OLED显示面板及其制备方法、显示终端技术

技术编号:36463641 阅读:12 留言:0更新日期:2023-01-25 23:03
本申请公开了一种OLED显示面板及其制备方法、显示终端,OLED显示面板包括阵列基板包括第一辅助电极、第二辅助电极、第三辅助电极以及层间绝缘层,层间绝缘层形成于第一辅助电极与第二辅助电极之间、第二辅助电极与第三辅助电极之间,且第二辅助电极设置于第一辅助电极上;第三辅助电极设置于第二辅助电极上;第三辅助电极同时连接至第一辅助电极和第二辅助电极;保护层,其设置于第三辅助电极上,保护层开设有一底切开口,该底切开口用于暴露部分第三辅助电极;阳极,其设置于保护层上;发光功能层,其设置于阳极上;阴极,其设置于发光功能层上,阴极延伸至底切开口且连接至第三辅助电极,以改善阴极的阻抗较大而导致显示不匀的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及其制备方法、显示终端


[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法、显示终端。

技术介绍

[0002]在平板显示技术中,有机发光二极管(Organic Light

Emitting Diode,OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点。
[0003]在现有的OLED显示面板中,为了增大顶发射的透过率,金属阴极的厚度较薄,造成方阻较大,电流压降(IR

drop)严重,导致OLED显示面板有明显的亮度不均匀现象,严重影响了OLED显示装置的显示效果。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于,提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示终端,以解决厚度较薄的阴极阻抗较大而导致OLED显示面板显示效果不佳的技术问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供一种OLED显示面板,包括:阵列基板,其包括第一辅助电极、第二辅助电极、第三辅助电极以及层间绝缘层,所述层间绝缘层形成于所述第一辅助电极与所述第二辅助电极之间、所述第二辅助电极与所述第三辅助电极之间,且所述第二辅助电极设置于所述第一辅助电极上;所述第三辅助电极设置于所述第二辅助电极上;其中,所述第三辅助电极同时连接至所述第一辅助电极和所述第二辅助电极;保护层,其设置于所述第三辅助电极上,所述保护层开设有一底切开口,该底切开口用于暴露部分所述第三辅助电极;阳极,其设置于所述保护层上;发光功能层,其设置于所述阳极上;以及阴极,其设置于所述发光功能层上,所述阴极延伸至所述底切开口且连接至所述第三辅助电极。
[0006]进一步地,所述第三辅助电极通过至少一个第一导电孔连接至所述第一辅助电极;所述第三辅助电极通过至少一个第二导电孔连接至所述第二辅助电极。
[0007]进一步地,所述第三辅助电极通过两个所述第一导电孔连接至所述第一辅助电极,两个所述第一导电孔中的一个连接至所述第一辅助电极的一侧,另一个所述第一导电孔连接至所述第一辅助电极的另一侧;其中,所述第二辅助电极位于两个所述第一导电孔之间。
[0008]进一步地,所述第三辅助电极同时通过两个所述第二导电孔连接至所述第二辅助电极。
[0009]进一步地,所述阵列基板还包括:遮光层,其与所述第一辅助电极同层设置;栅极,其与所述第二辅助电极同层设置;以及源漏极,其与所述第三辅助电极同层设置。
[0010]进一步地,所述的OLED显示面板还包括:衬底层,所述遮光层及所述第一辅助电极设置于所述衬底层上;缓冲层,其设置于衬底层上,且覆盖所述遮光层及所述第一辅助电极;有源层,其设置于所述缓冲层上,且所述有源层在所述衬底层上的正投影落入所述遮光层在所述衬底层上的正投影内;第一栅极绝缘层,其对应设置于所述有源层上;第二栅极绝
缘层,其对应设置于所述缓冲层上;所述栅极对应设置于所述第一栅极绝缘层上,所述第二辅助电极对应设置于所述第二栅极绝缘层上,且所述第二辅助电极在所述衬底层上的正投影与所述第一辅助电极在所述衬底上的正投影至少部分重合;介电层,其覆盖所述栅极、所述第二辅助电极,且延伸至所述缓冲层上;以及所述源漏极设置于所述介电层上,且连接至所述有源层,所述第三辅助电极设置于所述介电层上,且同时连接至所述第一辅助电极和所述第二辅助电极,其中,所述第三辅助电极在所述衬底层上的正投影与所述第一辅助电极在所述衬底上的正投影至少部分重合;其中,所述层间绝缘层包括所述缓冲层、所述介电层以及所述保护层。
[0011]进一步地,所述保护层包括:钝化层,其设置于所述第三辅助电极上,所述钝化层开设有第一通孔;以及平坦层,其设置于所述钝化层上,所述平坦层开设有第二通孔,所述第二通孔连通至所述第一通孔,且所述第二通孔在所述阵列基板上的正投影完全落入所述第一通孔在所述阵列基板上的正投影内,以使所述平坦层与所述钝化层之间形成有所述底切开口。
[0012]进一步地,所述的OLED显示面板还包括:像素定义层,其设置于所述保护层上,所述像素定义层开设有第三通孔及像素开口,所述第三通孔连通至所述第二通孔,所述像素开口用以暴露所述阳极;其中,所述发光功能层设置于所述阳极及所述像素定义层上;所述阴极设置于所述发光功能层上,延伸至所述第三通孔、所述底切开口,且连接至所述第三辅助电极。
[0013]为实现上述目的,本专利技术还提供一种OLED显示面板的制备方法,包括如下步骤:形成一阵列基板,所述阵列基板的形成步骤包括:形成一第一金属层;对所述第一金属层图案化形成第一辅助电极;形成一第二金属层于所述第一金属层上方;对所述第二金属层图案化形成第二辅助电极;形成一第三金属层与所述第二金属层上方;以及对所述第三金属层图案化形成第三辅助阴极;其中,所述第一辅助电极与所述第二辅助电极之间、所述第二辅助电极与所述第三辅助电极之间形成有层间绝缘层,并所述第三辅助电极同时连接至所述第一辅助电极、所述第二辅助电极;形成一保护层于所述第三辅助电极上,且延伸至所述阵列基板上;对所述保护层进行挖孔处理,使得所述保护层形成有一底切开口,该底切开口用于暴露部分所述第三辅助电极;形成一阳极于所述保护层上;形成一发光功能层于所述阳极上;以及形成一阴极于所述发光功能层上,所述阴极延伸至所述底切开口且连接至所述第三辅助电极。
[0014]进一步地,所述保护层的形成步骤包括:形成一钝化层于所述第三辅助电极上;以及形成一平坦层于所述钝化层上;对所述保护层进行挖孔处理的步骤包括:对所述平坦层和所述钝化层进行挖孔处理,使得所述钝化层形成有第一通孔,所述平坦层形成有第二通孔,所述第二通孔连通至所述第一通孔;以及
[0015]采用湿法蚀刻的方式对所述钝化层进行刻蚀处理,使得所述第二通孔在所述阵列基板上的正投影完全落入所述第一通孔在所述阵列基板上的正投影内,所述平坦层与所述钝化层之间形成有所述底切开口。
[0016]进一步地,在所述第一辅助电极的形成步骤中,对所述第一金属层图案化形成遮光层,且所述遮光层与所述第一辅助电极同层设置;在所述第二辅助电极的形成步骤中,对所述第二金属层图案化形成栅极,所述栅极与所述第二辅助电极同层设置;以及在所述第
三辅助阴极的形成步骤中,对所述第三金属层图案化形成源漏极,所述源漏极与所述第三辅助电极同层设置。
[0017]为实现上述目的,本专利技术还提供一种显示终端,所述显示终端包括终端主体和上述任一实施方式所述的OLED显示面板,所述终端主体与所述显示面板相连接。
[0018]本专利技术的技术效果在于,提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示终端,在阵列基板上形成绝缘设置的第一辅助电极、第二辅助电极以及第三辅助电极,且第三辅助电极同时连接至第一辅助电极和第二辅助电极以形成一个阴极搭接结构,并且在保护层开设一底切开口,该底切开口用于暴露部分第三辅助电极,使得阴极与阴极搭接结构连接形成阴极搭接区,以减小阴极的阻抗,降低压降(IR Drop),使得OLED显示面板每一区域的本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:阵列基板,其包括第一辅助电极、第二辅助电极、第三辅助电极以及层间绝缘层,所述层间绝缘层形成于所述第一辅助电极与所述第二辅助电极之间、所述第二辅助电极与所述第三辅助电极之间,且所述第二辅助电极设置于所述第一辅助电极上;所述第三辅助电极设置于所述第二辅助电极上;其中,所述第三辅助电极同时连接至所述第一辅助电极和所述第二辅助电极;保护层,其设置于所述第三辅助电极上,所述保护层开设有一底切开口,该底切开口用于暴露部分所述第三辅助电极;阳极,其设置于所述保护层上;发光功能层,其设置于所述阳极上;以及阴极,其设置于所述发光功能层上,所述阴极延伸至所述底切开口且连接至所述第三辅助电极。2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第三辅助电极通过至少一个第一导电孔连接至所述第一辅助电极;所述第三辅助电极通过至少一个第二导电孔连接至所述第二辅助电极。3.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第三辅助电极通过两个所述第一导电孔连接至所述第一辅助电极,两个所述第一导电孔中的一个连接至所述第一辅助电极的一侧,另一个所述第一导电孔连接至所述第一辅助电极的另一侧;其中,所述第二辅助电极位于两个所述第一导电孔之间。4.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第三辅助电极同时通过两个所述第二导电孔连接至所述第二辅助电极。5.根据权利要求1

4任一项所述的OLED显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括:遮光层,其与所述第一辅助电极同层设置;栅极,其与所述第二辅助电极同层设置;以及源漏极,其与所述第三辅助电极同层设置。6.根据权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,还包括:衬底层,所述遮光层及所述第一辅助电极设置于所述衬底层上;缓冲层,其设置于衬底层上,且覆盖所述遮光层及所述第一辅助电极;有源层,其设置于所述缓冲层上,且所述有源层在所述衬底层上的正投影落入所述遮光层在所述衬底层上的正投影内;第一栅极绝缘层,其对应设置于所述有源层上;第二栅极绝缘层,其对应设置于所述缓冲层上;所述栅极对应设置于所述第一栅极绝缘层上,所述第二辅助电极对应设置于所述第二栅极绝缘层上,且所述第二辅助电极在所述衬底层上的正投影与所述第一辅助电极在所述衬底上的正投影至少部分重合;介电层,其覆盖所述栅极、所述第二辅助电极,且延伸至所述缓冲层上;以及所述源漏极设置于所述介电层上,且连接至所述有源层,所述第三辅助电极设置于所述介电层上,且同时连接至所述第一辅助电极和所述第二辅助电极,其中,所述第三辅助电
极在所述衬底层上的正投影与所述第一辅助电极在所述衬底上的正投影至少部分重合;其中,所述层间绝缘层包括所述缓冲层、所述介电层以及所述保护层。7.根据权利要求1

4任一项所述的OLED显示面板,其特征在于,所述保护层包括:钝化层,其设置...

【专利技术属性】
技术研发人员:段欢卓毅刘方梅宋志伟林高波胡凯
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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