一种MEMS压力传感器制造技术

公开了一种MEMS压力传感器，MEMS压力传感器，包括：衬底；红外光源，位于所述衬底上；热电堆结构，位于所述衬底上，其与所述红外光源相互分离；键合层，位于所述介质层上，围绕所述红外光源和所述热电堆结构；反射层，位于所述键合层远离所述介质层的表面；以及压力感应层，位于所述反射层远离所述键合层的表面，用于感受压力并且受力时带动所述反射层发生形变；其中，所述键合层的内表面以及所述反射层与所述介质层相对的表面构成反射面，所述红外光源发的红外光经所述反射层反射至所述热电堆结构。的红外光经所述反射层反射至所述热电堆结构。的红外光经所述反射层反射至所述热电堆结构。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS压力传感器


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种MEMS压力传感器。

技术介绍

[0002]MEMS器件是在微电子技术基础上发展起来的采用微加工工艺制作的微电子机械器件，已经广泛地用作传感器和执行器。例如，MEMS器件可以是压力传感器、加速度计、陀螺仪、硅电容麦克风。
[0003]传统的MEMS压力传感器通常为压阻式MEMS压力传感器及电容MEMS压力传感器，压阻式MEMS压力传感器及电容MEMS压力传感器在测量过程中通常会存在寄生的问题，对测量的灵敏度造成影响。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种MEMS压力传感器，采用热电堆结构以及红外光源，代替了传统的压阻式MEMS压力传感器及电容MEMS压力传感器，从而减少了寄生，提高了灵敏度。
[0005]本技术第一方面提供一种MEMS压力传感器，包括：
[0006]衬底；
[0007]红外光源，位于所述衬底上；
[0008]热电堆结构，位于所述衬底上，其与所述红外光源相互分离；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS压力传感器，包括：衬底；红外光源，位于所述衬底上；热电堆结构，位于所述衬底上，其与所述红外光源相互分离；键合层，位于所述衬底上，围绕所述红外光源和所述热电堆结构；反射层，位于所述键合层远离所述衬底的表面；以及压力感应层，位于所述反射层远离所述键合层的表面，用于感受压力并且受力时带动所述反射层发生形变；其中，所述键合层的内表面以及所述反射层与所述衬底相对的表面构成反射面，所述红外光源发的红外光经所述反射层反射至所述热电堆结构。2.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其中，还包括介质层，所述介质层位于所述衬底的第一表面，所述热电堆结构埋设于所述介质层内部，所述红外光源位于所述介质层内，且暴露于所述介质层远离所述衬底的表面。3.根据权利要求2所述的MEMS压力传感器，其中，所述介质层包括层叠的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层位于所述衬底的第一表面，所述第二介质层位于所述第一介质层的表面。4.根据权利要求3所述的MEMS压力传感器，其中，包括接...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡春华，万蔡辛，赵成龙，巩啸风，何政达，陈骁，
申请(专利权)人：无锡韦感半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：