一种基于VPX架构的热插拔电源控制电路结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种基于VPX架构的热插拔电源控制电路结构，由一个MOS管、一个三极管、3个电阻和8个电容组成，各部件连接关系为：电源复位键连接三极管，间接控制电源的关断。电容C8连三极管的基极，使三极管导通变缓；电阻R3连至MOS管Q1的栅极，电容C4和C5连至MOS管的源极。电阻R2接至三级管的集电极。电容C1、C2、C3、C6、C7接背板的输入电源接口。本实用新型专利技术能够解决VPX总线自身不具备热插拔的问题。解决VPX总线自身不具备热插拔的问题。解决VPX总线自身不具备热插拔的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于VPX架构的热插拔电源控制电路结构


[0001]本技术涉及一种控制电路结构，具体涉及一种基于VPX架构的热插拔电源控制电路结构。

技术介绍

[0002]热插拔(HotSwap)技术即带电插拔，在一些即插即用的设备中已被普遍运用，其允许用户在不关闭系统电源的情况下，将基于高速VPX总线架构的板卡插入或拔出系统而不影响系统的正常工作，从而提高了系统的可靠性、快速维修性、冗余性和对灾难的及时恢复能力等。对于多板卡集成的数字化系统而言，热插拔技术可在维持整个数字化系统稳定的情况下，更换发生故障的个别板卡，并保证数字化系统中其他板卡的正常运作。
[0003]由于VPX总线在物理硬件基础上不具有对热插拔的支持能力，同时VPX总线也没有明确表示支持热插拔功能。因此，现有的基于VPX总线架构的设备/板卡，都尚不支持热插拔功能。但是随着VPX总线的优势体现，在VPX总线被广泛应用的同时，对VPX总线热插拔功能的需求正在逐渐上升。

技术实现思路

[0004]针对上述技术问题，本技术实施例提供一种基于VPX架构的热插拔电源控制电路结构，以解决VPX总线自身不具备热插拔的问题。
[0005]本技术采用的技术方案为：
[0006]本技术实施例提供一种基于VPX架构的热插拔电源控制电路结构，包括：MOS管Q1、三极管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第一至第八电容；
[0007]其中，所述三极管Q2的基极与电源复位键连接，所述三极管Q2的集电极与第二电阻R2的一端连接；所述电源复位键与VPX板卡的助拔器连接；
[0008]第八电容的一端与所述三极管Q2的基极连接，另一端与所述三极管Q2的发射极连接；
[0009]所述第二电阻R2的另一端与MOS管Q1的栅极连接；
[0010]第一至第三电容形成第一电容组，第一电容组与背板的输入电源接口和MOS管Q1的源极分别连接；
[0011]第四电容和第五电容形成第二电容组，第二电容组的一端与MOS管的源极连接，另一端与MOS管Q1的栅极连接；
[0012]第一电阻R1的一端与三极管Q1的集电极连接，另一端与MOS管Q2的源极连接；
[0013]第一电阻R1的一端与MOS管Q2的源极连接，另一端与MOS管Q2的漏极连接；
[0014]第六电容和第七电容形成第三电容组，第三电容组与MOS管Q2的漏极和VPX板卡的输入电源接口分别连接。
[0015]本技术实施例至少具有以下技术效果：通过基于高速VPX总线板卡助拔器连接的3态微动开关作为触发信号，在电路中用到了三极管和MOS管做电源开关，能够解决VPX
总线不支持热插拔的问题，具有稳定可靠的热插拔效果。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本技术实施例提供的基于VPX架构的热插拔电源控制电路结构的结构示意图。
具体实施方式
[0018]为使本技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0019]图1为本技术实施例提供的基于VPX架构的热插拔电源控制电路结构的结构示意图。如图1所示，本技术实施例提供的基于VPX架构的热插拔电源控制电路结构的结构，包括：MOS管Q1、三极管Q2、第一电阻R1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1至第八电容C8。
[0020]其中，所述三极管Q2的基极(B极)与电源复位键1连接，所述三极管Q2的集电极(C极)与第二电阻R2的一端连接。所述第二电阻R2的另一端与MOS管Q1的栅极连接。
[0021]在本技术实施例中，所述电源复位键1可通过引线与VPX板卡的助拔器连接，用于间接控制电源的关断。在本技术实施例中，凡符合OPEN
‑
VPX总线架构的设备/板卡(含3U和6U)，包括VPX板卡和助拔器，所述助拔器固定在电源板卡的上端，所述助拔器包括3态微动开关，通过助拔器控制微动开关的开启和关闭进而控制VPX电源的工作状态。
[0022]继续参考图1，第八电容C8的一端与所述三极管Q2的基极连接即与电源复位键1和三极管Q2之间的线路连接，另一端与所述三极管Q2的发射极(E极)连接。三极管Q2的发射极还与地连接。进一步地，第一电容C1至第三电容C3并联连接形成第一电容组，第一电容组与背板的输入电源接口2和MOS管Q1的源极(S极)分别连接。在本技术实施例中，背板用于为多个VPX板卡提供电源，多个VPX板卡插在背板上。背板的输入电源可为12V直流电源。第一电容组用于起滤波作用，滤除杂波和交流成分。
[0023]进一步地，第四电容C4和第五电容C5并联连接形成第二电容组，第二电容组的一端与MOS管Q1的源极连接，另一端与MOS管Q1的栅极(G极)连接。第二电阻R2和第二电容组共同控制MOS管Q1的导通速度。第二电阻R2的取值范围可为10KΩ到800KΩ，优选，可为100KΩ。
[0024]进一步地，第一电阻R1的一端与三极管Q1的集电极C连接，即与三极管Q1和第二电阻R2之间的线路连接，第一电阻R1的另一端与MOS管Q2的源极连接，即与第一容组和第二电容组之间的线路连接。第一电阻R1为Q1的栅极分压电阻，在三极管Q2不导通时R2起上拉作用，导通时起限流的作用，取值范围为10KΩ到800KΩ，优选，可为100KΩ。
[0025]进一步地，第六电容C6和第七电容C7并联连接形成第三电容组，第三电容组与MOS管Q2的漏极D和VPX板卡的输入电源接口3分别连接。VPX板卡的输入电源为12V直流电源。第
六电容C6和第七电容C7分别为输出滤波电容。第三电容组还与地连接。
[0026]本技术实施例提供的基于VPX架构的热插拔电源控制电路结构通过基于高速VPX总线板卡助拔器连接的3态微动开关作为触发信号，在电路中用到了三极管和MOS管做电源开关，电路工作原理为：
[0027]电源复位键1为高电平时，Q2的基极的控制信号为高电平，Q2处于导通状态，使得Q1的栅极拉到低电平，此时Q1处于导通状态，即三极管Q2和MOS管Q1均导通，电源接通，负载上电；
[0028]电源复位键1为低电平时，Q2的基极的控制信号为低电平，Q2处于截至状态，Q1的栅极被R2拉到高电平，Q1恢复截至状态，即三极管Q2和MOS管Q1均不导通，电源关断不通，负载下电。
[0029]进一步地，在本技术实施例中，第八电容C8的作用在于能够使得三级管Q2的导通时间变缓，从而能够使得在上电时，微动开关的打开速度不会过快，而是缓慢打开，从而使得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于VPX架构的热插拔电源控制电路结构，其特征在于，包括：MOS管Q1、三极管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第一至第八电容；其中，所述三极管Q2的基极与复位键连接，所述三极管Q2的集电极与第二电阻R2的一端连接；所述复位键与VPX板卡的助拔器连接；第八电容的一端与所述三极管Q2的基极连接，另一端与所述三极管Q2的发射极连接；所述第二电阻R2的另一端与MOS管Q1的栅极连接；第一至第三电容形成第一电容组，第一电容组与背板的输入电源接口和MOS管Q1的源极分别连接；第四电容和第五电容形成第二电容组，第二电容组的一端与MOS管的源极连接，另一端与MOS管Q1的栅极连接；第一电阻R1的一端与三...

【专利技术属性】
技术研发人员：王安良，刘海亮，
申请(专利权)人：北京华建云鼎科技股份公司，
类型：新型
国别省市：