本申请提供一种多晶硅异常监测方法、装置及相关设备，其中，所述方法包括：获取第一监控图像，其中，所述第一监控图像包括第一位置的图像，所述第一位置为反应炉内用于放置硅棒的位置；对所述第一监控图像进行图像分析，获得多个候选点；将所述多个候选点中对应的像素坐标位于预设区间内的像素点确定为异常点，其中，所述预设区间用于指示第一位置，所述异常点用于指示硅棒亮点；在所述第一监控图像上标记所述异常点。先通过图像分析的方式，从第一监控图像中获取像素值异常的多个候选点；再通过坐标匹配的方式，将位于预设区间的候选点确定为异常点，以替代人工巡检的监控方式，提升对硅棒亮点的监测效果。对硅棒亮点的监测效果。对硅棒亮点的监测效果。
【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅异常监测方法、装置及相关设备
[0001]本申请涉及多晶硅生产
，具体涉及一种多晶硅异常监测方法、装置及相关设备。
技术介绍
[0002]多晶硅还原工序是生产过程中的关键环节，还原车间内包括多个还原炉，为了对多个还原炉中每一还原炉内反应状况进行及时监测，需要现场人员定期巡检还原炉，观测炉内硅棒生长形态、炉内清晰度、表面颜色、倒棒情况等，并结合观测情况和过往经验判断还原炉内的硅棒生长是否存在异常。
[0003]其中，硅棒亮点问题是巡检过程中需重点关注的问题，硅棒亮点可理解为硅棒下端位置(也即硅棒在反应炉内的插设位置)因生产故障问题而产生的异常高温点，此异常高温点会在视界中以明亮光点的形式呈现，若不及时识别该异常高温点并加以处置，硅棒下端部会出现高温熔断情况，这将造成硅棒倾倒的事故，并带来较为严重的经济损失。
[0004]应用中发现，采用上述人工巡检的方式对还原炉内反应状况进行监测，受人为因素的干扰较大，易出现漏检硅棒亮点的情况，也就是说，相关技术对硅棒亮点的监测效果较差。
技术实现思路
[0005]本申请实施例的目的在于提供一种多晶硅异常监测方法、装置及相关设备，用于解决相关技术在监测硅棒亮点过程中存在的监测效果较差的问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种多晶硅异常监测方法，所述方法包括：
[0007]获取第一监控图像，其中，所述第一监控图像包括第一位置的图像，所述第一位置为反应炉内用于放置硅棒的位置；
[0008]对所述第一监控图像进行图像分析，获得多个候选点，其中，所述候选点为所述第一监控图像中像素值大于或等于像素阈值的像素点；
[0009]将所述多个候选点中对应的像素坐标位于预设区间内的像素点确定为异常点，其中，所述预设区间用于表征所述第一位置在所述第一监控图像内对应的像素区间，所述异常点用于表征对应硅棒亮点的像素点；
[0010]在所述第一监控图像上标记所述异常点。
[0011]可选的，所述将所述多个候选点中对应的像素坐标位于预设区间内的像素点确定为异常点之后，所述方法还包括：
[0012]将所述异常点的像素值与多个参考点的像素值分别进行相似度比较，获得多个相似参数，所述多个相似参数和所述多个参考点一一对应，所述多个参考点中的每一参考点对应一个温度区间的硅棒亮点；
[0013]将参数值最大的所述相似参数对应的参考点确定为目标点；
[0014]根据所述目标点的亮点信息，确定所述异常点的亮点信息，其中，所述亮点信息包
括对应的硅棒亮点的温度信息、以及对应的硅棒亮点的处理流程信息。
[0015]可选的，根据所述目标点的亮点信息，确定所述异常点的亮点信息之后，所述方法还包括：
[0016]在所述多个相似参数均小于或等于相似阈值的情况下，将所述异常点作为新的参考点进行存储。
[0017]可选的，所述获取第一监控图像，包括：
[0018]获取红外图像；
[0019]对所述红外图像进行图像分析，获得分析结果；
[0020]在所述分析结果指示所述第一位置的温度与所述硅棒的平均温度之差大于或等于温度差值的情况下，获取所述第一监控图像。
[0021]可选的，所述第一监控图像的采集时刻与初始时刻之间的时间间隔小于或等于40小时，所述初始时刻为所述反应炉的启动时刻。
[0022]第二方面，本申请实施例还提供一种多晶硅异常监测装置，所述装置包括：
[0023]图像获取模块，用于获取第一监控图像，其中，所述第一监控图像包括第一位置的图像，所述第一位置为反应炉内用于放置硅棒的位置；
[0024]图像分析模块，用于对所述第一监控图像进行图像分析，获得多个候选点，其中，所述候选点为所述第一监控图像中像素值大于或等于像素阈值的像素点；
[0025]异常定位模块，用于将所述多个候选点中对应的像素坐标位于预设区间内的像素点确定为异常点，其中，所述预设区间用于表征所述第一位置在所述第一监控图像内对应的像素区间，所述异常点用于表征对应硅棒亮点的像素点；
[0026]显示模块，用于在所述第一监控图像上标记所述异常点。
[0027]可选的，所述装置还包括：
[0028]比较模块，用于将所述异常点的像素值与多个参考点的像素值分别进行相似度比较，获得多个相似参数，所述多个相似参数和所述多个参考点一一对应，所述多个参考点中的每一参考点对应一个温度区间的硅棒亮点；
[0029]确定模块，用于将参数值最大的所述相似参数对应的参考点确定为目标点；
[0030]信息获取模块，用于根据所述目标点的亮点信息，确定所述异常点的亮点信息，其中，所述亮点信息包括对应的硅棒亮点的温度信息、以及对应的硅棒亮点的处理流程信息。
[0031]可选的，所述装置还包括：
[0032]新增模块，用于在所述多个相似参数均小于或等于相似阈值的情况下，将所述异常点作为新的参考点进行存储。
[0033]第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述的多晶硅异常监测方法的步骤。
[0034]第四方面，本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的多晶硅异常监测方法的步骤。
[0035]在本申请实施例中，先通过图像分析的方式，从第一监控图像中获取像素值异常的多个候选点；再通过坐标匹配的方式，将位于预设区间的候选点确定为用于表征硅棒亮
点的异常点，以替代人工巡检的监控方式，避免人为因素的干扰，降低漏检硅棒亮点等问题的出现概率，提升对硅棒亮点的监测效果。
附图说明
[0036]图1是本申请实施例提供的一种多晶硅异常监测方法的流程图；
[0037]图2是本申请实施例提供的一种多晶硅异常监测装置的结构示意图；
[0038]图3是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0039]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0040]本申请实施例提供一种多晶硅异常监测方法，参见图1，图1是本申请实施例提供的多晶硅异常监测方法的流程图，如图1所示，包括以下步骤：
[0041]步骤101、获取第一监控图像。
[0042]其中，所述第一监控图像包括第一位置的图像，所述第一位置为反应炉内用于放置硅棒的位置。
[0043]所述第一监控图像可以为图像采集设备经由硅棒反应炉的视镜拍摄得到的炉内图像(指彩色图像)，所述图像采集设备可以为正对硅棒反应炉的视镜设置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅异常监测方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一监控图像，其中，所述第一监控图像包括第一位置的图像，所述第一位置为反应炉内用于放置硅棒的位置；对所述第一监控图像进行图像分析，获得多个候选点，其中，所述候选点为所述第一监控图像中像素值大于或等于像素阈值的像素点；将所述多个候选点中对应的像素坐标位于预设区间内的像素点确定为异常点，其中，所述预设区间用于表征所述第一位置在所述第一监控图像内对应的像素区间，所述异常点用于表征对应硅棒亮点的像素点；在所述第一监控图像上标记所述异常点。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述多个候选点中对应的像素坐标位于预设区间内的像素点确定为异常点之后，所述方法还包括：将所述异常点的像素值与多个参考点的像素值分别进行相似度比较，获得多个相似参数，所述多个相似参数和所述多个参考点一一对应，所述多个参考点中的每一参考点对应一个温度区间的硅棒亮点；将参数值最大的所述相似参数对应的参考点确定为目标点；根据所述目标点的亮点信息，确定所述异常点的亮点信息，其中，所述亮点信息包括对应的硅棒亮点的温度信息、以及对应的硅棒亮点的处理流程信息。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述目标点的亮点信息，确定所述异常点的亮点信息之后，所述方法还包括：在所述多个相似参数均小于或等于相似阈值的情况下，将所述异常点作为新的参考点进行存储。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取第一监控图像，包括：获取红外图像；对所述红外图像进行图像分析，获得分析结果；在所述分析结果指示所述第一位置的温度与所述硅棒的平均温度之差大于或等于温度差值的情况下，获取所述第一监控图像。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一监控图像的采集时刻与初始时刻之间的时间间隔小于或等于40小时，所述初始时刻为所述反应炉的启动...
【专利技术属性】
技术研发人员：任永敬，侯雨，刘丹丹，银波，董越杰，王倩，辛俊伟，
申请(专利权)人：内蒙古新特硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。