显示装置和包括显示装置的电子设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了显示装置和包括显示装置的电子设备。该显示装置包括：基板；以及多个像素电路，在基板上，多个像素电路中的至少一个像素电路包括：有源层，包括第一区和第二区；栅绝缘层，在有源层上，栅绝缘层包括与第一区和第二区重叠的第一绝缘层、在第一绝缘层上并且与第一区重叠的第二绝缘层以及在第二绝缘层上并且与第一区和第二区重叠的第三绝缘层；以及第一导电层，在栅绝缘层上，第一导电层包括与第一区重叠以形成驱动晶体管的第一栅电极以及与第二区重叠以形成开关晶体管的第二栅电极。栅绝缘层的与第一区重叠的第一部分的厚度大于栅绝缘层的与第二区重叠的第二部分的厚度。的厚度。的厚度。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和包括显示装置的电子设备


[0001]本公开的一些实施例的方面涉及显示装置。

技术介绍

[0002]显示装置可以包括显示颜色的多个像素。像素中的每一个可以包括发光元件、驱动晶体管和至少一个开关晶体管。发光元件可以发射用于表现颜色的光，并且驱动晶体管可以将驱动电流提供到发光元件。开关晶体管可以电连接到驱动晶体管。
[0003]为了使显示装置中的像素更稳定地表现颜色，可能希望开关晶体管的泄漏电流相对小。此外，为了使像素表现更多样的颜色，可能希望驱动晶体管的驱动范围相对大。
[0004]在该
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对
技术介绍
的理解，并且因此，在该
技术介绍
部分中讨论的信息不一定构成现有技术。

技术实现思路

[0005]本公开的一些实施例的方面涉及显示装置。例如，一些实施例的方面涉及应用于各种电子设备的显示装置和制造显示装置的方法。
[0006]本公开的一些实施例的方面包括用于减小开关晶体管的泄漏电流并且增大驱动晶体管的驱动范围的显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子设备。
[0007]根据一些实施例的显示装置包括：基板；以及多个像素电路，在基板上。多个像素电路中的至少一个像素电路可以包括：有源层，包括第一区和第二区；栅绝缘层，在有源层上，栅绝缘层包括与第一区和第二区重叠的第一绝缘层、在第一绝缘层上并且与第一区重叠的第二绝缘层以及在第二绝缘层上并且与第一区和第二区重叠的第三绝缘层；以及第一导电层，在栅绝缘层上，第一导电层包括与第一区重叠以形成驱动晶体管的第一栅电极以及与第二区重叠以形成开关晶体管的第二栅电极。栅绝缘层的与第一区重叠的第一部分的厚度可以大于栅绝缘层的与第二区重叠的第二部分的厚度。
[0008]根据一些实施例，栅绝缘层的第一部分的等效氧化物厚度可以大于栅绝缘层的第二部分的等效氧化物厚度。
[0009]根据一些实施例，有源层的第二区的氢浓度可以大于有源层的第一区的氢浓度。
[0010]根据一些实施例，第一绝缘层可以包括氧化硅。
[0011]根据一些实施例，第三绝缘层可以包括氮化硅。
[0012]根据一些实施例，第二绝缘层可以包括氮化硅。
[0013]根据一些实施例，第二绝缘层的氢浓度可以基本上等于第三绝缘层的氢浓度。
[0014]根据一些实施例，第二绝缘层的氢浓度可以小于第三绝缘层的氢浓度。
[0015]根据一些实施例，第二绝缘层的值[N
‑
H]/[Si
‑
H](氮
‑
氢键浓度与硅
‑
氢键浓度的比率)可以在从大约14至大约30的范围中。
[0016]根据一些实施例，第二绝缘层可以包括氮氧化硅。
[0017]根据一些实施例，第二绝缘层中的氮的原子百分比可以在从大约10％至大约50％
的范围中。
[0018]根据一些实施例，至少一个像素电路可以进一步包括：层间绝缘层，在第一导电层上；以及第二导电层，在层间绝缘层上，第二导电层包括与第一栅电极重叠以形成存储电容器的电容器电极。
[0019]根据一些实施例，有源层的第二区可以电连接到第一栅电极。
[0020]根据一些实施例，有源层的第二区可以电连接到电容器电极。
[0021]根据一些实施例的显示装置包括：基板；以及多个像素电路，在基板上。多个像素电路中的至少一个像素电路可以包括：有源层，包括具有第一氢浓度的第一区以及具有大于第一氢浓度的第二氢浓度的第二区；栅绝缘层，在有源层上，栅绝缘层包括与第一区和第二区重叠的第一绝缘层以及与第一区重叠的第二绝缘层；以及第一导电层，在栅绝缘层上，第一导电层包括与第一区重叠以形成驱动晶体管的第一栅电极以及与第二区重叠以形成开关晶体管的第二栅电极。
[0022]根据一些实施例，栅绝缘层的与第一区重叠的第一部分的厚度可以大于栅绝缘层的与第二区重叠的第二部分的厚度。
[0023]根据一些实施例，栅绝缘层的第一部分的等效氧化物厚度可以大于栅绝缘层的第二部分的等效氧化物厚度。
[0024]根据一些实施例，第一绝缘层可以包括氧化硅。
[0025]根据一些实施例，第一绝缘层可以在第二绝缘层上。第二绝缘层可以包括氧化硅。
[0026]根据一些实施例，第二绝缘层可以在第一绝缘层上。第二绝缘层可以包括氮化硅和氮氧化硅中的一种。
[0027]根据一些实施例的制造显示装置的方法可以包括：在基板上形成包括第一区和第二区的有源层；在有源层上顺序地形成包括氧化硅的第一绝缘层以及包括氮化硅和氮氧化硅中的一种的第二绝缘层；在第二绝缘层上形成与第一区重叠的光致抗蚀剂层；使用光致抗蚀剂层作为蚀刻停止层来蚀刻第二绝缘层的与第二区重叠的部分；以及去除光致抗蚀剂层。
[0028]根据一些实施例，方法可以进一步包括：在第二绝缘层上形成包括氮化硅的第三绝缘层。
[0029]根据一些实施例，方法可以进一步包括：在去除光致抗蚀剂层之后，用氢等离子体来处理有源层。
[0030]根据一些实施例，光致抗蚀剂层可以仅与有源层的第一区重叠。
[0031]根据一些实施例，光致抗蚀剂层可以与有源层的在第二区外面的剩余区重叠。
[0032]根据一些实施例的制造显示装置的方法可以包括：在基板上形成包括第一区和第二区的有源层；在有源层上形成包括氧化硅的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成与第一区重叠的光致抗蚀剂层；使用光致抗蚀剂层作为蚀刻停止层来蚀刻第一绝缘层的与第二区重叠的部分；去除光致抗蚀剂层；在去除光致抗蚀剂层之后，用氢等离子体来处理有源层；以及在第一绝缘层上形成包括氧化硅的第二绝缘层。
[0033]根据一些实施例的电子设备可以包括：显示装置，被配置为显示图像；以及壳体，容纳显示装置。显示装置可以包括：基板；有源层，在基板上，有源层包括第一区和第二区；栅绝缘层，在有源层上，栅绝缘层包括与第一区和第二区重叠的第一绝缘层、在第一绝缘层
上并且与第一区重叠的第二绝缘层以及在第二绝缘层上并且与第一区和第二区重叠的第三绝缘层；以及第一导电层，在栅绝缘层上，第一导电层包括与第一区重叠以形成驱动晶体管的第一栅电极以及与第二区重叠以形成开关晶体管的第二栅电极。栅绝缘层的与第一区重叠的第一部分的厚度可以大于栅绝缘层的与第二区重叠的第二部分的厚度。
[0034]在根据一些实施例的显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子设备中，开关晶体管的栅绝缘层的等效氧化物厚度可以小于驱动晶体管的栅绝缘层的等效氧化物厚度，使得开关晶体管的泄漏电流可以减小，并且驱动晶体管的驱动范围可以增大。
[0035]在根据一些实施例的显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子设备中，驱动晶体管的有源层的氢浓度可以小于开关晶体管的有源层的氢浓度，使得开关晶体管的泄漏电流可以减小，并且驱动晶体管的驱动范围可以增大。
附图说明
[0036]根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：基板；以及多个像素电路，在所述基板上，其中，所述多个像素电路中的至少一个像素电路包括：有源层，包括第一区和第二区；栅绝缘层，在所述有源层上，所述栅绝缘层包括与所述第一区和所述第二区重叠的第一绝缘层以及与所述第一区重叠的第二绝缘层；以及第一导电层，在所述栅绝缘层上，所述第一导电层包括与所述第一区重叠以形成驱动晶体管的第一栅电极以及与所述第二区重叠以形成开关晶体管的第二栅电极，并且其中，所述栅绝缘层的与所述第一区重叠的第一部分的厚度大于所述栅绝缘层的与所述第二区重叠的第二部分的厚度。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅绝缘层的所述第一部分的等效氧化物厚度大于所述栅绝缘层的所述第二部分的等效氧化物厚度。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层在所述第二绝缘层上。4.根据权利要求1所述的显示装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：金根佑，姜泰旭，裵俊佑，丁有光，赵晟原，朱在焕，崔相虔，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：新型
国别省市：