本发明专利技术公开了一种Embedded Flash快速进入低功耗的设计系统及方法，其中，所述系统包括：MCU提供的低功耗睡眠标志信号sleeping、Embedded Flash控制器、或门、与门、寄存器和Embedded Flash器件；所述sleeping耦接到或门的输入端，所述或门的输出端耦接与门的一路输入端，且与门的另一路输入端加载复位信号hrstn；所述与门的输出端耦接到寄存器，本发明专利技术不需要设置电源管理单元，在不影响读指令性能的前提下，快速进入低功耗模式。快速进入低功耗模式。快速进入低功耗模式。
【技术实现步骤摘要】
一种Embedded Flash快速进入低功耗的设计系统及方法
[0001]本专利技术涉及一种存储芯片
，具体为一种Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统及方法。
技术介绍
[0002]Embedded Flash作为代码和数据的存储单元，广泛应用各种低功耗MCU中。Embedded Flash在正常工作时即Embedded Flash 选中信号CE有效条件下，功耗有mA级，进入低功耗模式时，即为选中信号CE为无效时，功耗为uA级,因此当MCU 进入低功耗模式时，Embedded Flash 能否快速进入低功耗模式就对于整个系统的功耗就显得尤为重要。
[0003]目前现有的技术MCU要进入低功耗模式时，会发请求给系统的电源管理单元，再由电源管理单元控制Embedded Flash进入低功耗模式，一般电源管理单元的时钟都是低速时钟KHz,相对MCU 系统时钟MHz就显得非常的慢，进入低功耗模式所耗的时间相对比较长，同时设计也相对比较复杂。
[0004]正常工作条件下，如果每次读写完CE被设置成无效，有新的读操作进来时，都需要一段CE设置成有效后初始化时间，不同厂商的Embedded Flash这个时间略有差异，最大的需要15us以上，每次读指令都有这个延迟的话，即使有些厂商的延迟是ns,对于系统时钟几十MHz以上的MCU系统，影响读的性能。
[0005]现有技术已经不能满足现阶段人们的需求，基于现状，急需对现有技术进行改进。
技术实现思路
[0006]本专利技术的目的在于提供一种Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统及方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0007]一方面，本专利技术提供如下技术方案一种Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统，包括，MCU提供的低功耗睡眠标志信号sleeping、Embedded Flash控制器、或门、与门、寄存器和Embedded Flash器件；优选的，Embedded Flash控制器设有一Embedded Flash接口时序控制单元；优选的，所述sleeping耦接到或门的输入端，所述或门的输出端耦接与门的一路输入端，且与门的另一路输入端加载MCU与Embedded Flash控制器共同的复位信号hrstn。
[0008]优选的，所述与门的输出端耦接到寄存器，所述寄存器的其中一路输入端加载由Embedded Flash接口时序控制单元提供的ce控制信号n_ce，且寄存器的另一路输入端加载MCU与Embedded Flash控制器共同的时钟源信号hclk。
[0009]优选的，寄存器的输出端通过输出选中信号eflash_ce加载到Embedded Flash器件。
[0010]另一方面，本专利技术提供如下另一技术方案，一种Embedded Flash 快速进入低功耗的设计方法，具体步骤包括：步骤S1；将MCU系统中的低功耗睡眠标志信号sleeping取反，并和Embedded Flash
控制器的复位信号hrstn作与逻辑操作，用所述与逻辑操作输出信号hrstn_mux作为寄存器的复位信号；步骤S2； 当MCU系统进入低功耗模式后，将sleeping 信号从无效状态设置为有效状态，且将Embedded Flash器件选中信号eflash_ce信号复位成无效；步骤S3： 当MCU系统退出低功耗模式后，sleeping 信号从有效状态设置为无效状态，且将eflash_ce信号立即释放为有效；步骤S4： 当eflash_ce信号有效后，MCU系统恢复对Embedded Flash正常操作。
[0011]优选的，当所述MCU系统进入低功耗模式时，且所述eflash_ce设置成无效后，Embedded Flash进入uA级的低功耗模式。
[0012]优选的，当所述MCU系统退出低功耗模式后，所述eflash_ce的控制逻辑的复位被立即释放，同时设置所述eflash_ce为有效，此时MCU内的CPU停止向Embedded Flash控制器发送读写指令请求。
[0013]优选的，当所述MCU系统退出低功耗模式后，在所述eflash_ce完成第一次大于10us的延迟后，MCU系统进入正常工作。
[0014]本专利技术具有如下有益效果：（1）本专利技术运用简明的逻辑，实现了Embedded Flash在不影响读指令性能的前提下，快速进入低功耗模式；（2）本专利技术的设计复杂度远低于传统的方法，大大降低了设计的出错的概率。
附图说明
[0015]图1为本专利技术系统整体电路结构示意图；图2为本专利技术方法的流程示意图；图3为本专利技术进入低功耗前后的信号时序图。
具体实施方式
[0016]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]参考图1，一方面，本专利技术提供如下技术方案一种Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统，包括，MCU提供的低功耗睡眠标志信号sleeping、Embedded Flash控制器(包含Embedded Flash接口时序控制单元)、或门、与门、寄存器和Embedded Flash器件。
[0018]所述低功耗睡眠标志信号sleeping由MCU内的CPU产生，且sleeping耦接到或门的输入端，所述或门的输出端耦接与门的一路输入端，且与门的另一路输入端加载MCU与Embedded Flash控制器共同的复位信号hrstn（包括：MCU_hrstn和Embedded Flash_hrstn），所述与门的输出端输出信号hrstn_mux加载到寄存器的复位端，所述寄存器的数据输入端加载由Embedded Flash接口时序控制单元提供的ce控制信号n_ce，且寄存器的时钟输入端加载MCU与Embedded Flash控制器共同的时钟源信号hclk（包括：MCU_hclk和Embedded Flash_hclk），且寄存器的输出端通过输出Embedded Flash器件选中信号
eflash_ce加载到Embedded Flash器件；在实施例中，MCU系统正常上电完成后，Embedded Flash 控制器通过Embedded Flash接口时序控制单元将寄存器输出的Embedded Flash器件选中信号eflash_ce设置成有效，第一次读操作将eflash_ce设置成有效后会出现大于10us的延迟，之后的每次读操作都不需要这个延迟，且在本实施例中，只有MCU系统上电完成后第一次读操作会将eflash_ce设置成有效延迟10us后执行，其余时间除了进入低功耗模式，eflash_ce一直有效，同时读操作没有这个额外10us的延迟。
[0019]在实施例中，当MCU系统进入低功耗模式时，CP本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统，其特征在于：不设置电源管理单元，在不影响读指令性能的前提下，快速进入低功耗模式；所述系统包括：MCU提供的低功耗睡眠标志信号sleeping、Embedded Flash控制器、或门、与门、寄存器和Embedded Flash器件；所述Embedded Flash控制器设有一Embedded Flash接口时序控制单元；所述sleeping耦接到或门的输入端，所述或门的输出端耦接与门的一路输入端，且与门的另一路输入端加载复位信号hrstn；所述与门的输出端输出信号hrstn_mux加载到寄存器的复位端，所述寄存器的数据输入端加载由Embedded Flash接口时序控制单元提供的ce控制信号n_ce，且寄存器的时钟输入端加载时钟源信号hclk，且寄存器的输出端通过输出Embedded Flash器件选中信号eflash_ce加载到Embedded Flash器件。2.根据权利要求1所述的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统，其特征在于：Embedded Flash 控制器通过Embedded Flash接口时序控制单元设置寄存器输出的Embedded Flash器件选中信号eflash_ce为有效或无效。3.根据权利要求1所述的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统，其特征在于：所述复位信号hrstn为MCU与Embedded Flash控制器共同的复位信号。4.根据权利要求1所述的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统，其特征在于：所述时钟源信号hclk为MCU与Embedded Flash控制器共同的时钟源信号。5.一种Embedded Flash 快速进入低功耗的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将MCU系统中的低功耗睡眠标志信号sleeping取反，并和Embedded Flash...
【专利技术属性】
技术研发人员：王立华，潘明方，熊海峰，
申请(专利权)人：上海泰矽微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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