一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法技术

本发明专利技术涉及一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法，属于传感器技术领域。传感器包括保护层I、保护层II、导电种子层I、导电种子层II、粘结层I、粘结层II、绝缘层I、绝缘层II、传感层和环氧树脂。制作方法为：通过电镀、旋涂、光刻、磁控溅射、电子束蒸发、低压化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积等工艺步骤逐层沉积粘结层、绝缘层、传感层、阻挡层、种子层和保护层。本发明专利技术能有效保障传感器在恶劣工业环境中的使用效果，并有助于大幅提升其使用寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法


[0001]本专利技术属于传感器
，涉及一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器及其制作方法。

技术介绍

[0002]热场检测是现代工业生产和科学研究过程中时常会开展的一项工作，其中主要涉及温度和热流两个物理量，而对于热场分布和传热过程动态变化特征的充分理解以及相关生产工艺和产品质量控制影响因素的正确分析，后者往往更能体现出物理机制上的密切关联性，其重要性尤为突出。对于热流的检测，传统的热电堆由于尺寸大、响应慢等缺点，往往在一些对安装空间尺寸限制严格以及瞬时动态变化较为剧烈的场景中难以应用，即使勉强能用，也会在准确性、可靠性、及时性和耐用性等方面性能大打折扣。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器及其制作方法。
[0004]为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0005]一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器，主要包括保护层I、保护层II、导电种子层I、导电种子层II、粘结层I、粘结层II、绝缘层I、绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法，其特征在于，主要包括以下步骤：步骤1、选取硅衬底基片(103)，并对硅衬底基片进行清洗和平滑处理；步骤2、采用低压化学气相沉积工艺在硅衬底基片(103)的上顶面和下底面分别沉积氮化硅层I(7)和氮化硅层II；其中，氮化硅层I(7)作为湿法刻蚀硅衬底基片(103)时的刻蚀阻挡层；步骤3、利用RIE反应离子刻蚀工艺将氮化硅层II去除；步骤4、通过匀胶旋涂工艺在氮化硅层I(7)表面涂覆光刻胶(8)，并在热板上进行前烘，然后在光刻机上采用掩模板进行曝光，再放置于热板上进行后烘，放置于显影液中进行显影，待清洗吹干后形成传感器图版；步骤5、通过磁控溅射工艺在光刻胶表面上沉积第一传感回路，形成第一传感回路后放置于丙酮中进行浸泡以剥离光刻胶(8),最后烘干；所述第一传感回路包括依次溅射的粘结层III(501)、金属传感层I(502)和粘结层IV(503)；步骤6、通过匀胶旋涂工艺在氮化硅层I(7)表面涂覆光刻胶(8)，并在热板上进行前烘，然后在光刻机上采用掩模板进行曝光，再放置于热板上进行后烘，放置于显影液中进行显影，待清洗吹干后形成传感器图版；步骤7、通过磁控溅射工艺在光刻胶层表面上沉积第二传感回路，形成第二传感回路后放置于丙酮中进行浸泡以剥离光刻胶(8),最后烘干；所述第二传感回路包括依次溅射的粘结层V(504)、金属传感层II(505)和粘结层VI(506)；步骤8、通过电子束蒸发工艺在传感层上方沉积氧化铝绝缘层I(401)；通过等离子增强化学气相沉积工艺在氧化铝绝缘层I(401)表面沉积氮化硅绝缘层I(402)；通过电子束蒸发工艺在氮化硅绝缘层I(402)表面沉积氧化铝绝缘层II(403)；步骤9、在氧化铝绝缘层II(403)表面依次溅射粘结层I(301)和导电种子层I(201)；步骤10、利用电镀工艺在氮化硅层I(7)与导电种子层I(201)上...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯科，王水根，谭庆，陈南菲，漆锐，邓惠丹，杨玉，段青松，
申请(专利权)人：中冶赛迪技术研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：