一种CMOS射频功率放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种CMOS射频功率放大器，涉及CMOS射频放大器技术领域。一种CMOS射频功率放大器，包括射频功率放大器机体和、芯片和盖板，插口内水平方向上开设有滑口，滑口内滑动连接着卡头，卡头连接着联动板，联动板滑动设置在射频功率放大器机体的内槽内，联动板背离插口的端面上设有复位弹簧。本发明专利技术射频功率放大器机体1进行拼装时直接将盖板上的插杆对准机体上的插口插接，插接前按动联动板，卡头就可移出插口，从而插杆就可插入，插入后联动板就会受到复位弹簧的顶动使卡头卡进卡口内，从而就可实现盖板的固定，就可实现拼装，通过设置就可使组装更加的省时省力。置就可使组装更加的省时省力。置就可使组装更加的省时省力。

【技术实现步骤摘要】
一种CMOS射频功率放大器


[0001]本专利技术属于CMOS射频放大器
，具体涉及一种CMOS射频功率放大器。

技术介绍

[0002]射频功率放大器(RF PA)是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。
[0003]但是这种射频放大器在实践的使用过程中存在以下问题：
[0004]现有技术的射频放大器射频前端是通过CMOS工艺来实现，从而使射频前端和基带处理器集成在同一块芯片上，最后将集成的芯片放置到机体内，但现有技术中的射频放大器整体是通过拼装完成，拼装时通过螺栓进行固定，但机体通过螺栓完成拼装就较为费力，需要重复劳动，从而增加了人员的劳动强度。
[0005]因此，有必要提供一种CMOS射频功率放大器解决上述技术问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种CMOS射频功率放大器。
[0007]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种CMOS射频功率放大器，包括射频功率放大器机体和、芯片和盖板，所述射频功率放大器机体的输入端设有控制器，所述射频功率放大器机体内部设有芯片，所述射频功率放大器机体上设置有盖板，所述盖板的中部设有插杆，所述插杆上开设有卡口，所述插杆对应射频功率放大器机体上开设有插口，所述插口的两侧开设有限位口，所述限位口对应的盖板上设有限位杆；
[0008]所述插口内水平方向上开设有滑口，所述滑口内滑动连接着卡头，所述卡头连接着联动板，所述联动板滑动设置在射频功率放大器机体的内槽内，所述联动板背离插口的端面上设有复位弹簧。
[0009]在本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器中，所述内槽内设置有凸台，所述凸台的中部开设着插口，所述凸台与内槽的上方端口位置开设有安装口，所述安装口呈U型设置。
[0010]在本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器中，所述安装口的两端设置有螺口，所述安装口内设置有安装板，所述安装板对应的插口位置上开设有通口，所述安装板对应的螺口位置设有螺钉。
[0011]在本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器中，所述联动板与卡头连接的位置处开设有内口，所述内口对应的内槽位置上设置有套杆，所述套杆滑动连接在内口内，所述套杆上套接着复位弹簧。
[0012]在本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器中，所述内槽的侧缘上开设有侧槽，所
述侧槽的竖直方向上方设有上导轨。
[0013]在本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器中，所述侧槽的竖直方向下方设置有下导轨，所述上导轨与下导轨位置对应。
[0014]在本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器中，所述侧槽内滑动连接着导杆，所述导杆的另一端连接着联动板。
[0015]在本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器中，所述导杆对应的上导轨和下导轨位置上开设有空位，所述导杆通过空位滑动连接在上导轨和下导轨。
[0016]与相关技术相比较，本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器具有如下有益效果：
[0017]本专利技术提供一种CMOS射频功率放大器，本方案通过在射频功率放大器上设置凸台，凸台设置在内槽内，凸台的外圈滑动连接着联动板，凸台中部开设着插口，联动板连接的卡头滑动设置在插口内，联动板的另一端连接着复位弹簧，复位弹簧就可顶着联动板使卡头保持向插口移动的状态，需要组装射频功率放大器机体时就可将盖板对准插口，然后向内按动联动板，联动板就可挤压复位弹簧，从而使卡头移出插口，然后就可将插杆插入到插口内，插杆上开设有卡口，松开联动板后卡头就可进入到插口内，然后插入到卡口内，从而就可完成对盖板的拼装，通过设置就可方便机体的组装，从而方便后期的维护。
[0018]本专利技术提供一种CMOS射频功率放大器，本方案通过在联动板的侧端设置导杆，导杆对应的内槽侧缘上开设有侧槽，侧槽的竖直方向上分别设置有上导轨和下导轨，导杆就可滑动连接在上导轨和下导轨之间，从而联动板就可被限位，联动板移动时就不会脱出内槽。
附图说明
[0019]图1为本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器的结构示意图一；
[0020]图2为本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器的结构示意图二；
[0021]图3为本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器中安装口的连接示意图；
[0022]图4为本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器中侧槽的连接示意图；
[0023]图5为本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器中卡头的连接示意图；
[0024]图6为本专利技术提供的一种CMOS射频功率放大器中复位弹簧的连接示意图。
[0025]图中标号：1、射频功率放大器机体；2、限位口；3、盖板；4、控制器；5、安装板；6、通口；7、螺钉；8、限位杆；9、插杆；10、卡口；11、安装口；12、芯片；13、侧槽；14、上导轨；15、下导轨；16、导杆；17、螺口；18、内槽；19、凸台；20、插口；21、滑口；22、卡头；23、联动板；24、内口；25、复位弹簧；26、套杆。
具体实施方式
[0026]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的典型实施例。
[0027]实施例一：
[0028]如图1、图2、图5和图6所示，本专利技术的一种CMOS射频功率放大器，包括射频功率放大器机体1、芯片12和盖板3，射频功率放大器机体1的输入端设有控制器4，射频功率放大器机体1内部设有芯片12，射频功率放大器机体1上设置有盖板3，盖板3的中部设有插杆9，插
杆9上开设有卡口10，插杆9对应射频功率放大器机体1上开设有插口20，插口20的两侧开设有限位口2，限位口2对应的盖板3上设有限位杆8；
[0029]插口20内水平方向上开设有滑口21，滑口21内滑动连接着卡头22，卡头22连接着联动板23，联动板23滑动设置在射频功率放大器机体1的内槽18内，联动板23背离插口20的端面上设有复位弹簧25，射频功率放大器机体1进行拼装时直接将盖板3上的插杆9对准机体上的插口20插接，插接前按动联动板23，卡头22就可移出插口20，从而插杆9就可插入，插入后联动板23就会受到复位弹簧25的顶动使卡头22卡进卡口10内，从而就可实现盖板3的固定，就可实现拼装，通过设置就可使组装更加的省时省力。
[0030]如图5所示，内槽18内设置有凸台19，凸台19的中部开设着插口20，凸台19与内槽18的上方端口位置开设有安装口11，安装口11呈U型设置，通过安装口11设置就可实现安装板5的安装。
[0031]进一步地，在本专利技术一实施例中，如图3所示，安装口11的两端设置有螺口17，安装口11内设置有安装板5，安装板5对应的插口20位置上开设有通口本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMOS射频功率放大器，包括射频功率放大器机体(1)、芯片(12)和盖板(3)，其特征在于：所述射频功率放大器机体(1)的输入端设有控制器(4)，所述射频功率放大器机体(1)内部设有芯片(12)，所述射频功率放大器机体(1)上设置有盖板(3)，所述盖板(3)的中部设有插杆(9)，所述插杆(9)上开设有卡口(10)，所述插杆(9)对应射频功率放大器机体(1)上开设有插口(20)，所述插口(20)的两侧开设有限位口(2)，所述限位口(2)对应的盖板(3)上设有限位杆(8)；所述插口(20)内水平方向上开设有滑口(21)，所述滑口(21)内滑动连接着卡头(22)，所述卡头(22)连接着联动板(23)，所述联动板(23)滑动设置在射频功率放大器机体(1)的内槽(18)内，所述联动板(23)背离插口(20)的端面上设有复位弹簧(25)。2.根据权利要求1所述的一种CMOS射频功率放大器，其特征在于，所述内槽(18)内设置有凸台(19)，所述凸台(19)的中部开设着插口(20)，所述凸台(19)与内槽(18)的上方端口位置开设有安装口(11)，所述安装口(11)呈U型设置。3.根据权利要求2所述的一种CMOS射频功率放大器，其特征在于，所述安装口(11)的两端设置有螺口(17)，所述安装...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭照楠，黄志祥，
申请(专利权)人：彭照楠，
类型：发明
国别省市：