一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路制造技术

本实用新型专利技术属于检测仪器技术领域，具体为一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路，包括：DC5V风扇、N沟道MOSFET、温度传感器和MCU；所述N沟道MOSFET的输出端与DC5V风扇建立连接，所述DC5V风扇的出风口正对漂移管；所述温度传感器贴附在漂移管上，所述温度传感器的输出端与MCU连接，所述MCU的输出i/o接口与N沟道MOSFET建立连接，所述温度传感器为单线数字输出型温度传感器M1820。给漂移管加入散热装置，减少仪器降温设定及稳定时间，提升仪器性能。本ELSD漂移管快速降温控制电路，就是为了让仪器的漂移管能快速从高温降温到低温设定值，从而提高仪器响应速度，更快进入设定工作状态的辅助工具。状态的辅助工具。状态的辅助工具。

【技术实现步骤摘要】
一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路


[0001]本技术涉及检测仪器
，具体为一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路。

技术介绍

[0002]ELSD仪器的检测样品需要合适的温度才能发挥出更灵敏的响应值或检测效果。所以ELSD仪器检测不同的样品需要给漂移管设定不同的温度，即要求仪器能快速响应样品的变化需求，快速设定并恒温到合适的漂移管温度值。市场上大部分ELSD仪器的漂移管降温采用自然散热方式，达到设定低温值时间较长。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路，以解决上述
技术介绍
中提出的大部分ELSD仪器的漂移管降温采用自然散热方式，达到设定低温值时间较长的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路，包括：
[0005]DC5V风扇、N沟道MOSFET、温度传感器和MCU；
[0006]所述N沟道MOSFET的输出端与DC5V风扇建立连接，所述DC5V风扇的出风口正对漂移管；
[0007]所述温度传感器贴附在漂移管上，所述温度传感器的输出端与MCU连接，所述MCU的输出i/o接口与N沟道MOSFET建立连接。
[0008]进一步地，所述温度传感器为单线数字输出型温度传感器M1820，温度传感器的局部感温：
‑
70℃～150℃。
[0009]进一步地，所述N沟道MOSFET的漏源电压：20V，连续漏极电流：7.1A，功率(Pd)：1.4W。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0011]给漂移管加入散热装置，减少仪器降温设定及稳定时间，提升仪器性能。本ELSD漂移管快速降温控制电路，就是为了让仪器的漂移管能快速从高温降温到低温设定值，从而提高仪器响应速度，更快进入设定工作状态的辅助工具。
附图说明
[0012]图1为本技术的逻辑框图；
[0013]图2为本技术的电路原理图。
具体实施方式
[0014]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行
清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0015]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0016]实施例：
[0017]请参阅图1
‑
2，本技术提供一种技术方案：一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路，包括：
[0018]DC5V风扇、N沟道MOSFET、温度传感器和MCU；
[0019]所述N沟道MOSFET的输出端与DC5V风扇建立连接，所述DC5V风扇的出风口正对漂移管；
[0020]所述温度传感器贴附在漂移管上，所述温度传感器的输出端与MCU连接，所述MCU的输出i/o接口与N沟道MOSFET建立连接。
[0021]优选的，所述温度传感器为单线数字输出型温度传感器M1820，温度传感器的局部感温：
‑
70℃～150℃。
[0022]优选的，所述N沟道MOSFET的漏源电压：20V，连续漏极电流：7.1A，功率(Pd)：1.4W。
[0023]DC5V风扇，接到插座J18口；
[0024]N沟道MOSFET，型号：WSF60100，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：7.1A，功率(Pd)：1.4W，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19mΩ@4.5V,4A；
[0025]单线数字输出型温度传感器M1820，局部感温：
‑
70℃～150℃，接到插座J4口。
[0026]工作原理：如图2所示，其具体展示了本方案的电路，MCU的输出i/o接口可以控制MOSFET的栅极G信号；当FAN_PWM＝0V时，VGS＝
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5V,WST2339的DS导通，风扇通电转动给漂移管进行散热；当FAN_PWM＝5V时,风扇断电，停止给漂移管散热。
[0027]单线数字输出型温度传感器M1820将漂移管的温度通过TEM
‑
SEN数据口实时传送给MCU，然后MCU将温度数据输入到特定的PID算法，通过MCU的输出i/o接口生成FAN_PWM(脉宽调制波)，可以控制风扇的转速，让漂移管以最快的速度降温到设定值，并快速保持恒温状态。缩短漂移管降温及稳温的时间，让ELSD仪器快速进入测试状态。
[0028]以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点,对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术；因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0029]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路，其特征在于，包括：DC5V风扇、N沟道MOSFET、温度传感器和MCU；所述N沟道MOSFET的输出端与DC5V风扇建立连接，所述DC5V风扇的出风口正对漂移管；所述温度传感器贴附在漂移管上，所述温度传感器的输出端与MCU连接，所述MCU的输出i/o接口与N沟道MOSFET建立连接。2.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄雄，胡志东，
申请(专利权)人：上海天美科学仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：