显示设备制造技术

本申请提供了显示设备。该显示设备包括：基板；在基板上的发光元件；在发光元件上且包含无机材料的低反射层；和反射控制层，该反射控制层在低反射层上并且配置为吸收选自430nm或更小的第一波长带、480nm至510nm的第二波长带、575nm至605nm的第三波长带和650nm或更大的第四波长带中的至少三个波长带中的光。的第四波长带中的至少三个波长带中的光。的第四波长带中的至少三个波长带中的光。

【技术实现步骤摘要】
显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年6月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2021
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0084873号的优先权和权益，其全部内容通过引用由此并入。


[0003]本公开的一个或多个实施方式涉及显示设备，例如，涉及具有改善的可见性的显示设备。

技术介绍

[0004]有机发光显示设备为自发光的。与液晶显示设备不同，有机发光显示设备不要求单独的光源，并且因此，可减少其厚度和重量。并且，有机发光显示设备具有高质量特性，比如低功耗、高亮度和快响应时间。

技术实现思路

[0005]然而，在现有显示设备的情况下，由于外部光的反射，可见性劣化。
[0006]本公开的一个或多个实施方式包括显示设备，其中低反射层和反射控制层在发光元件上，从而改善可见性。然而，这仅为示例，并且本公开的范围不限于此。
[0007]实施方式的另外方面将部分地在随后的描述中陈述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过本公开呈现的实施方式的实践而了解到。
[0008]根据一个或多个实施方式，显示设备包括：基板；在基板上的发光元件；在发光元件上的低反射层，低反射层包含无机材料；以及在低反射层上的反射控制层，反射控制层被配置为吸收选自430nm或更小的第一波长带、480nm至510nm的第二波长带、575nm至605nm的第三波长带和650nm或更大的第四波长带中的至少三个波长带中的光。
[0009]在本实施方式中，反射控制层可包括选自下述中的至少三种光吸收材料：吸收第一波长带中的光的第一光吸收材料、吸收第二波长带中的光的第二光吸收材料、吸收第三波长带中的光的第三光吸收材料和吸收第四波长带中的光的第四光吸收材料。
[0010]在本实施方式中，基于反射控制层的总重，至少三种光吸收材料中的每一个的量可为0.005wt％至5wt％。
[0011]在本实施方式中，无机材料可具有1或更大的折射率。
[0012]在本实施方式中，无机材料可具有0.5或更大的吸收系数。
[0013]在本实施方式中，无机材料可包括镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)或其任何组合。
[0014]在本实施方式中，显示设备可进一步包括发光元件上的阻光层，阻光层具有对应于发光元件的发射区的开口。
[0015]在本实施方式中，反射控制层可填充开口。
[0016]在本实施方式中，显示设备可进一步包括低反射层和反射控制层之间的触摸传感器层，其中阻光层可在触摸传感器层上。
[0017]在本实施方式中，显示设备可进一步包括发光元件和低反射层之间的封盖层。
[0018]在本实施方式中，显示设备可进一步包括低反射层上的封装构件。在本实施方式中，封装构件可包括薄膜封装层，薄膜封装层包括至少一个无机层和至少一个有机层。
[0019]在本实施方式中，封装构件可包括封装基板，并且填料可进一步在低反射层和封装基板之间。
[0020]根据一个或多个实施方式，显示设备包括：基板；在基板上的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件被配置为发射彼此不同的颜色的光；低反射层，该低反射层作为一体布置在第一至第三发光元件上为一体并且包含无机材料；和反射控制层，该反射控制层在低反射层上并且被配置为吸收选自430nm或更小的第一波长带、480nm至510nm的第二波长带、575nm至605nm的第三波长带和650nm或更大的第四波长带中的至少三个波长带中的光。
[0021]在本实施方式中，反射控制层可包括选自下述中的至少三种光吸收材料：吸收第一波长带中的光的第一光吸收材料、吸收第二波长带中的光的第二光吸收材料、吸收第三波长带中的光的第三光吸收材料和吸收第四波长带中的光的第四光吸收材料，并且基于反射控制层的总重，至少三种光吸收材料中的每一种的量可为0.005wt％至5wt％。
[0022]在本实施方式中，无机材料可具有1或更大的折射率和0.5或更大的吸收系数，并且可包括镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)或其任何组合。
[0023]在本实施方式中，显示设备可进一步包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件上的阻光层，阻光层具有对应于第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件的发射区的开口，其中反射控制层可填充开口。
[0024]在本实施方式中，显示设备可进一步包括：在低反射层上的封装构件、在低反射层与反射控制层之间的触摸传感器层以及在第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件与低反射层之间的封盖层，其中阻光层可在触摸传感器层上。
[0025]在本实施方式中，封装构件可包括薄膜封装层，薄膜封装层包括至少一个无机层和至少一个有机层。
[0026]在本实施方式中，封装构件可包括封装基板，并且填料可进一步在低反射层和封装基板之间。
[0027]本公开的实施方式的其他方面和特征将通过所附附图、权利要求和具体实施方式来更好地理解。
附图说明
[0028]本公开的某些实施方式的上述和其他方面和特征将从结合所附附图的下述描述中更显而易见，在附图中：
[0029]图1为示意性阐释根据实施方式的显示设备的透视图；
[0030]图2为示意性阐释根据实施方式的显示设备的截面图；
[0031]图3和图4为图2的区域A的放大的截面图；
[0032]图5为根据实施方式的显示设备中包括的像素电路的等效电路图；
[0033]图6为示意性阐释根据实施方式的显示设备的截面图；
[0034]图7为阐释由根据实施方式的显示设备的反射控制层吸收的波长带的图；
[0035]图8为示意性阐释根据实施方式的显示设备的截面图；
[0036]图9为示意性阐释根据实施方式的显示设备的截面图；
[0037]图10为示意性阐释根据实施方式的显示设备的截面图；
[0038]图11和图12为示意性阐释根据实施方式的显示设备的截面图；
[0039]图13A至图13D分别为示出实施例设备1至4的光谱评估结果的图；并且
[0040]图14和图15分别为示出根据实施例设备5和比较设备1中的极角的亮度比的图。
具体实施方式
[0041]现将更详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。因此，下面通过参考图仅描述实施方式，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，包括：基板；在所述基板上的发光元件；在所述发光元件上的低反射层，所述低反射层包含无机材料；以及在所述低反射层上的反射控制层，其中所述反射控制层吸收选自430nm或更小的第一波长带、480nm至510nm的第二波长带、575nm至605nm的第三波长带和650nm或更大的第四波长带中的至少三个波长带中的光。2.如权利要求1所述的显示设备，其中所述反射控制层包括选自下述中的至少三种光吸收材料：吸收所述第一波长带中的光的第一光吸收材料、吸收所述第二波长带中的光的第二光吸收材料、吸收所述第三波长带中的光的第三光吸收材料和吸收所述第四波长带中的光的第四光吸收材料。3.如权利要求2所述的显示设备，其中基于所述反射控制层的总重，所述至少三种光吸收材料中的每一种的量为0.005wt％至5wt％。4.如权利要求1所述的显示设备，其中所述无机材料具有1或更大的折射率。5.如权利要求1所述的显示设备，其中所述无机材料具有0.5或更大的吸收系数。6.如权利要求1所述的显示设备，其中所述无机材料包括镱、铋、钴、钼、钛、锆、铝、铬、铌、铂、钨、铟、锡、铁、镍、钽、锰、锌、锗或其任何组合。7.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括所述发光元件上的阻光层，所述阻光层具有对应于所述发光元件的发射区的开口。8.如权利要求7所述的显示设备，其中所述反射控制层填充所述开口。9.如权利要求7所述的显示设备，进一步包括所述低反射层和所述反射控制层之间的触摸传感器层，其中所述阻光层在所述触摸传感器层上。10.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括所述发光元件和所述低反射层之间的封盖层。11.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括所述低反射层上的封装构件。12.如权利要求11所述的显示设备，其中所述封装构件包括薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一个无机层和至少一个有机层。13.如权利要求11所述的显示设备，其中所述封装构件包括封装基板，并且填料进一步在所述低反射层和所述封装基板之间。14.一种显示设备，包括：基板；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庚禧，李美禾，沈丁卯，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：