一种SiCMOSFET器件的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种SiC MOSFET器件的制备方法，方法包括：在N型外延层上制备三明治结构；去除三明治结构两端的第一多晶硅层、第二氧化层和部分厚度的第一氧化层；形成两个P阱注入区；在暴露的第一氧化层和第二氧化层上淀积第三氧化层；形成自对准侧墙；在暴露的P阱注入区和自对准侧墙上淀积第四氧化层；在第四氧化层两端注入N元素形成N+注入区；去除表面所有掩膜层和缓冲层；在P阱注入区内注入Al元素形成P+注入区。本发明专利技术所加入的背面凹槽结构工艺简单，与现有器件工艺可以匹配。本发明专利技术可以保证整个器件，甚至整个晶圆上的P阱离子注入工艺实现较高的均匀性，从而提高器件的性能稳定性和成品率。和成品率。和成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC MOSFET器件的制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种SiC MOSFET器件的制备方法。

技术介绍

[0002]SiC MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，金氧半场效晶体管)具有低导通电阻、高工作频率的特点，有望应用在电动汽车、充电桩等设备中。此类环境要求大电流工作，从器件设计角度需要实现大面积芯片和高电流密度两个特性。
[0003]然而，目前大部分器件的成品率、性能稳定性仍不能满足需求。主要原因是：大面积芯片有成千上万个小的元胞组成，其中一个元胞的工艺制备出现问题就会影响到整个器件的性能。
[0004]因此，如何控制好器件制备过程中每一步工艺的稳定性和均匀性是解决上述成品率、性能稳定性的关键问题。

技术实现思路

[0005]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种SiC MOSFET器件的制备方法。本专利技术要解决的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述SiC MOSFET器件的制备方法包括：选取N型衬底层(1)；在所述N型衬底层(1)上生长N型外延层(2)；在所述N型外延层(2)上制备三明治结构，所述三明治结构包括从下至上依次层叠的第一氧化层(3)、第一多晶硅层(4)和第二氧化层(5)；去除所述三明治结构两端的所述第一多晶硅层(4)、所述第二氧化层(5)和部分厚度的所述第一氧化层(3)；在暴露的所述第一氧化层(3)处注入Al元素，以在所述N型外延层(2)两端内形成两个P阱注入区(6)；在暴露的所述第一氧化层(3)和第二氧化层(5)上淀积第三氧化层(7)，所述第一氧化层(3)和所述第三氧化层(7)的材料相同；刻蚀去除所述第一氧化层(3)以及所述第一氧化层(3)上的第三氧化层(7)，保留所述第一多晶硅层(4)和所述第二氧化层(5)两侧以及所述第二氧化层(5)上的所述第三氧化层(7)，以形成自对准侧墙(8)；在暴露的所述P阱注入区(6)和所述自对准侧墙(8)上淀积第四氧化层(9)；在所述第四氧化层(9)两端注入N元素，以在所述P阱注入区(6)内形成N+注入区(10)；去除所述N型外延层(2)上的所述第一氧化层(3)、所述第一多晶硅层(4)、所述第二氧化层(5)、所述自对准侧墙(8)和所述第四氧化层(9)；在两个所述P阱注入区(3)内注入Al元素形成两个P+注入区(11)，其中，两个所述N+注入区(10)位于两个所述P+注入区(11)之间，且所述P+注入区(11)的底端位于所述N型外延层(2)内；在部分所述N+注入区(10)、所述P阱注入区(3)和所述N型外延层(2)上形成栅氧化层(12)；在所述栅氧化层(12)上制备第二多晶硅层(13)，以形成栅极；在部分所述N+注入区(10)和所述P+注入区(11)上制备源极(14)；在所述N型衬底层(1)背面制备漏极(15)。2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述N型衬底层(1)和所述N型外延层(2)的材料均为4H
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭亮良，
申请(专利权)人：瑶芯微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：