一种中红外片上激光雷达模块及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种中红外片上激光雷达模块及制备方法，其中，所述中红外片上激光雷达模块包括硅衬底、以及键合集成设置在所述硅衬底上且形成田字形分布的氮化硅波导芯片、中红外量子级联激光器芯片、中红外量子级联探测器芯片以及驱动电路芯片，并且在所述硅衬底上，所述中红外量子级联激光器芯片与所述中红外量子级联探测器芯片互为对角，所述驱动电路芯片和所述氮化硅波导芯片互为对角。本发明专利技术的激光雷达模块使用了中红外光替代近红外光，中红外光传播能力更强探测能力更强，进一步还将激光器、探测器、波导通过键合都集成在了同一块硅衬底上，本发明专利技术的激光雷达模块集成度高，体积更小，更加有利于中红外片上激光雷达模块的推广和使用。推广和使用。推广和使用。

【技术实现步骤摘要】
一种中红外片上激光雷达模块及其制备方法


[0001]本专利技术涉及激光雷达
，特别涉及一种中红外片上激光雷达模块及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前在激光雷达所使用的光源和探测器是在800
‑
1500nm范围(近红外波段)，在这个范围光谱范围内，近红外波段的波长短，阳光干扰严重，不容易穿透雾、霾、烟、尘、雪等障碍物，造成在很多场景下激光雷达应用大大受限，需要增加激光器的功率来达到远距离探测效果，当然，现有技术也有使用中红外的激光雷达光学系统，但是现有的激光雷达光学系统还存在着体积较大，集成度较低的问题，使得设备难以做到小型化，从而限制了中红外激光雷达的应用和发展。
[0003]因此，现有技术还需要改进和发展。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在提供一种体积小，集成度高的中红外激光雷达模块，以解决中红外激光雷达不利于推广，应用受限的技术问题。
[0005]本专利技术第一方面提供了一种中红外片上激光雷达模块，包括硅衬底、以及键合集成设置在所述硅衬底上且形成田字形分布的氮化硅波导芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中红外片上激光雷达模块，其特征在于，包括硅衬底、以及键合集成设置在所述硅衬底上且形成田字形分布的氮化硅波导芯片、中红外量子级联激光器芯片、中红外量子级联探测器芯片以及驱动电路芯片；在所述硅衬底上，所述中红外量子级联激光器芯片与所述中红外量子级联探测器芯片互为对角，所述驱动电路芯片和所述氮化硅波导芯片互为对角；其中，所述氮化硅波导芯片用于将所述中红外量子级联激光器芯片发出的激光以一定的角度射向目标物后反射至所述中红外量子级联探测器芯片，所述氮化硅波导芯片、所述中红外量子级联激光器芯片和所述中红外量子级联探测器芯片均与所述驱动电路芯片电连接。2.根据权利要求1所述中红外片上激光雷达模块，其特征在于，所述氮化硅波导芯片包括下二氧化硅层，设置在所述下二氧化硅层上的氮化硅波导层，设置在所述氮化硅波导层上的上二氧化硅层以及设置在所述上二氧化硅层上的加热电极层。3.根据权利要求2所述中红外片上激光雷达模块，其特征在于，所述中红外量子级联激光器芯片包括第一衬底层，设置在所述第一衬底层之上的下电极层，设置在所述下电极层上的有源层，覆盖所述有源层的表面以及三个侧面的密封层，以及设置在所述密封层之上并贯穿所述密封层以与所述有源层接触的上电极层。4.根据权利要求3所述中红外片上激光雷达模块，其特征在于，所述有源层为InGaAs/InAlAs层,GaAs/AlGaAs层或InGaAsP层。5.根据权利要求3所述中红外...

【专利技术属性】
技术研发人员：董瑞，韦宏，黄培雄，
申请(专利权)人：深圳市尘晰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：