一种集成晶振器的芯片处理方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及芯片制造技术领域，揭露了一种集成晶振器的芯片处理方法及装置，包括：将第一电压输入至芯片中，所述芯片包括晶振器、第一放大器、滤波电路、第二放大器及两组线圈，基于晶振器的标准工作频率、标准工作温度、当前工作频率及当前工作温度计算得到温频变化率，根据温频变化率计算得到晶振器的调整驱动电压，获取晶振器在调整驱动电压下的晶振速度及晶振频率，利用所述晶振速度及晶振频率计算晶振器的输出频率，将所述输出频率通过第一放大器执行放大后驱动两组线圈生成第一电压的交感电压，并通过滤波电路、第二放大器调制所述交感电压得到第二电压。本发明专利技术可以解决伴随芯片处理任务增多导致芯片内部的晶振器稳定性降低的问题。降低的问题。降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种集成晶振器的芯片处理方法及装置


[0001]本专利技术涉及一种集成晶振器的芯片处理方法及装置，属于芯片制造


技术介绍

[0002]振荡器(oscillator)是一种能量转换装置，可将直流电能转换为具有一定频率的交流电能。振荡器具有多种类型，突出代表是基于石英晶体材料构建的晶振器。从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片，可以是正方形、矩形或圆形等)，在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳即构成晶振器。晶振器可产生频率高度稳定的交流信号，具有极大的应用优势。
[0003]目前基于晶振器的芯片的主要目的是结合晶振器可稳定输出交流信号的优势从而实现对芯片整体稳定性的控制。但由于芯片是整个数字电路的核心器件，需同时处理多组任务，但目前多数方案并未考虑晶振器伴随处理任务增加后的频率及温度的异常分析，即伴随芯片处理任务的增加，对应的线性增加晶振器的工作电压以提高晶振器内部石英晶体的振动频率及速度，从而容易导致集成晶振器的芯片的稳定性降低的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种集成晶振器的芯片处理方法、装置及计算机可读存储介质，其主要目的在于解决伴随芯片处理任务增多导致芯片内部的晶振器稳定性降低的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供的一种集成晶振器的芯片处理方法，包括：
[0006]接收第一电压，其中所述第一电压为直流电压，将所述第一电压输入至集成晶振器的所述芯片中，所述芯片包括晶振器、第一放大器、滤波电路、第二放大器及两组线圈；
[0007]获取所述晶振器的标准工作频率和标准工作温度，并确定所述晶振器在当前驱动电压工作下的当前工作频率和当前工作温度；
[0008]基于标准工作频率、标准工作温度、当前工作频率及当前工作温度计算得到晶振器的温频变化率；
[0009]根据所述温频变化率计算得到晶振器的调整驱动电压，调整驱动电压所述调整驱动电压替换当前驱动电压用于驱动晶振器；
[0010]获取所述晶振器在调整驱动电压下的晶振速度及晶振频率，利用所述晶振速度及晶振频率计算晶振器的输出频率，其中输出频率包括载波频率和驱动频率相加组成，驱动频率由调整驱动电压计算得到；
[0011]将所述输出频率通过第一放大器执行放大后驱动两组线圈生成第一电压的交感电压，并通过滤波电路、第二放大器调制所述交感电压得到第二电压，所述第二电压为交流电压。
[0012]可选地，所述基于标准工作频率、标准工作温度、当前工作频率及当前工作温度计算得到晶振器的温频变化率，包括：
[0013]采用如下公式计算得到晶振器的温频变化率：
[0014][0015][0016]其中，εε表示温频变化率，k1k1为频率调整系数，k2k2为温度调整系数，T1T1表示标准工作温度，f1f1表示标准工作频率，T2T2表示当前工作温度，f2f2表示当前工作频率，表示频率变化率，表示温度变化率，AA和A
′
A
′
分别表示晶振器在当前工作下和标准工作下的幅值，F2F2和F1F1分别表示晶振器在当前工作下和标准工作下的交流电频率，θ2θ2和θ1θ1分别表示晶振器在当前工作下和标准工作下的初始相位。
[0017]可选地，所述根据所述温频变化率计算得到晶振器的调整驱动电压，之前还包括：
[0018]从所述温频变化率中提取频率变化率和温度变化率；
[0019]判断所述频率变化率和温度变化率的相关关系；
[0020]若所述频率变化率和温度变化率为负相关关系，停止使用芯片并生成芯片异常指令通知相关人员；
[0021]若所述频率变化率和温度变化率为正相关关系，根据所述温频变化率计算晶振器的工作异常概率，其中所述工作异常概率的计算方法为：
[0022][0023]其中，p(ε)p(ε)表示工作异常概率，ε
a
ε
a
表示人为设定的温频变化临界值，p
a
p
a
表示温频变化率小于温频变化临界值时的固定异常概率，μμ表示数学期望，σσ表示方差；
[0024]当晶振器的工作异常概率大于或等于临界异常概率时，停止使用芯片并生成芯片异常指令通知相关人员，其中临界异常概率需大于所述固定异常概率；
[0025]当晶振器的工作异常概率小于所述临界异常概率时，根据所述温频变化率计算得到晶振器的调整驱动电压。
[0026]可选地，所述根据所述温频变化率计算得到晶振器的调整驱动电压，包括：
[0027]确定芯片中两组线圈的线圈匝数，并根据所述数学期望和方差计算得到调整驱动电压，其中计算方法为：
[0028][0029]其中，v(ε)v(ε)表示在温频变化率εε下晶振器的调整驱动电压，ΦΦ为两组线圈的线圈匝数，μμ表示数学期望，σσ表示方差，为调整驱动电压计算方法的调整因子。
[0030]可选地，所述k1k1和k2k2均为大于的常数，所述固定异常概率设置为0.15，所述临界异常概率设定为固定异常概率的4倍值，即0.6。
[0031]可选地，所述利用所述晶振速度及晶振频率计算晶振器的输出频率，其中输出频率包括载波频率和驱动频率相加组成，驱动频率由调整驱动电压计算得到，包括：
[0032]利用下式计算得到晶振器的输出频率：
[0033]f(a)＝f0+Δf
a
[0034][0035]其中，f(a)f(a)表示晶振器的输出频率，f0f0表示晶振器的载波频率，其值由晶振频率决定，Δf
a
Δf
a
为驱动频率，aa表示晶振速度，V
c
V
c
表示调整驱动电压，V
cc
V
cc
表示晶振器所能接受的最大工作电压，k
v
k
v
表示驱动灵敏度，其值由构成晶振器的石英晶片的尺寸、纯度、切型确定。
[0036]可选地，所述若所述频率变化率和温度变化率为负相关关系或当晶振器的工作异常概率大于或等于临界异常概率，之后还包括：
[0037]启动晶振器所在电路的断路器，并开通备用晶振器所在电路的开关。
[0038]可选地，所述晶振器由石英晶体、偏置电路、振荡主电路、限幅电路组成。
[0039]可选地，所述芯片还包括保护电阻，保护电阻的电阻最小值的计算方法如下所示：
[0040][0041]其中，R
s
R
s
为保护电阻的电阻最小值，L
s
L
s
为两组线圈的电阻值，C
s
C
s
为晶振器的电阻值，R
m1
R
m1
为第一放大器的电阻值，R
m2
R
m2
为第二放大器的电阻值。
[0042]为了解决上述问题，本专利技术还提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成晶振器的芯片处理方法，其特征在于，所述方法包括：接收第一电压，其中所述第一电压为直流电压，将所述第一电压输入至集成晶振器的所述芯片中，所述芯片包括晶振器、第一放大器、滤波电路、第二放大器及两组线圈；获取所述晶振器的标准工作频率和标准工作温度，并确定所述晶振器在当前驱动电压工作下的当前工作频率和当前工作温度；基于标准工作频率、标准工作温度、当前工作频率及当前工作温度计算得到晶振器的温频变化率；根据所述温频变化率计算得到晶振器的调整驱动电压，调整驱动电压所述调整驱动电压替换当前驱动电压用于驱动晶振器；获取所述晶振器在调整驱动电压下的晶振速度及晶振频率，利用所述晶振速度及晶振频率计算晶振器的输出频率，其中输出频率包括载波频率和驱动频率相加组成，驱动频率由调整驱动电压计算得到；将所述输出频率通过第一放大器执行放大后驱动两组线圈生成第一电压的交感电压，并通过滤波电路、第二放大器调制所述交感电压得到第二电压，所述第二电压为交流电压。2.如权利要求1所述的集成晶振器的芯片处理方法，其特征在于，所述基于标准工作频率、标准工作温度、当前工作频率及当前工作温度计算得到晶振器的温频变化率，包括：采用如下公式计算得到晶振器的温频变化率：采用如下公式计算得到晶振器的温频变化率：其中，εε表示温频变化率，k1k1为频率调整系数，k2k2为温度调整系数，T1T1表示标准工作温度，f1f1表示标准工作频率，T2T2表示当前工作温度，f2f2表示当前工作频率，表示频率变化率，表示温度变化率，AA和A
′
A
′
分别表示晶振器在当前工作下和标准工作下的幅值，F2F2和F1F1分别表示晶振器在当前工作下和标准工作下的交流电频率，θ2θ2和θ1θ1分别表示晶振器在当前工作下和标准工作下的初始相位。3.如权利要求2所述的集成晶振器的芯片处理方法，其特征在于，所述根据所述温频变化率计算得到晶振器的调整驱动电压，之前还包括：从所述温频变化率中提取频率变化率和温度变化率；判断所述频率变化率和温度变化率的相关关系；若所述频率变化率和温度变化率为负相关关系，停止使用芯片并生成芯片异常指令通知相关人员；若所述频率变化率和温度变化率为正相关关系，根据所述温频变化率计算晶振器的工作异常概率，其中所述工作异常概率的计算方法为：
其中，p(ε)p(ε)表示工作异常概率，ε
α
ε
α
表示人为设定的温频变化临界值，p
α
p
α
表示温频变化率小于温频变化临界值时的固定异常概率，μμ表示数学期望，σσ表示方差；当晶振器的工作异常概率大于或等于临界异常概率时，停止使用芯片并生成芯片异常指令通知相关人员，其中临界异常概率需大于所述固定异常概率；当晶振器的工作异常概率小于所述临界异常概率时，根据所述温频变化率计算得到晶振器的调整驱动电压。4.如权利要求3所述的集成晶振器的芯片处理方法，其特征在于，所述根据所述温频变化率计算得到晶振器的调整驱动电压，包括：确定芯片中两组线圈的线圈匝数，并根据所述数学期望和方差计算得到调整驱动电压，其中计算方法为：其中，v(ε)v(ε)表示在温频变化率εε下晶振器的调整驱动电压，ΦΦ为两组线圈的线圈匝数，μμ表示数学期望，σσ表示方差，为调整驱动电压计算方法的调整因子。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡钦洪，
申请(专利权)人：深圳扬兴科技有限公司，
类型：发明
国别省市：