一种稳定同位素质谱仪离子源制造技术

技术编号:36436216 阅读:55 留言:0更新日期:2023-01-20 22:50
本发明专利技术属于质谱仪技术领域,特别涉及一种稳定同位素质谱仪离子源。其技术方案为:一种稳定同位素质谱仪离子源,包括固定底座,固定底座一侧连接有高压电极,固定底座另一侧设置有若干支撑柱,支撑柱的另一侧连接有限位座,支撑柱之间依次安装有用于轰击样品的电离室、用于校正离子束的校正单元和调整离子束宽度的狭缝单元,限位座上连接有用于调节离子束速度的加速单元,固定底座连接有腔体,腔体套设于若干支撑柱外,腔体上连接有用于向电离室输入样品的进样阀门,电离室、校正单元、狭缝单元和加速单元均与高压电极通过高压导线连接。本发明专利技术提供了一种方便调节离子束宽度和能量的稳定同位素质谱仪离子源。稳定同位素质谱仪离子源。稳定同位素质谱仪离子源。

【技术实现步骤摘要】
一种稳定同位素质谱仪离子源


[0001]本专利技术属于质谱仪
,特别涉及一种稳定同位素质谱仪离子源。

技术介绍

[0002]质谱仪旨在测定气态中化学元素及其化合物的同位素组成,离子源的作用是将气态分子转换成正离子形态并加速聚焦成一束离子束,便于后续带电离子磁场分析。离子接收器的作用是用于收集经过电磁铁分析后的离子,带电离子运动具有电流,通过外接设备将电流放大,可测出收集的离子比值,从而测量到不同质荷比的同位素比值。
[0003]磁式质谱仪的工作原理是基于分析物气体分子的空间分离,这些气体分子在质量上被电离并形成离子束,然后确定每种成分的相对含量及其分子量。为了实现这一目标,将被分析的气体注入质谱仪的进样系统,经过初步准备工作后,它通过针阀进入位于泵出到高真空位置的离子源。在离子源中,注入气体的一些分子在被电子束轰击时被电离。产生的正离子或负离子(取决于电离模式)被离子源的离子光学系统收集成窄束,同时被加速到比初始热能传播高很多倍的能量。产生的单离子束被引导到横向均匀磁场(分析器)中,在那里它被分成多个束,每个束包含只有一个m/e值本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种稳定同位素质谱仪离子源,其特征在于:包括固定底座(1),固定底座(1)一侧连接有高压电极(2),固定底座(1)另一侧设置有若干支撑柱(3),支撑柱(3)的另一侧连接有限位座(4),支撑柱(3)之间依次安装有用于轰击样品的电离室(5)、用于校正离子束的校正单元(6)和调整离子束宽度的狭缝单元(7),限位座(4)上连接有用于调节离子束速度的加速单元(8),固定底座(1)连接有腔体(9),腔体(9)套设于若干支撑柱(3)外,腔体(9)上连接有用于向电离室(5)输入样品的进样阀门(91),电离室(5)、校正单元(6)、狭缝单元(7)和加速单元(8)均与高压电极(2)通过高压导线连接。2.根据权利要求1所述的一种稳定同位素质谱仪离子源,其特征在于:所述固定底座(1)内连接有伺服弹簧(11),伺服弹簧(11)的另一端连接有安装座(12),支撑柱(3)与安装座(12)固定,腔体(9)内设置有阻挡限位座(4)的限位结构。3.根据权利要求1所述的一种稳定同位素质谱仪离子源,其特征在于:所述电离室(5)的一侧设置有用于发射电子的发射极灯丝(51),电离室(5)的另一侧设置有应用于接收电子的接收极灯丝(52),进样阀门(91)与电离室(5)通过管路连通。4.根据权利要求3所述的一种稳定同位素质谱仪离子源,其特征在于:所述电离室(5)的下侧设置有推斥电极(53)...

【专利技术属性】
技术研发人员:何俊伟陈智谢继红
申请(专利权)人:成都其联科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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