一种高纯度氧化硼制备系统及其制备工艺技术方案

本发明专利技术涉及氧化硼制备技术领域，公开了提供了一种高纯度氧化硼制备系统及其制备工艺，包括第一坩埚、顶盖、第二坩埚、第一流体装置、第二流体装置、封闭件、压力调节装置和温度调节装置；所述顶盖可拆卸连接于所述第一坩埚的上端；所述第一流体装置包括第一管件，所述第一管件具有第一通道；所述第二流体装置包括第二管件，所述第二管件具有第二通道；所述封闭件与所述第二管件连接；所述压力调节装置分别连接所述第一煅烧室和第二煅烧室；所述温度调节装置分别连接所述第一坩埚和第二坩埚；本发明专利技术所提供的高纯度氧化硼制备系统能够避免杂质元素在氧化硼的生产过程中污染坩埚内的物料、有利于提高生产出的氧化硼的纯度。有利于提高生产出的氧化硼的纯度。有利于提高生产出的氧化硼的纯度。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯度氧化硼制备系统及其制备工艺


[0001]本专利技术涉及氧化硼制备
，特别是涉及一种高纯度氧化硼制备系统及其制备工艺。

技术介绍

[0002]液封晶体生长法(LEC)是制备
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物半导体(如砷化镓、磷化镓、砷化铟)的一种主要方法，该方法需要在普通直拉法坩埚中的熔体表面上覆盖一液相层，以防止化合物半导体易挥发组分的损失。液相层通常采用纯度≥99.999％，含水率≤200ppm的氧化硼。
[0003]现有技术的氧化硼制备系统采用设置在石英石炉膛内的开放式坩埚，石英石炉膛内的各种杂质元素容易在氧化硼的生产过程中污染坩埚内的物料，降低生产出的氧化硼的纯度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种能够避免杂质元素在氧化硼的生产过程中污染坩埚内的物料、有利于提高生产出的氧化硼的纯度的高纯度氧化硼制备系统及其制备工艺。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种高纯度氧化硼制备系统，包括第一坩埚、顶盖、第二坩埚、第一流体装置、第二流体装置、封闭件、压力调节装置和温度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高纯度氧化硼制备系统，其特征在于，包括：第一坩埚，所述第一坩埚具有第一煅烧室，所述第一煅烧室具有第一进料口和第一出料口；顶盖，所述顶盖可拆卸连接于所述第一坩埚的上端并能够封闭或打开所述第一进料口；第二坩埚，所述第二坩埚具有第二煅烧室，所述第二煅烧室具有第二进料口和第二出料口；第一流体装置，所述第一流体装置包括第一管件，所述第一管件具有第一通道，所述第一通道的上端与所述第一出料口连通、下端与所述第二进料口连通；第二流体装置，所述第二流体装置包括第二管件，所述第二管件具有第二通道，所述第二通道的上端与所述第二出料口连通、下端具有第三出料口；封闭件，所述封闭件与所述第二管件连接并能够封闭或打开所述第三出料口；压力调节装置，所述压力调节装置分别连接所述第一煅烧室和第二煅烧室；温度调节装置，所述温度调节装置分别连接所述第一坩埚和第二坩埚。2.根据权利要求1所述的高纯度氧化硼制备系统，其特征在于，所述第一流体装置还包括第一冷却件、第一加热件和第一温度传感器；所述第一冷却件与所述第一管件连接并能够降低所述第一通道内的介质的温度，所述第一加热件与所述第一管件连接并能够提高所述第一通道内的介质的温度，所述第一温度传感器与所述第一管件连接并能够检测所述第一通道的内部温度。3.根据权利要求2所述的高纯度氧化硼制备系统，其特征在于，所述第一冷却件包括第一冷却体、第一冷却介质输入管和第一冷却介质输出管；所述第一冷却体包裹于所述第一管件的外壁上，所述第一冷却体的内部具有环绕所述第一管件的第一冷却腔，所述第一冷却介质输入管与所述第一冷却腔连通，所述第一冷却介质输出管与所述第一冷却腔连通；所述第一加热件为第一中频感应线圈，所述第一中频感应线圈缠绕于所述第一管件的外壁上。4.根据权利要求2所述的高纯度氧化硼制备系统，其特征在于，还包括第一隔热组件，所述第一隔热组件包括第一隔热板、第二隔热板，所述第一隔热板设于所述第一管件的上端并具有第一通孔，所述第一管件由上至下穿过所述第一通孔，所述第二隔热板设于所述第一管件的下端并具有第二通孔，所述第一管件由上至下穿过所述第一通孔，所述第一冷却件、第一加热件和第一温度传感器均位于所述第一隔热板和第二隔热板之间。5.根据权利要求1所述的高纯度氧化硼制备系统，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗爱斌，杨伟，赵果，徐成，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：