一种抗辐照的灵敏放大器制造技术

本发明专利技术公开了半导体集成电路领域的一种抗辐照的灵敏放大器，包括：开关NMOS管、第一差分NMOS管、第二差分NMOS管、第一锁存电路模块和第二锁存电路模块；所述开关NMOS管的源级接地，所述开关NMOS管的漏极、第一差分NMOS管的源级和第二差分NMOS管的源级电性连接，由所述第一差分NMOS管的栅极接入第一输入信号，由所述第二差分NMOS管的栅极接入第二输入信号；通过第一锁存电路模块和第二锁存电路模块对第一输入信号、第二输入信号进行正反馈放大；所述开关NMOS管的栅极、第一传输门NMOS管的栅极、第二传输门NMOS管的栅极以及预充电模块接入控制信号SENSE；保证灵敏放大器精度、速度和功耗性能良好的前提下，灵敏放大器能承受更高水平的粒子打击。水平的粒子打击。水平的粒子打击。

【技术实现步骤摘要】
一种抗辐照的灵敏放大器


[0001]本专利技术属于半导体集成电路
，具体涉及灵敏放大器。

技术介绍

[0002]灵敏放大器在存储电路中的具体功能是在感应阶段感应位线电压差，然后在放大阶段将该电压差迅速放大，输出一对互补的全摆幅电平，实现对存储单元存储值的快速读取操作。作为模拟集成电路中的关键组成部分，灵敏放大器现有的设计多注重于提升其精度和速度。精度指的是灵敏放大器所能检测到的最小电压差，对这一技术指标的追求是CMOS工艺尺寸缩小和电源电压降低的必然结果，引入差分对和锁存结构设计对精度提升产生了重大贡献。
[0003]空间环境中存在的高能粒子会打击灵敏放大器产生单粒子效应，即使灵敏放大器电路中被打击的节点产生瞬态脉冲。这种效应在严重情况下甚至可以改变电路的逻辑状态，破坏灵敏放大器的电路功能，对航空航天应用背景下的灵敏放大器电路造成巨大的可靠性威胁。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种抗辐照的灵敏放大器，保证灵敏放大器精度、速度和功耗性能良好的前提下，提高灵敏放大器承受水平的粒子打击能力。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗辐照的灵敏放大器，其特征在于，包括：开关NMOS管、第一差分NMOS管、第二差分NMOS管、第一锁存电路模块和第二锁存电路模块；所述开关NMOS管的源级接地，所述开关NMOS管的漏极、第一差分NMOS管的源级和第二差分NMOS管的源级电性连接，由所述第一差分NMOS管的栅极接入第一输入信号，由所述第二差分NMOS管的栅极接入第二输入信号；所述第一差分NMOS管的漏极、第一锁存电路模块的第一输入端和第二锁存电路模块的第一输入端电性连接；所述第二差分NMOS管的漏极、第一锁存电路模块的第二输入端和第二锁存电路模块的第二输入端电性连接；预充电模块的第一输出端和第一锁存电路模块的第一输出端电性连接第一传输门NMOS管的漏极；所述第一传输门NMOS管的源极和第二锁存电路模块的第一输出端电性连接至第一输出反相器的输入端；所述第一输出反相器的输出端作用于输出第一输出信号；预充电模块的第二输出端和第一锁存电路模块的第二输出端电性连接第二传输门NMOS管的漏极；所述第二传输门NMOS管的源极和第二锁存电路模块的第二输出端电性连接至第二输出反相器的输入端；所述第二输出反相器的输出端作用于输出第二输出信号；所述开关NMOS管的栅极、第一传输门NMOS管的栅极、第二传输门NMOS管的栅极以及预充电模块接入控制信号SENSE。2.根据权利要求1所述的一种抗辐照的灵敏放大器，其特征在于，预充电模块包括第一预充电PMOS管、第二预充电PMOS管和均衡PMOS管；所述第一预充电PMOS管的栅极、第二预充电PMOS管的栅极和均衡PMOS管的栅极接入控制信号SENSE；所述第一预充电PMOS管的源极和第二预充电PMOS管的源极连接电源；所述第一预充电PMOS管的漏极与所述均衡PMOS管的源极连接并作为预充电模块的第一输出端；所述第二预充电PMOS管的漏极与所述均衡PMOS管的漏极连接并作为预充电模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭佰鑫，王海滨，折夏煜，姜学平，
申请(专利权)人：河海大学常州校区，
类型：发明
国别省市：