一种纳米压印电磁屏蔽银浆及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种纳米压印电磁屏蔽银浆及其制备方法，所述纳米压印电磁屏蔽银浆以质量份数计，包括以下原料：环氧树脂2

【技术实现步骤摘要】
一种纳米压印电磁屏蔽银浆及其制备方法


[0001]本专利技术属于导电材料
，具体涉及一种纳米压印电磁屏蔽银浆及其制备方法。

技术介绍

[0002]纳米压印技术分为三个步骤：第一步是模板的加工。一般使用电子束刻蚀等手段，在硅或其他衬底上加工出所需要的结构作为模板。由于电子的衍射极限远小于光子，因此可以达到远高于光刻的分辨率。第二步是图样的转移。在待加工的材料表面涂上光刻胶，然后将模板压在其表面，采用加压的方式使图案转移到光刻胶上。第三步是衬底的加工。用紫外光使光刻胶固化，移开模板后，用刻蚀液将上一步未完全去除的光刻胶刻蚀掉，露出待加工材料表面，然后使用化学刻蚀的方法进行加工，完成后去除全部光刻胶，最终得到高精度加工的材料。
[0003]电磁兼容性(Electromagnetic Compatibility)缩写EMC，就是指某电子设备既不干扰其它设备，同时也不受其它设备的影响。电磁兼容性和我们所熟悉的安全性一样，是产品质量最重要的指标之一。安全性涉及人身和财产，而电磁兼容性则涉及人身和环境保护。电子元件对外界的干扰，称为EMI(Electromagnetic Interference)；电磁波会与电子元件作用，产生被干扰现象，称为EMS(Electromagnetic Susceptibility)。
[0004]电磁屏蔽在空间某个区域内，用以减弱由某些源引起的场强的措施。在绝大多数情况下，屏蔽体可由铜、铝、钢等金属制成，但对于恒定和极低频磁场，也可采用铁氧体等材料作为屏蔽体。在一个系统内或不同系统间常会产生电磁噪声或干扰而引起系统性能恶化，因此要求：
①
将电力线或磁力线限制在一定区域内；
②
使某一区域不受外来电力线和磁力线的影响。
[0005]因此，需要针对电子产品日益增长的电磁屏蔽性能要求，提供一种能够满足≤3μm超细线路要求的纳米压印电磁屏蔽银浆及其制备方法。

技术实现思路

[0006]针对现有技术存在的不足，本专利技术旨在提供一种纳米压印电磁屏蔽银浆及其制备方法，该纳米压印电磁屏蔽浆料能够满足≤3μm超细线路的要求(超细线路可以满足电子设备小型化的需求，超细线路银浆具有优异的印刷性能)，具有优良的耐高温高湿性能、耐低温性能以及耐盐雾性能，且应用于金属网格柔性导电膜时的方阻较低，具有优良的导电性能。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提出如下技术方案：
[0008]一种纳米压印电磁屏蔽银浆，以质量份数计，包括以下原料：环氧树脂2
‑
8份，导电银70
‑
75份，功能助剂2
‑
5份，有机溶剂16
‑
20份；
[0009]所述导电银包括微米银片与纳米银粉。
[0010]进一步地，所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂，环氧当量为6000
‑
9000g/当量。
[0011]进一步地，所述微米银片与纳米银粉的质量比为1:(1
‑
3)；微米银片的厚度为1
‑
2μm，等效直径为2
‑
5μm；纳米银粉的粒径为50
‑
500nm，中值粒径D50为100
‑
200nm。微纳米银粉复配可以提高银浆的导电性能，根据以上参数制备的银浆具有良好的印刷性。
[0012]进一步地，所述功能助剂包括增稠剂、触变剂、补强剂、分散剂、流平剂、固化剂和低温活性催化剂，质量比为1:(1
‑
3):(1
‑
3):(1
‑
3):(1
‑
3):(1
‑
3):(1
‑
3)。
[0013]进一步地，所述增稠剂为乙基纤维素、气相二氧化硅、聚酰胺蜡、聚乙烯醇和羟乙基纤维素中的至少一种；
[0014]所述触变剂为BYK
‑
410、BYK
‑
420和邻苯二甲酸二丁酯中的至少一种；
[0015]所述补强剂为潜伏型异氰酸酯、钛酸四乙酯、甲基咪唑和苄基缩水甘油醚中的至少一种；
[0016]所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮、十二烷基磺酸钠和司班80中的至少一种；
[0017]所述流平剂为乙二醇丁醚、有机硅和丙烯酸酯中的至少一种；
[0018]所述固化剂为EP
‑
500、甲基四氢苯酐、双氰胺、2
‑
乙基
‑4‑
甲基咪唑、巯基硫醇、2
‑
苯基咪唑和乙酰丙酮过渡金属络合物中的至少一种；
[0019]所述低温活性催化剂为苯甲酸、正癸酸、氟改性表面活性剂、三氟化硼络合物、十二酸、硅烷偶联剂、对苯二胺和硬脂酸中的至少一种。
[0020]进一步地，所述有机溶剂为二乙二醇乙醚醋酸酯、二乙二醇丁醚醋酸酯和乙二醇乙醚醋酸酯中的至少一种。
[0021]本专利技术还提供一种纳米压印电磁屏蔽银浆的制备方法，包括以下步骤：
[0022]1)按质量称取原料，将环氧树脂和有机溶剂混合均匀，得到一级载体；
[0023]2)将功能助剂与一级载体混合均匀，得到二级载体；
[0024]3)将导电银与二级载体混合均匀，研磨分散，即得到纳米压印电磁屏蔽银浆。
[0025]进一步地，步骤1)中，所述混合温度为80
‑
100℃，时间为4
‑
8h，转速为800
‑
1200r/min；步骤2)、步骤3)中，所述混合温度为18
‑
25℃，时间为0.5
‑
2h，转速为800
‑
1200r/min。
[0026]进一步地，步骤3)中，所述研磨分散采用三辊研磨机进行。
[0027]本专利技术还提供一种金属网格柔性导电膜，所述金属网格柔性导电膜由纳米压印电磁屏蔽银浆固化后制备得到。
[0028]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0029]本专利技术通过根据电子传导的隧道原理对纳米压印电磁屏蔽浆料的组成进行调控，微纳银粉的复配可以为浆料体系提供充足的导电路径，同时具有良好的印刷性能，使其应用于金属网格柔性导电膜时的方阻较低；且所得纳米压印电磁屏蔽浆料的粘度较低，便于压印刮涂；且纳米压印电磁屏蔽浆料的固化温度在135℃以下，固化后与基体的附着力在4B级以上。
具体实施方式
[0030]现详细说明本专利技术的多种示例性实施方式，该详细说明不应认为是对本专利技术的限制，而应理解为是对本专利技术的某些方面、特性和实施方案的更详细的描述。
[0031]应理解本专利技术中所述的术语仅仅是为描述特别的实施方式，并非用于限制本专利技术。另外，对于本专利技术中的数值范围，应理解为还具体公开了该范围的上限和下限之间的每
个中间值。在任何陈述值或陈述范围内的中间值以及任何其他陈述值或在所述范围内的中间值之间的每个较小的范围也包括在本专利技术内。这些较小范围的上限和下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米压印电磁屏蔽银浆，其特征在于，以质量份数计，包括以下原料：环氧树脂2
‑
8份，导电银70
‑
75份，功能助剂2
‑
5份，有机溶剂16
‑
20份；所述导电银包括微米银片与纳米银粉。2.根据权利要求1所述的纳米压印电磁屏蔽银浆，其特征在于，所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂，环氧当量为6000
‑
9000g/当量。3.根据权利要求1所述的纳米压印电磁屏蔽银浆，其特征在于，所述微米银片与纳米银粉的质量比为1:(1
‑
3)；微米银片的厚度为1
‑
2μm，等效直径为2
‑
5μm；纳米银粉的粒径为50
‑
500nm，中值粒径D50为100
‑
200nm。4.根据权利要求1所述的纳米压印电磁屏蔽银浆，其特征在于，所述功能助剂包括增稠剂、触变剂、补强剂、分散剂、流平剂、固化剂和低温活性催化剂，质量比为1:(1
‑
3):(1
‑
3):(1
‑
3):(1
‑
3):(1
‑
3):(1
‑
3)。5.根据权利要求4所述的纳米压印电磁屏蔽银浆，其特征在于，所述增稠剂为乙基纤维素、气相二氧化硅、聚酰胺蜡、聚乙烯醇和羟乙基纤维素中的至少一种；所述触变剂为BYK
‑
410、BYK
‑
420和邻苯二甲酸二丁酯中的至少一种；所述补强剂为潜伏型异氰酸酯、钛酸四乙酯、甲基咪唑和苄基缩水甘油醚...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯大伟，李小新，陈港龙，
申请(专利权)人：北京中科纳通电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：