一种基于单波长色散荧光硫氯硅元素一体化测定仪制造技术

本发明专利技术公开了一种基于单波长色散荧光硫氯硅元素一体化测定仪，包括X射线光管、样品室、双曲面弯晶、第一探测器、第二探测器、第三探测器、第一晶体、第二晶体和第三晶体；双曲面弯晶设置在所述X射线光管的一侧，样品室设置在双曲面弯晶的一侧，第一晶体、第二晶体和第三晶体分别设置在所述样品室的一侧，第一探测器设置在所述第一晶体的一侧以接收硫元素检测光线，第二探测器设置在所述第二晶体的一侧以接收氯元素检测光线，第三探测器设置在第三晶体的一侧以接收硅元素检测光线；通过上述结构，本申请将总硫、总氯和总硅元素的测量集中到一台仪器中，可一次分析三种元素，环保节能，大大提高了运行效率。大大提高了运行效率。大大提高了运行效率。

【技术实现步骤摘要】
一种基于单波长色散荧光硫氯硅元素一体化测定仪


[0001]本专利技术涉及化工产品检测
，具体涉及一种基于单波长色散荧光硫氯硅元素一体化测定仪。

技术介绍

[0002]随着微量元素X射线荧光测量仪应用领域的拓展，市场上针对一种元素测量的X荧光测定仪较多，想测量多种元素的含量，只能购买多台仪器，造成了极大的资源浪费。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种基于单波长色散荧光硫氯硅元素一体化测定仪。
[0004]本专利技术所采用的技术方案是：
[0005]一种基于单波长色散荧光硫氯硅元素一体化测定仪，包括X射线光管以及用于引入样品的样品室，还包括双曲面弯晶、第一探测器、第二探测器、第三探测器、第一晶体、第二晶体和第三晶体；所述双曲面弯晶设置在所述X射线光管的一侧以接收入射光线，所述样品室设置在所述双曲面弯晶的一侧以接收衍射光线，所述第一晶体、第二晶体和第三晶体分别设置在所述样品室的一侧以对应接收硫元素荧光线、氯元素荧光线和硅元素荧光线，所述第一探测器设置在所述第一晶体的一侧以接收硫元素检测光线，所述第二探测器设置在所述第二晶体的一侧以接收氯元素检测光线，所述第三探测器设置在所述第三晶体的一侧以接收硅元素检测光线。
[0006]进一步，所述双曲面弯晶设置在所述X射线光管的一侧，以使所述X射线光管发出的特征X射线入射到所述双曲面弯晶的任何点的晶面均满足布拉格条件。
[0007]进一步，所述第一探测器和第一晶体位于所述衍射光线的一侧。/>[0008]进一步，所述第二探测器、第三探测器、第二晶体和第三晶体位于所述衍射光线的另一侧。
[0009]进一步，还包括恒温装置，所述X射线管置于所述恒温装置内。
[0010]进一步，所述恒温装置包括恒温控制电路、温度传感器、散热装置和制冷装置，所述温度传感器与所述恒温控制电路连接，用于检测所述X射线管的外表温度、并将温度值发送给恒温控制电路，所述恒温控制电路与所述散热装置和制冷装置连接，用于根据温度值控制所述散热装置和制冷装置工作。
[0011]进一步，还包括单片机和上位机，所述第一探测器、第二探测器和第三探测器的输出端均与所述单片机连接，所述单片机与上位机通信。
[0012]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0014]图1为本申请实施例所提供的基于单波长色散荧光硫氯硅元素一体化测定仪结构示意图；
[0015]图2为本申请实施例所提供的恒温装置结构示意图。
[0016]其中，X射线光管1、双曲面弯晶2、样品室3、第一晶体4、第二晶体5、第三晶体6、第一探测器7、第二探测器8、第三探测器9、恒温装置10、温度传感器101、恒温控制电路102、散热装置103、制冷装置104。
具体实施方式
[0017]下面将结合具体实施例对本专利技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。
[0018]需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域技术人员所理解的通常意义。
[0019]参见图1～图2，本申请一种基于单波长色散荧光硫氯硅元素一体化测定仪，包括X射线光管1以及用于引入样品的样品室3，还包括双曲面弯晶2、第一探测器7、第二探测器8、第三探测器9、第一晶体4、第二晶体5和第三晶体6；所述双曲面弯晶2设置在所述X射线光管1的一侧以接收入射光线，所述样品室3设置在所述双曲面弯晶2的一侧以接收衍射光线，所述第一晶体4、第二晶体5和第三晶体6分别设置在所述样品室3的一侧以对应接收硫元素荧光线、氯元素荧光线和硅元素荧光线，所述第一探测器7设置在所述第一晶体4的一侧以接收硫元素检测光线，所述第二探测器8设置在所述第二晶体5的一侧以接收氯元素检测光线，所述第三探测器9设置在所述第三晶体6的一侧以接收硅元素检测光线。
[0020]通过上述结构，本申请将总硫、总氯和总硅元素的测量集中到一台仪器中，可一次分析三种元素，环保节能，大大提高了运行效率。
[0021]X射线光管1采用微焦斑镉靶薄铍窗X射线管，其作为点光源，用于发射特征X射线。
[0022]硅硫氯三种元素的荧光线能量分别为：1.74Kev、2.31Kev、2.62Kev,吸收限分别为：1.84Kev、2.47Kev、2.82Kev，选择微焦斑镉靶薄铍窗X射线管，确保样品中弹性散射和非散射的X射线不与所需检测元素的荧光线重叠。
[0023]双曲面弯晶2采用全聚焦双曲面弯晶2，其设置在X射线光管1的一侧，以保证特征X射线入射到双曲面弯晶2的任何点的晶面均满足布拉格(Bragg)条件，并严格聚焦到位于罗兰圆所在面的出射点，实现高强度点到点的衍射聚焦，将X射线管出射谱中高强靶材特征谱单色化聚焦入射样品中。
[0024]双曲面弯晶2用于将特征X射线中高强度靶材特征谱线和晶体二次靶特征谱线衍射并聚焦到样品面，单色化照射样品，能量聚焦提升特征元素激发效率，信噪比大幅提升，解决了元素激发效率低、检测精度低的难题。
[0025]样品室3用于引入样品，其设置在双曲面弯晶2的一侧，特征X射线由双曲面弯晶2
衍射形成的衍射光线聚焦于样品室3的样品面中心。
[0026]第一探测器7、第二探测器8和第三探测器9用于将检测到的元素特征荧光信号转换为电信号。第一探测器7、第二探测器8和第三探测器9均采用高分辨率的硅漂移探测器，其在高计数率下分辨率依然很高，可以检测含量低的元素。
[0027]所述第一探测器7和第一晶体4位于所述衍射光线的一侧，第一探测器7用于检测样品中的硫元素。
[0028]所述第二探测器8、第三探测器9、第二晶体5和第三晶体6位于所述衍射光线的另一侧；第二探测器8用于检测样品中的氯元素，第三探测器9用于检测样品中的硅元素。
[0029]为了便于对数据进行处理，还包括括单片机和上位机，所述第一探测器7、第二探测器8和第三探测器9的输出端均与所述单片机连接，所述单片机与上位机通信。
[0030]第一探测器7、第二探测器8和第三探测器9将样品中检测到的元素特征荧光信号转换为电信号，对信号进行降噪、抑制和放大处理后，发送给单片机，单片机将数据发送给上位机，由上位机对信号进行处理，得到检测数据。
[0031]在进行数据处理时，可采用基本参数法与非线性最小二乘法等数学模型拟合曲线，减小元素间谱线重叠干扰、元素间吸收增强效应以及基体效应等影响，获取X射线荧光强度并进行无标定量计算，利用无标计算值与标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于单波长色散荧光硫氯硅元素一体化测定仪，包括X射线光管以及用于引入样品的样品室，其特征在于，还包括双曲面弯晶、第一探测器、第二探测器、第三探测器、第一晶体、第二晶体和第三晶体；所述双曲面弯晶设置在所述X射线光管的一侧以接收入射光线，所述样品室设置在所述双曲面弯晶的一侧以接收衍射光线，所述第一晶体、第二晶体和第三晶体分别设置在所述样品室的一侧以对应接收硫元素荧光线、氯元素荧光线和硅元素荧光线，所述第一探测器设置在所述第一晶体的一侧以接收硫元素检测光线，所述第二探测器设置在所述第二晶体的一侧以接收氯元素检测光线，所述第三探测器设置在所述第三晶体的一侧以接收硅元素检测光线。2.根据权利要求1所述的基于单波长色散荧光硫氯硅元素一体化测定仪，其特征在于，所述双曲面弯晶设置在所述X射线光管的一侧，以使所述X射线光管发出的特征X射线入射到所述双曲面弯晶的任何点的晶面均满足布拉格条件。3.根据权利要求1所述的基于单波长色散荧光硫氯硅元素一体化测定仪，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋东芹，赵双平，沙小丽，
申请(专利权)人：宋东芹，
类型：发明
国别省市：