一种闭合磁路薄膜电感器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电子元件技术领域，具体为一种闭合磁路薄膜电感器及其制备方法，包括：闭合电感器基片，闭合电感器基片采用N型硅片制成，闭合电感器基片的顶面和顶面均开设有用于安装铜导线的导线嵌设槽，导线嵌设槽呈S型走线，导线嵌设槽截面与铜导线的截面尺寸相适配。本发明专利技术通过在闭合电感器基片顶面和底部均开设导线嵌设槽，便于导线嵌设槽走线，形成隐形走线，更加美观，磁膜层采用特定材料且限制重量百分比，使得薄膜电感材料具有较好的磁性能和较高的电阻率，涡流损耗降低，使用性能佳，提升薄膜电感材料的磁性能和电阻率，有效降低了电感的衬底损耗和寄生电容，使薄膜电感器具有高的Q值和谐振频率。的Q值和谐振频率。的Q值和谐振频率。

【技术实现步骤摘要】
一种闭合磁路薄膜电感器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电子元件
，具体为一种闭合磁路薄膜电感器及其制备方法。
[0002]
技术介绍

[0003]薄膜电感器有几个重要的性能参数：电感值L，Q值与谐振频率f0。其中，电感值L表示电感器总存储磁能和转换能力的大小，Q值代表电感器自身的损耗大小，谐振频率f0决定电感器的工作应用频段。根据电感器的简单等效电路，得到： f0为谐振频率，L为电感值，C为寄生电容。
[0004]公开(公告)号：CN109355625A公开了一种在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3
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PbTiO3(PMN
‑
PT)单晶基片上采用脉冲激光沉积CoFe2O4磁性薄膜的方法，制备薄膜颗粒致密、均匀且磁电效应明显的钴铁氧体铁磁薄膜，获得了明显的面内各向异性，外加面内磁场沿着薄膜不同方向时，薄膜的矫顽场产生了明显的变化，分别采用直流和交流电压调控磁光克尔信号的变化，结果表明薄膜异质结展示了明显的应变诱导的逆磁电耦合效应。
[0005]公开(公告)号：CN109273255A公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闭合磁路薄膜电感器，其特征在于：包括：闭合电感器基片（10），所述闭合电感器基片（10）采用N型硅片制成，所述闭合电感器基片（10）的顶面和顶面均开设有用于安装铜导线（30）的导线嵌设槽（20），所述导线嵌设槽（20）呈S型走线，所述导线嵌设槽（20）截面与铜导线（30）的截面尺寸相适配；顶部氧化隔离层（40），所述顶部氧化隔离层（40）设置于闭合电感器基片（10）的顶面；所述磁膜层（50），所述磁膜层（50）包括如下按照重量百分比计的原料：Fe 55
‑
60%、Co 32
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37%、Mg 2
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3%、Cu 1
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2%、In 0.5
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0.8%、Sm 0.5
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0.8%和Ta0.2
‑
0.5%；所述In、Sm 和 Cu 结合形成 SmCu2In相；底部氧化隔离层（60），所述底部氧化隔离层（60）设置于闭合电感器基片（10）的底面。2.根据权利要求1所述的闭合磁路薄膜电感器，其特征在于：所述铜导线（30）与导线嵌设槽（20）的内壁之间通过防水胶粘接。3.根据权利要求1所述的闭合磁路薄膜电感器，其特征在于：所述磁膜层（50）制备方法为：按配方称取原料进行预处理后真空熔炼得到合金，合金经过退火、冷却得到作为磁膜层的薄膜电感材料。4.根据权利要求3所述的闭合磁路薄膜电感器，其特征在于：所述真空熔炼过程中真空度控制在0.1
‑
10Pa，真空熔炼温度控制在1100
‑
140...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴高潮，
申请(专利权)人：广东德鸿感应微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：