一种基于聚酰亚胺的低维材料的转移方法技术

本发明专利技术涉及一种利用聚酰亚胺薄膜转移低维材料的方法，具体包括将聚酰胺酸溶液涂覆在已生长有低维材料的刚性基底表面，热处理形成聚酰亚胺薄膜再进行剥离，从而实现低维材料从刚性基底到柔性聚酰亚胺薄膜基底的转移。与现有技术相比，本发明专利技术所提供方法不仅能够将在刚性基底上生长的低维材料完整地从刚性基底转移至柔性聚酰亚胺衬底上，而且该方法工艺简单、转移率高，转移后的低维材料完整度高、表面洁净度高、数量保持度好，可直接用于低维材料的原位柔性器件的制备与表征。的原位柔性器件的制备与表征。的原位柔性器件的制备与表征。

【技术实现步骤摘要】
一种基于聚酰亚胺的低维材料的转移方法


[0001]本专利技术涉及柔性电子
，尤其涉及一种将低维材料洁净、无损地从刚性衬底上转移至柔性聚酰亚胺衬底上，以实现其原位柔性器件的制备与表征。

技术介绍

[0002]近年来，柔性电子器件作为未来电子科技的发展方向之一备受瞩目，低维材料如二硫化钼、碲等所展现出的优异电学、光学、热学、机械和化学等特性使其在柔性电子器件的制备与应用上极具潜力，然而大多数低维材料沉积生长过程都需要400度以上的高温条件，所选沉积衬底仅限于Cu、Ni、Pt、Au、Si、SiO2等耐高温无机刚性衬底，无法直接原位制备其柔性电子器件，不利于其在柔性电子
的应用。
[0003]目前低维材料柔性电子器件的常用制备方法为两步法，即预先在无机刚性衬底上通过化学气相沉积法、化学气相传输法、水热法等方法生长出低维材料，再通过基体刻蚀法、电化学鼓泡法、聚二甲基硅氧烷辅助转移法、卷对卷转移法等转移方法将低维材料从刚性基底上转移至柔性衬底上，再制备其柔性电子器件。但由于这些方法或使用化学试剂或需要转移介质层等，中间过程极易引入杂质造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于聚酰亚胺的低维材料的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将聚酰胺酸溶液涂覆在已生长有低维材料的刚性基底表面；2)进行热处理，在已生长有低维材料的刚性基底表面形成聚酰亚胺薄膜；3)剥离聚酰亚胺薄膜，将低维材料从刚性衬底上转移至柔性聚酰亚胺薄膜上。2.根据权利要求1所述的基于聚酰亚胺的低维材料的转移方法，其特征在于，步骤1)中所述的聚酰胺酸溶液由芳香二酐与芳香二胺在极性溶剂中聚合而成；所述的芳香二酐选自均苯四甲酸二酐、3，3
’
，4，4
’‑
联苯四羧酸二酐和4，4
’‑
氧双邻苯二甲酸酐中的一种；所述的芳香二胺为1，4
‑
双氨基苯、4,4'
‑
二氨基二苯醚、1,4
‑
双(4
‑
氨基苯氧基)苯和4，4
’‑
双(4
‑
氨基苯氧基)联苯中的一种。3.根据权利要求1或2所述的基于聚酰亚胺的低维材料的转移方法，其特征在于，所述的极性溶剂为N，N
‑
二甲基甲酰胺、N，N
‑
二甲基乙酰胺、N
‑
甲基吡咯烷酮或其中二种的体积1：1的混合物。4.根据权利要求1或2所述的基于聚酰...

【专利技术属性】
技术研发人员：王学文，赵若晴，吴昊，许曼章，董璇，黄维，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：