一种下部电极表面层的制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种下部电极表面层的制作工艺包括S1：制作下部电极，使得所述下部电极的上电介质层表面具有周边凸起；S2：制作边框，使得所述边框的长宽均大于所述下部电极的长宽，高度与所述周边凸起相平齐；S3：将筛网拉紧并固定在所述边框上表面；S4：对所述下部电极进行遮蔽，遮蔽范围包括所述周边凸起及其内侧1

【技术实现步骤摘要】
一种下部电极表面层的制作工艺


[0001]本专利技术涉及下部电极
，具体涉及一种下部电极表面层的制作工艺。

技术介绍

[0002]干刻是LCD和OLED面板的制作过程的一个核心工序，干刻设备中的一个核心部件是下部电极，在下部电极的结构中，通常会包括气道和气孔，干刻时，会通过气道和气孔在玻璃基板和下部电极表面导入氦气，从而消散干刻过程中产生的热量，防止玻璃基板温度升高。
[0003]目前下部电极的表面结构一般分两种，一种是在表面边缘设置有突起，中间设置有浮点，通过浮点来支撑玻璃基板，另一种是在表面设置有突起，中间设置有粗度层。
[0004]参见图1，对于采用浮点的表面来说，由于工艺上的限制，用这种方法难以制作直径0.3mm以下的浮点，而当玻璃基板放置在下部电极上时，与浮点的表面紧贴，氦气难以进入浮点和玻璃之间，造成在浮点处局部的热传导比较差，因此在浮点处玻璃基板温度较高，容易产生mura。
[0005]参见图2，对于采用粗度层的表面来说，粗度层是直接通过等离子熔射的方式制作的，由于工艺本身的限制，粗度层的粗糙度一般很难超过5微米，由于比较低的粗糙度，当玻璃基板放置在下部电极表面时，氦气流通的空间有限，因此也会出现局部的氦气压差异。在氦气压低的地方，会降低玻璃基板和下部电极的热传导，因而也会出现mura。

技术实现思路

[0006]为克服上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种下部电极表面层的制作工艺，通过本工艺制作的下部电极表面，能有效的提高玻璃基板和下部电极之间热传导的均匀性，从而减少因为局部热传导差而导致的面板产生mura问题。
[0007]为了达到以上目的，本专利技术包括以下步骤：
[0008]S1：制作下部电极，使得所述下部电极的上电介质层表面具有周边凸起；
[0009]S2：制作边框，使得所述边框的长宽均大于所述下部电极的长宽，高度与所述周边凸起相平齐；
[0010]S3：将筛网拉紧并固定在所述边框上表面；
[0011]S4：对所述下部电极进行遮蔽，遮蔽范围包括所述周边凸起及其内侧1
‑
2mm；
[0012]S5：将S4中的所述下部电极放置在工作台上，将S3中的所述边框盖设在所述下部电极上，并将所述边框固定在所述工作台上；
[0013]S6：采用等离子熔射制作表面粗度层。
[0014]在上述制作工艺的优选技术方案中，还包括以下步骤：
[0015]S7：将所述边框取下，并去除所述下部电极上的所述遮蔽材料；
[0016]S8：对所述下部电极进行清洗。
[0017]在上述制作工艺的优选技术方案中，S1中，所述周边凸起的高度为30
‑
80微米。
[0018]在上述制作工艺的优选技术方案中，S3中，所述筛网目数为100
‑
200目，对应的孔径为150
‑
75微米。
[0019]在上述制作工艺的优选技术方案中，S4中，遮蔽材料为耐热胶带。
[0020]在上述制作工艺的优选技术方案中，所述边框上设置有螺纹孔，所述边框通过螺钉可拆卸的安装在所述工作台上。
[0021]在上述制作工艺的优选技术方案中，S6中，熔射材料为氧化钇或者氧化铝，熔射功率为30
‑
50kW，形成等离子体的气体为氩气和氢气的混合物，比例为10：1
‑
20：1。
[0022]在上述制作工艺的优选技术方案中，熔射厚度为40
‑
80微米，粗糙度为8
‑
15微米。
[0023]本专利技术的有益效果是，通过在上电介质层于周边凸起内侧部表面形成比现有工艺更加细小的浮点，浮点直径由现有工艺的0.3mm以上降到0.15mm以下，同时又保证了表面的粗糙度，因而可以在下部电极表面形成比较均匀的氦气流以改善玻璃基板和下部电极的热传导，能有效的提高玻璃基板和下部电极之间热传导的均匀性，避免玻璃基板上出现局部过热的情况，从而减少在干刻过程中在面板上产生mura的情况。
附图说明
[0024]图1为现有带浮点的下部电极表面结构；
[0025]图2为现有带粗糙层的下部电极表面结构；
[0026]图3为本专利技术下部电极与玻璃基板的示意图；
[0027]图4为本专利技术的筛网与下部电极之间的连接示意图；
[0028]图5为本专利技术形成的下部电极粗度层的结构示意图；
[0029]图6为本专利技术下部电极粗度层制造的流程图；
[0030]图中：
[0031]第一突起10、第一浮点11；
[0032]第二突起20、粗糙层21；
[0033]下部电极3、基材31、氦气孔311、氦气入口312、氦气槽313、Lift
‑
pin孔314、冷却液流道315、下电介质层31、电源接头32、电极层33、上电介质层34；
[0034]周边凸起41、边框42、筛网43、粗度层44；
[0035]玻璃基板5。
具体实施方式
[0036]下面参照附图来描述本专利技术的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本专利技术的技术原理，并非旨在限制本专利技术的保护范围。
[0037]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0038]目前下部电极3的表面结构一般分两种：
[0039]参见图1，第一种是在表面边缘设置有第一突起10，中间设置有第一浮点11，通过第一浮点11来支撑玻璃基板5。这种结构中，第一浮点11直径一般为0.3
‑
1mm，间距一般为1
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5mm，高度一般为50
‑
100微米，边缘第一突起10比第一浮点11略高10
‑
30微米。制作第一浮点
11的工艺一般是在下部电极3表面覆盖一层带孔隙的不锈钢片，然后通过等离子熔射在不锈钢片的孔隙中形成第一浮点11，再去除不锈钢片。由于工艺上的限制，用这种方法难以制作直径0.3mm以下的第一浮点11。而当玻璃基板5放置在下部电极3上时，与第一浮点11的表面紧贴，氦气难以进入第一浮点11和玻璃之间，造成在第一浮点11处局部的热传导比较差，因此在第一浮点11处玻璃基板5温度较高，容易产生mura。
[0040]参见图2，第二种是在表面设置有第二突起20，中间设置有粗糙层21这种结构中，粗糙层21一般在10微米左右，粗糙度Ra通常为3
‑
5微米。粗糙层21是直接通过等离子熔射的方式制作的，由于工艺本身的限制，粗糙层21的粗糙度一般很难超过5微米。由于比较低的粗糙度，当玻璃基板5放置在下部电极3表面时，氦气流通的空间有限，因此也会出现局部的氦气压差异。在氦气压低的地方，会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种下部电极表面层的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：制作下部电极，使得所述下部电极的上电介质层表面具有周边凸起；S2：制作边框，使得所述边框的长宽均大于所述下部电极的长宽，高度与所述周边凸起相平齐；S3：将筛网拉紧并固定在所述边框上表面；S4：对所述下部电极进行遮蔽，遮蔽范围包括所述周边凸起及其内侧1
‑
2mm；S5：将S4中的所述下部电极放置在工作台上，将S3中的所述边框盖设在所述下部电极上，并将所述边框固定在所述工作台上；S6：采用等离子熔射制作表面粗度层。2.根据权利要求1所述的一种下部电极表面层的制作工艺，其特征在于：还包括以下步骤：S7：将所述边框取下，并去除所述下部电极上的所述遮蔽材料；S8：对所述下部电极进行清洗。3.根据权利要求1所述的一种下部电极表面层的制作工艺，其特征在于：S1中，所述周边凸起的高度为30
‑
80微米。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾众，王洋，王林根，赵凯，张立祥，
申请(专利权)人：苏州众芯联电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：