一种界面态模型的构建方法、装置、系统及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种界面态模型的构建方法、装置、系统及存储介质，涉及仿真技术领域。本发明专利技术所述的方法包括：获取试验数据，根据试验数据得到界面态缺陷的浓度分布模型；基于浓度分布模型，通过复合率公式组确定表面复合率；根据复合率公式组和界面态公式组确定被电离的界面态浓度；根据表面复合率和被电离的界面态浓度构建仿真模型；根据浓度分布模型和仿真模型对晶体管进行仿真试验，确定转移特性曲线；当转移特性曲线满足预设转移特性曲线变化范围时，根据仿真模型确定最终界面态模型；本发明专利技术所述的技术方案，通过建立一种界面态模型，采用仿真试验，验证了模型的准确性，修正了现有界面态模型只考虑单一能级的问题。有界面态模型只考虑单一能级的问题。有界面态模型只考虑单一能级的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种界面态模型的构建方法、装置、系统及存储介质


[0001]本专利技术涉及仿真
，具体而言，涉及一种界面态模型的构建方法、装置、系统及存储介质。

技术介绍

[0002]空间辐射环境会导致双极器件产生电离，电离效应对双极器件的SiO2钝化层造成损伤，同时在Si
‑
SiO2界面生成界面态，从而影响电子元器件的电性能参数；因此需要对界面态进行仿真计算，为解决界面态陷阱对电子元器件的影响提供参考依据。
[0003]在现有技术中，考虑Si
‑
SiO2界面态缺陷对器件性能影响的TCAD仿真过程时，只考虑界面态陷阱具有单一能级，导致在进行TCAD仿真过程中，定义的界面态具有的固定性质，同时界面态不会随着电压的调控而发生性质的改变，与实际物理意义不符；并且，界面缺陷态对器件性能的影响是每个能级综合影响的结果，无法做到准确考虑连续多能级情况下的Si
‑
SiO2界面态分布模型。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的问题是如何修正现有界面态模型只考虑单一能级的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种界面态模型的构建方法，其特征在于，包括：获取试验数据，根据所述试验数据得到界面态缺陷的浓度分布模型；基于所述浓度分布模型，通过复合率公式组确定表面复合率；根据所述复合率公式组和界面态公式组确定被电离的界面态浓度；根据所述表面复合率和所述被电离的界面态浓度构建仿真模型；根据所述浓度分布模型和所述仿真模型对晶体管进行仿真试验，确定转移特性曲线；当所述转移特性曲线满足预设转移特性曲线变化范围时，根据所述仿真模型确定最终界面态模型。2.根据权利要求1所述的界面态模型的构建方法，其特征在于，所述基于所述浓度分布模型，通过复合率公式组得到表面复合率包括：联立所述复合率公式组，利用复合模型理论，得到所述表面复合率。3.根据权利要求1所述的界面态模型的构建方法，其特征在于，所述复合率公式组包括：拟合模型公式、表面复合率公式和复合率公式。4.根据权利要求1所述的界面态模型的构建方法，其特征在于，所述界面态缺陷包括施主型缺陷和受主型缺陷。5.根据权利要求4所述的界面态模型的构建方法，其特征在于，所述施主型缺陷的能级在0
‑
0.55eV范围内；所述受主型缺陷的能级在0.55
‑
1.1eV范围内。6.根据权利要求5所述的界面态模型的构建方法，其特征在于，所述界面态公式组包括：施主型缺陷电离概率公式、受主型缺陷电离概率公式、施主型缺陷对电子和空穴的发射率...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，杨剑群，徐晓东，崔秀海，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：