可编程阵列，可编程阵列包括多条字线、多条位线以及呈阵列排布的可编程单元，每个可编程单元与至少一条字线和至少一条位线电性连接，可编程单元包括编程晶体管，编程晶体管包括第一栅极以及与第一栅极对应设置的栅极氧化物膜，栅极氧化物膜包括供基于电压击穿的击穿区。本申请的可编程存储器，击穿电压稳定，击穿后的电阻均匀，使数据读取准确可靠。本申请还提供一种图像传感器。还提供一种图像传感器。还提供一种图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
可编程存储器及图像传感器


[0001]本技术涉及存储器
，特别涉及一种可编程存储器及图像传感器。

技术介绍

[0002]OTP存储器可以将数据存储在均可以具有未编程状态或已编程状态的多个OTP单元中。即使切断电源，OTP单元也不会丢失已编程的数据，并且已编程的OTP单元不能被重新编程，即不可逆。以OTP单元为反熔丝为例进行说明；当施加编程电压至OTP单元时，在编程电压作用下，电压击穿OTP单元的栅极氧化物膜以实现编程。由于反熔丝OTP有多个击穿点，不稳定的击穿电压vbd将导致烧录失败；而且击穿后电阻不均匀，导致读数失败。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供一种可编程存储器，击穿后的电阻均匀，使读数准确可靠。
[0004]一种可编程存储器，包括可编程阵列，可编程阵列包括多条字线、多条位线以及呈阵列排布的可编程单元，每个可编程单元与至少一条字线和至少一条位线电性连接，可编程单元包括编程晶体管，编程晶体管包括第一栅极以及与第一栅极对应设置的栅极氧化物膜，栅极氧化物膜包括供基于电压击穿的击穿区。
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可编程存储器，其特征在于，包括可编程阵列，所述可编程阵列包括多条字线、多条位线以及呈阵列排布的可编程单元，每个所述可编程单元与至少一条所述字线和至少一条所述位线电性连接，所述可编程单元包括编程晶体管，所述编程晶体管包括第一栅极以及与所述第一栅极对应设置的栅极氧化物膜，所述栅极氧化物膜包括供基于电压击穿的击穿区。2.如权利要求1所述的可编程存储器，其特征在于，所述可编程单元还包括至少一个读取晶体管，所述击穿区位于所述栅极氧化物膜靠近所述读取晶体管一侧。3.如权利要求2所述的可编程存储器，其特征在于，所述第一栅极的侧壁设有第一侧墙，所述击穿区自所述第一栅极下方延伸至对应的所述第一侧墙的下方。4.如权利要求2所述的可编程存储器，其特征在于，所述编程晶体管还包括第一源/漏极和第二源/漏极，所述栅极氧化物膜设置于所述第一源/漏极与所述第二源/漏极之间，所述击穿区靠近所述第二源/漏极设置；所述读取晶体管包括第二栅极、第三源/漏极和第四源/漏极，所述第三源/漏极与所述第二源/漏极连接或二者共享设置，所述第四源/漏极与所述位线连接，所述第一栅极和所述第二栅极分别与两条所述字线连接，所述第一源/漏极浮置。5.如权利要求4所述的可编程存储器，其特征在于，所述可编程阵列还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述编程晶体管、所述读取晶体管，多条所述字线以及多条位线设置于所述绝缘层上，所述第一栅极通过第一导电层与一所述字线连接，所述第二栅极通过第二导电层与另一所述字...

【专利技术属性】
技术研发人员：张豪轩，王强，戚德奎，石文杰，
申请(专利权)人：思特威合肥电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：