一种基于SiC功率器件的功率单元制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于SiC功率器件的功率单元，钣金外壳两侧表面预留有主电路输入铜排接线端口和输出铜排接线端口，中部设多层覆铜层压板，多层覆铜层压板靠近输入端侧排列有多个吸收电容，吸收电容下方设8对SiC单管功率器件和缓启电阻，每个SiC单管功率器件和缓启电阻为一组；在SiC单管功率器件和缓启电阻之间设水冷散热器，在SiC单管功率器件的另一侧，且在多层覆铜层压板上靠近输出端的一侧直插引脚焊接驱动&保护电路板，控制信号外部交互接口，外部交互接口置于钣金外壳上表面，设置简洁明了，主回路输入输出电气接口沿主回路顺向布局，电路板信号接口根据内部并联模组进行分组布局，安装维护工作更加方便快捷，最终使得单元体积大幅压缩。得单元体积大幅压缩。得单元体积大幅压缩。

【技术实现步骤摘要】
一种基于SiC功率器件的功率单元


[0001]本技术属于大功率高频逆变电源设备领域，尤其涉及一种基于SiC功率器件的功率单元。

技术介绍

[0002]在现有的大功率高频逆变电源的功率单元中，绝大部分产品仍使用硅基半导体功率器件作为核心电力转换器件，但是随着社会发展和行业进步，市场对于这类半导体器件的性能要求也与日俱增。而传统的硅基半导体功率器件经过几十年的更新迭代，电气特性已经挖掘殆尽，对于接踵而至更大功率、更高频率的市场需求，其性能表现不尽人意。
[0003]除了功率器件本身的电气特性直接影响电源设备输出能力外，功率单元的单位体积功率密度是另外一个限制电源设备输出功率的重要因素。随着对电源设备输出功率需求的不断提升，导致设备内部需要并接的功率单元模组数量线性增长，设备整体体积也随之不断加大。
[0004]但是，体积的增大带来不良影响是多方面的，体积的增大导致设备内部各电气元件的空间距离越来越远，电路布置繁杂冗长，设备整体的工作可靠性、稳定性随之下降。大体积的电源设备只适用于工业生产等工作空间相对宽敞的场合，市场应用范围有所限制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于SiC功率器件的功率单元，其特征在于，包括钣金外壳（1）、输入铜排（2）、多层覆铜层压板（3）、吸收电容（4）、缓启电阻（5）、水冷散热器（6）、SiC单管功率器件（7）、驱动&保护电路板（8）和输出铜排（9）；所述钣金外壳（1）两侧表面预留有主电路输入铜排（2）接线端口和输出铜排（9）接线端口，中部设多层覆铜层压板（3），所述输入铜排（2）和输出铜排（9）通过多层覆铜层（3）压板实现电气回路连通，所述多层覆铜层压板（3）靠近输入端侧排列有多个吸收电容（4），其通过直插引脚焊接在多层覆铜层压板（3）上，用于过滤输入波形中存在的尖峰电压；所述吸收电容（4）下方设8对SiC单管功率器件（7）和缓启电阻（5），每个SiC单管功率器件（7）和缓启电阻（5）为一组，通过各自的直插引脚焊接在多层覆铜层压板（3）上，实现电气结构的并联...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴艳鹏，李泽桦，郭宇泽，吴小斌，
申请(专利权)人：山西艾德尔电气设备有限公司，
类型：新型
国别省市：