一种半导体生产用地埋式排污装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及污水处理技术领域，具体是一种半导体生产用地埋式排污装置，包括本体；所述本体内部的左侧竖直安装有第一隔板和第二隔板，第一隔板、第二隔板将本体的内部从左到右依次分为设备腔、管道腔和处理腔，处理腔的内部固定安装有十字隔板，十字隔板按污水流动方向将处理腔内部依次分为沉淀室、絮凝室、曝气室和清水室。本发明专利技术使沉淀室、絮凝室、曝气室和清水室形成一个循环，对污水进行循环处理，确保污水能够得到有效地净化，提高污水再处理的效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体生产用地埋式排污装置


[0001]本专利技术涉及污水处理
，具体是一种半导体生产用地埋式排污装置。

技术介绍

[0002]半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。
[0003]半导体生成过程中产生的污水如果没有并入到大型污水处理系统，则需要单独进行污水处理，但若采用现有的大型污水处理设备，不但占地面积大，噪音大，而且过于浪费。
[0004]因此，针对以上现状，迫切需要开发一种半导体生产用地埋式排污装置，以克服当前实际应用中的不足。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种半导体生产用地埋式排污装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0007]一种半导体生产用地埋式排污装置，包括本体；所述本体内部的左侧竖直安装有第一隔板和第二隔板，第一隔板、第二隔板将本体的内部从左到右依次分为设备腔、管道腔和处理腔，处理腔的内部固定安装有十字隔板，十字隔板按污水流动方向将处理腔内部依次分为沉淀室、絮凝室、曝气室和清水室。
[0008]作为本专利技术进一步的方案：所述沉淀池的顶部开设有进水口，进水口的内部固定安装有过滤板。
[0009]作为本专利技术进一步的方案：所述沉淀室通过第一导流管与絮凝室连通，絮凝室通过连接水管与曝气室连通，曝气室通过第二导流管与清水室连通，清水室通过循环水管与沉淀室连通，第一导流管、第二导流管和循环水管上均设置有用于抽水的水泵。
[0010]作为本专利技术进一步的方案：所述连接水管上设置有单向阀。
[0011]作为本专利技术进一步的方案：所述循环水管的出水段上连通有排水管，排水管上安装有单向阀。
[0012]作为本专利技术进一步的方案：所述清水室的内部安装有水质检测器。
[0013]作为本专利技术进一步的方案：所述设备腔与管道腔连通，设备腔上开设有检修入口，设备腔的内部位于检修入口处竖直安装有悬梯，所述设备腔的内部还固定安装有控制器，控制器控制连接水泵、单向阀和水质检测器。
[0014]作为本专利技术进一步的方案：所述本体的背部位于沉淀室、絮凝室、曝气室和清水室处均设置有清理口，清理口上铰接安装有盖板。
[0015]作为本专利技术进一步的方案：所述曝气室的内部转动安装有旋转轴，旋转轴上均匀固定安装有若干搅拌叶，旋转轴为中空结构，且旋转轴上均匀开设有若干气孔，所述本体的外侧固定安装有鼓风机和驱动电机，驱动电机的输出端通过锥齿轮组与旋转轴传动连接，鼓风机通过气管与旋转轴连通。
[0016]作为本专利技术进一步的方案：所述搅拌叶包括安装于旋转轴上的转动杆和至少一片安装于转动杆上的叶片，所述转动杆与旋转轴的连接方式不作限定，其既可以与旋转轴20固定连接，也可以与旋转轴20转动连接，下面具体说明：
[0017]作为本专利技术进一步的方案：所述叶片固定安装在转动杆上，转动杆的截面形状可以为圆杆状，也可以为多边形形状。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术使沉淀室、絮凝室、曝气室和清水室形成一个循环，对污水进行循环处理，确保污水能够得到有效地净化，提高污水再处理的效果。
附图说明
[0019]图1为半导体生产用地埋式排污装置的立体图。
[0020]图2为半导体生产用地埋式排污装置的剖视图。
[0021]图3为半导体生产用地埋式排污装置的后视图。
[0022]图4为半导体生产用地埋式排污装置的俯视图。
[0023]图5为半导体生产用地埋式排污装置中旋转轴的结构示意图。
[0024]图中：1
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本体、2
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悬梯、3
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控制器、4
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第一隔板、5
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第二隔板、6
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十字隔板、7
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检修入口、8
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排水管、9
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循环水管、10
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进水口、11
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过滤板、12
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沉淀室、13
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第一导流管、14
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絮凝室、15
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第二导流管、16
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鼓风机、17
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连接水管、18
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气管、19
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驱动电机、20
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旋转轴、21
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清理口、22
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气孔。
具体实施方式
[0025]下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0026]下面详细描述本专利的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利，而不能理解为对本专利的限制。
[0027]在本专利的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。
[0028]在本专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。
[0029]实施例1
[0030]请参阅图1～4，本专利技术实施例中，一种半导体生产用地埋式排污装置，包括本体1；
所述本体1内部的左侧竖直安装有第一隔板4和第二隔板5，第一隔板4、第二隔板5将本体1的内部从左到右依次分为设备腔、管道腔和处理腔，处理腔的内部固定安装有十字隔板5，十字隔板5按污水流动方向将处理腔内部依次分为沉淀室12、絮凝室14、曝气室和清水室，用于对污水进行依次处理；
[0031]所述沉淀池12的顶部开设有进水口10，进水口10的内部固定安装有过滤板11，用于污水的进入和过滤；
[0032]所述沉淀室12通过第一导流管13与絮凝室14连通，絮凝室14通过连接水管17与曝气室连通，曝气室通过第二导流管15与清水室连通，清水室通过循环水管9与沉淀室12连通，从而使沉淀室12、絮凝室14、曝气室和清水室形成一个循环，对污水进行循环处理，确保污水能够得到有效地净化；所述第一导流管13、第二导流管15和循环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体生产用地埋式排污装置，包括本体(1)；其特征在于，所述本体(1)内部的左侧竖直安装有第一隔板(4)和第二隔板(5)，第一隔板(4)、第二隔板(5)将本体(1)的内部从左到右依次分为设备腔、管道腔和处理腔，处理腔的内部固定安装有十字隔板(5)，十字隔板(5)按污水流动方向将处理腔内部依次分为沉淀室(12)、絮凝室(14)、曝气室和清水室。2.根据权利要求1所述的半导体生产用地埋式排污装置，其特征在于，所述沉淀池(12)的顶部开设有进水口(10)，进水口(10)的内部固定安装有过滤板(11)。3.根据权利要求2所述的半导体生产用地埋式排污装置，其特征在于，所述沉淀室(12)通过第一导流管(13)与絮凝室(14)连通，絮凝室(14)通过连接水管(17)与曝气室连通，曝气室通过第二导流管(15)与清水室连通，清水室通过循环水管(9)与沉淀室(12)连通，第一导流管(13)、第二导流管(15)和循环水管(9)上均设置有用于抽水的水泵。4.根据权利要求3所述的半导体生产用地埋式排污装置，其特征在于，所述连接水管(17)上设置有单向阀。5.根据权利要求4所述的半导体生产用地埋式排污装置，其特征在于，所述循环水管(9)的出水段上连通有排水管(8)，排水管(8)上安装有单向阀。6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高家胜，
申请(专利权)人：徐州智汇谷半导体科技研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：