【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】天线中的路由和布局
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年4月2日提交的申请号为63/004,274的美国临时专利申请、2020年4月3日提交的申请号为63/005,067的美国临时专利申请、2020年4月3日提交的申请号为63/005,056的美国临时专利申请以及2021年3月31日提交的申请号为17/219,745的美国非临时专利申请的优先权，这些专利申请全部通过引用并入本文。
[0003]本专利技术的实施例涉及无线通信；更具体地说，本专利技术的实施例涉及在天线(例如，卫星天线)中路由电线或迹线。
技术介绍
[0004]具有多个频段和/或在高频(例如Ka频段)下工作的射频(RF)超材料天线需要高密度的RF天线元件。一种类型的超材料天线使用基于液晶(LC)的RF辐射超材料天线元件。这些天线元件可以由有源矩阵驱动器控制或驱动。在一些实施方案中，一个晶体管耦合到每个基于LC的RF超材料天线元件，并通过向耦合到晶体管栅极的选择信号施加电压来使天线元件导通或截止。可以使用许多不同类型的晶体...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种天线，包括：孔径，具有多个射频(RF)辐射天线元件，其中所述多个RF辐射天线元件中的每个天线元件包括虹膜狭缝开口以及位于所述虹膜狭缝开口上方的电极；多个驱动晶体管，耦合到所述多个天线元件；以及多个存储电容器，每个存储电容器耦合到所述多个天线元件中的一个天线元件的电极，其中所述孔径包括以下至少一项：所述一个天线元件的驱动晶体管位于所述天线元件的所述电极下面；所述一个天线元件的存储电容器位于所述天线元件的所述电极下面；以及第一电压的到所述一个天线元件的金属路由在重叠区域内与将所述公共电压路由到所述一个天线元件以形成存储电容器的公共电压路由重叠。2.根据权利要求1所述的天线，其中所述电极包括贴片。3.根据权利要求1所述的天线，其中所述金属路由包括将所述多个存储电容器中的存储电容器耦合到所述电极的漏极金属路由。4.根据权利要求3所述的天线，其中所述漏极金属路由在所述公共电压路由的上方或下方。5.根据权利要求3所述的天线，其中所述重叠区域提供第一电容，所述第一电容与存储电容器的第二电容结合以提供所述一个天线元件的电容，其中所述漏极金属层的宽度和所述公共电压路由的宽度中的一个或两个被设置以获得所述第一电容。6.根据权利要求1所述的天线，其中所述重叠区域的宽度在所述电极下面比在所述电极外部更大。7.根据权利要求1所述的天线，其中所述一个天线元件的驱动晶体管位于具有所述一个天线元件的存储电容器的所述天线元件的电极下面。8.根据权利要求1所述的天线，其中所述一个天线元件的驱动晶体管位于所述天线元件的电极下面，所述一个天线元件的存储电容器位于所述天线元件的电极外部。9.根据权利要求1所述的天线，其中所述一个天线元件的驱动晶体管位于所述天线元件的电极下面，所述一个天线元件的第一存储电容器位于所述天线元件的电极下面，并且所述一个天线元件的第二存储电容器位于所述天线元件的电极外部。10.根据权利要求1所述的天线，其中所述电极是具有贴片和贴片衬底的贴片结构的一部分，并且进一步地，其中所述存储电容器形成在所述电极下方并且位于所述贴片结构的贴片金属层和贴片衬底之间。11.根据权利要求10所述的天线，其中通过调整公共电压金属层来调整所述贴片下面的电容。12.根据权利要求1所述的天线，其中所述电极是具有贴片和贴片衬底的贴片结构的一部分，并且进一步地，其中所述驱动晶体管包括TFT，并且其中至少一个TFT形成在所述贴片结构的下方并且位于所述贴片结构的贴片金属层和贴片衬底之间。13.一种天线，包括：多个射频(RF)辐射天线元件，其中所述多个RF辐射天线元件中的每个天线元件包括虹膜狭缝开口以及位于所述虹膜狭缝开口上方的电极；
多个驱动晶体管，每个驱动晶体管耦合到所述多个天线元件中的一个天线元件，其中驱动晶体管对之间的一条或多条金属路由线穿过一个或多个RF辐射天线元件。14...
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