一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块，半导体器件的封装结构用于安装芯片，包括：电极组件，电极组件与芯片的第一电极电性连接；电极组件包括：第一电极部件、弹簧、弹性连接件、第二电极部件和传热组件，弹簧的两端分别与第一电极部件和第二电极部件连接；第一电极部件与第二电极部件通过弹性连接件电性连接；传热组件包括第一传热端和第二传热端，第一传热端和第一电极部件固定连接，第二传热端和第二电极部件活动连接；或，第一传热端和第一电极部件活动连接，第二传热端和第二电极部件固定连接。上述的半导体器件的封装结构既能满足高度补偿，同时可以提升半导体器件的散热能力。件的散热能力。件的散热能力。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块


[0001]本专利技术涉及功率半导体器件
，具体涉及一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块。

技术介绍

[0002]在汽车、工业控制、机车牵引、电力系统等多个领域，降低逆变器及变频器的电力损失都是重要课题，而这其中功率半导体器件起着至关重要的作用。
[0003]碳化硅基功率半导体器件在电力系统应用的超高压领域正表现出明显的优势。与硅基功率半导体器件相比，碳化硅基功率半导体器件可将电力损失降至前者的一半以下，因此也成为重环保时代的关键元件。
[0004]功率半导体器件的封装在4500V以下的封装体系相对成熟，对于应用于大于10KV的超高压领域的功率半导体器件的封装，参考图1，外部的爬电距离要求功率半导体器件的封装结构的外壳高度b和内部高度a产生巨大的高度差，导致功率芯片产生的热量难以及时传导至外界，从而减弱功率半导体器件的散热能力。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题在于如何实现功率半导体器件的封装结构的高度补偿，同时提升功率半导体器件的散热能力本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的封装结构，所述半导体器件的封装结构用于安装芯片，其特征在于，包括：电极组件，所述电极组件与所述芯片的第一电极电性连接；所述电极组件包括：第一电极部件、弹簧、弹性连接件、第二电极部件和传热组件，所述弹簧的两端分别与第一电极部件和第二电极部件连接；所述第一电极部件与所述第二电极部件通过弹性连接件电性连接；所述传热组件包括第一传热端和第二传热端，所述第一传热端和第一电极部件固定连接，所述第二传热端和第二电极部件活动连接；或，所述第一传热端和第一电极部件活动连接，所述第二传热端和第二电极部件固定连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述传热组件包括相变传热组件。3.根据权利要求2所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述相变传热组件包括腔体和相变材料，所述腔体包括所述第一传热端和所述第二传热端，所述相变材料填充在所述腔体内。4.根据权利要求3所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述腔体为负压腔体。5.根据权利要求3所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述腔体可由铜、铝、铜合...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩荣刚，魏晓光，代安琪，曹博源，王爽，杜玉杰，周扬，王磊，孙帅，
申请(专利权)人：国网上海市电力公司，
类型：发明
国别省市：