【技术实现步骤摘要】
本专利涉及基带芯片技术,尤其涉及一种降低基带芯片接口功耗的方法 及相应芯片。
技术介绍
在手机平台的协处理芯片设计中, 一般要设计总线接口模块,使协处理 芯片能够正确理解基带芯片的读写指令。基带芯片通常会采用一种如图1所示的写时序,其中,CE弁为片选信号,RD弁为读信号,WE弁为写信号,vc—rdn# 为协处理芯片解析出的读信号,vc—wen弁为协处理芯片解析出的写信号。上 述所有信号都是在低电平时有效,即低有效。在这种写时序中,在片选信号CE弁有效期间,不仅写信号WE弁会有效, 而且读信号RD弁也会在WE弁无效时有效。在目前的电路设计中,协处理芯片通常采用以下逻辑表达式来解析读写 信号vc—rdn= CE# | RD#vc—wen= CE# | WE#其时序表如表1所示。表l现有技术中基带芯片进行写操作时的时序表<table>table see original document page 3</column></row><table><table>table see original documen ...
【技术保护点】
一种降低基带芯片接口功耗的方法,其特征在于,包括以下步骤:a、将访问地址的最低两位中的一位确定为读写标志位;b、将所述读写标志位置位后,基带芯片通过地址总线将所述访问地址发送给总线接口电路;c、所述总线接口电路对接收到的置位后的访问地址进行解析后,协处理芯片根据所述读写标志位、片选信号和所述基带芯片的读/写信号相应解析出读/写信号有效。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:马凤翔,
申请(专利权)人:北京中星微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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